在相邻叠组之间包含氧化物材料的微电子装置、电子系统和相关方法与流程

技术特征：
1.一种微电子装置，其包括：包括导电材料与绝缘材料的交替层面的叠组，所述叠组包括包含延伸穿过所述导电材料与所述绝缘材料的所述交替层面的沟道材料的柱；位于相邻叠组之间且与所述相邻叠组的所述沟道材料电连通的导电触点；以及位于所述相邻叠组之间的氧化物材料，所述氧化物材料在第一叠组的最上层面与邻近于所述第一叠组的第二叠组的最下层面之间延伸。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述氧化物材料包括二氧化硅。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括邻近于所述氧化物材料的气态材料。4.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述氧化物材料不含氮化硅。5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述氧化物材料接触所述沟道材料和所述导电触点。6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述氧化物材料直接接触所述第一叠组的所述最上层面的所述绝缘材料和所述第二叠组的所述最下层面的所述绝缘材料。7.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述沟道材料在所述相邻叠组之间的位置处的直径比在所述相邻叠组内的位置处的直径更大。8.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电触点的上部部分包括突起部分，所述突起部分相比于所述导电触点的其它部分从所述叠组中的下部叠组延伸得更远。9.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述氧化物材料定位于相邻柱的所述导电触点之间。10.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括邻近于所述氧化物材料且位于所述相邻柱的所述导电触点之间的导电材料。11.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：形成包括延伸穿过第一材料与第二材料的交替层面的堆叠的沟道材料的第一叠组；邻近于所述第一叠组形成氮化物材料；在所述氮化物材料中形成开口并在所述开口中形成导电触点；去除所述氮化物材料；邻近于所述导电触点形成氧化物材料；以及邻近于所述氧化物材料形成第二叠组，所述第二叠组包括第一材料与第二材料的交替层面。12.根据权利要求11所述的方法，其中形成第一叠组包括：形成包括所述第一材料与所述第二材料的所述交替层面的所述堆叠；穿过所述堆叠形成开口；以及在所述开口内形成所述沟道材料。13.根据权利要求11所述的方法，其中形成第一叠组包括：形成包括所述第一材料与所述第二材料的所述交替层面的所述堆叠；去除所述第二材料的部分以形成凹槽；以及
在所述凹槽中形成导电材料。14.根据权利要求11所述的方法，其中邻近于所述导电触点形成氧化物材料包括邻近于所述导电触点形成二氧化硅。15.根据权利要求11至14中任一权利要求所述的方法，其进一步包括形成与所述第一叠组与所述第二叠组之间的所述氧化物材料接触的导电材料。16.根据权利要求11至14中任一权利要求所述的方法，其中去除所述氮化物材料和邻近于所述氧化物材料形成所述第二叠组包括去除所述第一叠组与所述第二叠组之间的所有所述氮化物材料。17.一种电子系统，其包括：第一叠组和第二叠组，所述第一叠组和所述第二叠组中的每一者包括：导电材料与绝缘材料的交替层面的堆叠；以及包括延伸穿过所述导电材料与所述绝缘材料的所述交替层面的沟道材料的柱；位于所述第一叠组的所述柱的所述沟道材料与所述第二叠组的所述柱的所述沟道材料之间的导电触点；以及邻近于所述导电触点且位于所述第一叠组与所述第二叠组之间的氧化物材料。18.根据权利要求17所述的电子系统，其进一步包括位于所述第一叠组与所述第二叠组之间的包括氧和氮中的一或两者的气体。19.根据权利要求17所述的电子系统，其中所述氧化物材料的厚度大于所述导电材料的层面或所述绝缘材料的层面的厚度。20.根据权利要求17所述的电子系统，其中所述第一叠组和所述第二叠组包括存储器单元串。21.根据权利要求17至20中任一权利要求所述的电子系统，其进一步包括邻近于所述沟道材料的电介质材料、邻近于所述电介质材料的电极材料，以及邻近于所述电极材料的另一电介质材料。22.根据权利要求21所述的电子系统，其中所述另一电介质材料定位于所述电极材料与所述交替层面的所述导电材料之间。23.根据权利要求17至20中任一权利要求所述的电子系统，其中所述氧化物材料直接接触所述第一叠组的下部部分和所述第二叠组的上部部分。

技术总结
一种微电子装置，其包含：包括导电材料与绝缘材料的交替层面的叠组，所述叠组包括包含延伸穿过所述导电材料与所述绝缘材料的所述交替层面的沟道材料的柱；位于相邻叠组之间且与所述相邻叠组的所述沟道材料电连通的导电触点；以及位于所述相邻叠组之间的氧化物材料，所述氧化物材料在第一叠组的最上层面与邻近于所述第一叠组的第二叠组的最下层面之间延伸。还公开了相关的电子系统以及形成微电子装置和电子系统的方法。装置和电子系统的方法。装置和电子系统的方法。


技术研发人员：A
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2020.07.27
技术公布日：2022/3/22