标签的制作方法

技术特征：
1.一种标签，通过电磁波反射特性表示自身的属性，具备：基材；以及导体图案层，被形成在所述基材上，具有相互相邻配设的第1及第2缝隙；所述第1缝隙构成在第1频率处具有共振频率的第1共振元件，所述第2缝隙构成在比所述第1频率高的第2频率处具有共振频率的第2共振元件，在被照射了所述电磁波时，在所述第1频率处表现出的共振峰的q值，比在由所述第1缝隙单独构成该标签的共振构造的情况下在所述第1频率处表现出的共振峰的q值高。2.一种标签，通过电磁波反射特性表示自身的属性，具备：基材；以及导体图案层，具有被形成在所述基材上的n(n为3以上的正整数)个缝隙，所述n个缝隙构成具有相互不同的共振频率的n个共振元件，而且，以该共振元件的共振长度依次变短的方式相互相邻配设，在被照射了所述电磁波时，在所述n个共振元件之中的按照所述缝隙的长度从长到短的顺序数的第k(k为1至n-1之中的各整数)个共振元件的共振频率处表现出的共振峰的q值，比由该第k个共振元件单独构成该标签的共振构造的情况下表现出的共振峰的q值高。3.如权利要求2所述的标签，通过所述n个共振元件的共振频率之中的除了最大的共振频率以外的n-1个共振频率，构成所述识别信息。4.如权利要求2或者3所述的标签，在被照射了所述电磁波时，在所述n个共振元件之中的按照所述缝隙的长度从长到短的顺序数的所述第k个共振元件的共振频率处表现出的共振峰的q值，是在由该第k个共振元件单独构成该标签的共振构造的情况下表现出的共振峰的q值的1.5倍以上。5.如权利要求2至4中任一项所述的标签，在被照射了所述电磁波时，在所述n个共振元件之中的按照所述缝隙的长度从长到短的顺序数的所述第k个共振元件的共振频率处表现出的共振峰的q值，是在由该第k个共振元件单独构成该标签的共振构造的情况下表现出的共振峰的q值的4倍以上。6.如权利要求2至5中任一项所述的标签，所述n个缝隙分别呈长方形状，以该长方形状的长边方向相对置的方式大致平行配设。7.如权利要求6所述的标签，所述n个缝隙以长边方向的中心位置对齐的方式配设。8.如权利要求2至5中任一项所述的标签，所述n个缝隙分别呈环形状，所述n个缝隙被配设为同心圆状。9.如权利要求2至5中任一项所述的标签，所述n个缝隙包括1个圆形状的缝隙以及n-1个环形状的缝隙，该n-1个环形状的缝隙以包围该圆形状的缝隙的方式配设为同心圆状。10.如权利要求2至9中任一项所述的标签，所述n个缝隙之中的相互相邻配设的2个缝隙的长度的比率为0.70以上且小于1.0。11.如权利要求2至10中任一项所述的标签，
所述n个缝隙的相互相邻的2个缝隙间的间隔为所述电磁波的频带中的λ/10以下。12.如权利要求2至11中任一项所述的标签，所述导体图案层是利用印刷法形成的涂布层。13.如权利要求2至12中任一项所述的标签，所述导体图案层是利用箔转印法形成的金属箔层。14.如权利要求2至13中任一项所述的标签，所述基材是印刷品，所述导体图案层被形成在该印刷品的与印刷面相反侧的面上。15.如权利要求2至14中任一项所述的标签，被适用于通过所述电磁波反射特性表示自身被赋予的识别信息的无芯片rfid标签。16.如权利要求2至14中任一项所述的标签，被适用于通过所述电磁波反射特性对周边物体或者周边环境的状态变化进行检测的无芯片传感器标签。

技术总结
一种标签，通过电磁波反射特性表示自身的属性，具备：基材(11)；以及导体图案层(12)，被形成在基材(11)上，具有相互相邻配设的第1及第2缝隙(13a)、(13b)，第1缝隙(13a)构成在第1频率处具有共振频率的第1共振元件(13Qa)，第2缝隙(13b)构成在比第1频率高的第2频率处具有共振频率的第2共振元件(13Qb)，在被照射了电磁波时，在第1频率处表现出的共振峰的Q值，比在由第1缝隙(13a)单独构成该标签的共振构造的情况下在第1频率处表现出的共振峰的Q值高。的情况下在第1频率处表现出的共振峰的Q值高。的情况下在第1频率处表现出的共振峰的Q值高。


技术研发人员：石渡拓己 高桥伸明 新井贤司 波木井健
受保护的技术使用者：柯尼卡美能达株式会社
技术研发日：2020.08.21
技术公布日：2022/3/29