一种扇出型封装结构和射频模组的制作方法

技术特征：
1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括：第一晶圆、第二晶圆和重布线层，所述第一晶圆和所述第二晶圆均包括相对设置的第一表面和第二表面；所述重布线层包括设置于所述第一晶圆第一表面的第一绝缘层和设置于所述第二晶圆第一表面的第二绝缘层，所述第一晶圆的第一表面以扇出方式与所述第二晶圆的第二表面结合为一体，且所述第一晶圆与所述第二晶圆之间通过所述第一绝缘层形成密封空腔；所述第一晶圆通过贯穿所述第一绝缘层、所述第二晶圆和所述第二绝缘层的通孔实现电性连接。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一晶圆上设置有第一焊垫，所述第二晶圆上设置有第二焊垫，所述第一绝缘层包括至少一个暴露出所述第一焊垫的第一通孔，所述第二绝缘层包括至少一个暴露出所述第二焊垫的第二通孔和至少一个暴露出所述第二晶圆的第三通孔，所述第一通孔和所述第三通孔贯穿所述第二晶圆形成第四通孔；所述第四通孔和所述第二通孔内填充有导电材料，并通过金属走线实现第一焊垫和所述第二焊垫的电性连接。3.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述重布线层还包括设置于所述第二绝缘层远离所述第二晶圆一侧的第三绝缘层，所述第三绝缘层覆盖所述金属走线。4.根据权利要求3所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括金属凸点；所述金属凸点设置于所述第三绝缘层远离所述第二绝缘层一侧，并通过导电柱与所述金属走线连接。5.根据权利要求2所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层覆盖所述第一焊垫，所述第二绝缘层覆盖所述第二焊垫。6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括塑封结构，所述塑封结构包覆在所述第一晶圆的第二表面和侧表面。7.根据权利要求6所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述塑封结构包括相对设置的顶面和底面，所述塑封结构的底面与所述第一晶圆的第二表面接触，所述塑封结构的顶面与所述第一绝缘层远离所述第一晶圆一侧的表面平齐，并与所述第二晶圆的第二表面接触。8.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一晶圆包括声表滤波器晶圆。9.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一晶圆的基材材料包括钽酸锂或铌酸锂，所述第二晶圆的基材材料包括硅。10.一种射频模组，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的扇出型封装结构。

技术总结
本实用新型实施例公开了一种扇出型封装结构和射频模组，该扇出型封装结构包括第一晶圆、第二晶圆和重布线层，重布线层包括设置于第一晶圆第一表面的第一绝缘层和设置于第二晶圆第一表面的第二绝缘层，第一晶圆的第一表面通过晶圆键合，并以扇出方式与第二晶圆的第二表面结合为一体，且第一晶圆与第二晶圆之间通过第一绝缘层形成密封空腔；第一晶圆通过贯穿第一绝缘层、第二晶圆和第二绝缘层的通孔实现电性连接。本实用新型实施例提供的技术方案通过扇出方式将第一晶圆与第二晶圆键合在一起形成扇出型三维晶圆，使得晶圆的尺寸灵活性较高，可以使适应不同尺寸的晶圆键合，大大提高了晶圆封装的集成度，从而提升了晶圆的利用率。率。率。


技术研发人员：潘益军 王鑫 宋驭超
受保护的技术使用者：江苏卓胜微电子股份有限公司
技术研发日：2021.10.13
技术公布日：2022/3/22