一种电磁刹控制器的制作方法

1.本实用新型涉及一种电子控制领域,更具体地说，它涉及一种由mos管控制的电磁刹控制器。


背景技术：

2.市面上的产品驱动磁刹器主要是使用继电器来控制磁刹器的打开和关闭，使用继电器只能控制磁刹器的开与关，但不能控制磁刹器的输出电压，同时继电器使用有次数限制，当达到使用次数后继电器就会损坏，而且继电器体积更大，占用pcb面积更大，不利于控制器小型化，最主要的继电器驱动磁刹器的方法只能使用相对应电压的磁刹器，例如当车辆是24v时只能使用24v的磁刹器，车辆是48v时也要相应的使用48v的磁刹器，车辆是60v时也要相应的使用60v的磁刹器。


技术实现要素：

3.针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种可以稳定输出恒压的电磁刹控制器。为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案，一种电磁刹控制器包括输入电源、输入电路、驱动部分和接受信号部分，输入电路为控制器mcu和pwm信号发生器，接受信号部分为mos管和旁路电容，驱动部分为三极管和电阻，输入电源电压与控制器mcu来计算输出相应的pwm通过驱动部分放大信号来驱动mos管输出。
4.作为本方案进一步优化，输入电路包括三极管pd3，三极管pd3的发射极连接15v电源，同时设置有分压偏置电阻rd8，三极管pd3的集电极与mos管栅极连接。
5.作为本方案进一步优化，输入电路还包括电阻rd6、电阻rd7和电阻rd9,电阻rd6和电阻rd7并联，其公共连接点与控制器mcu相连，电阻rd9与mos管串联分压保护mos管。
6.作为本方案进一步优化，接受信号端设有旁路电容cd4，旁路电容cd4与mos管并联，mos管源极接地。
7.作为本方案进一步优化，mos管漏极连接有二极管d10。
8.作为本方案进一步优化，pwm信号发生器输出的高电平为5v，低电平为0v。
9.作为本方案进一步优化，mos管为n型mos管。
10.本实用新型有益效果为：1.通过本实用新型，能有效保证磁刹器接收到稳定恒定电压，pwm信号发生器与其控制器mcu输入pwm控制信号，电磁刹控制器电源端用于驱动与关断电路并控制向电路内部输出pwm控制信号，电磁刹控制器输出端与被驱动mos管的栅极连接，用于接收pwm控制信号，单片机pwm端口输出的高电平为5v，低电平为0v，当单片机pwm端口输出高电平时，三极管nd2和pd3三极管截止，三极管nd3导通，此时mos管栅极电压为0v，mos管沟道关闭，此时没有电流流过电磁阀而断开，当单片机pwm端口输出低电平时，三极管nd2和rd8开启,三极管nd3截止，此时15v经过三极管pd3和rd9为mos管栅极提供电压，mos管此时处于沟道开启状态，供电电源通过电磁阀线圈以及mos管栅漏极到gnd，电池阀吸合，本实用新型可以通过控制器mcu与电源电压来计算输出相应的pwm通过放大电路来驱动mos输
出，从而得到稳定的磁刹器电压。比如车辆使用电压为48v，磁刹器也是48v工作电压，当车辆是60v或72v时也可以使用48v的磁刹器，本实用新型电路可以始终保持给磁刹器的输出电压为48v左右，可以降低磁刹器的采购成本，也可以防止电源电压过高造成磁刹器的发热损坏。
11.2.通过上述技术方案，分压偏置的电阻用于保护mos管不被高压击穿而损坏，延长电磁刹控制器的使用寿命，旁路电容cd4用于滤波和消除因mos管开\关下产生的峰值，三极管可放大电路中的电流和电压供导通mos管，n型mos管(场效应管)的导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，1n5408型二极管为电磁阀关闭线圈续流，防止线圈关闭时产生的尖峰电压击穿mos管。
附图说明
12.图1为本实用新型电磁刹控制器的pcb电路图；
13.图2为本实用新型电磁刹控制器工作原理的结构示意图。
具体实施方式
14.参照图1至图2对本实用新型电磁刹控制器做进一步说明。
15.为了易于说明，实施例中使用了诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个与另一个具有相同名称的部件区分开来，而不一定要求或者暗示这些部件之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
16.下面结合图1或图2详细说明本实施例，一种电磁刹控制器包括输入电源、驱动部分和接受信号部分，输入电源包括第一输入电源、第二输入电源和单片机pwm端口，第一输入电源为5v电源vcc1，第二输入电源为15v电源vcc2，因为mos管中vgs达到5v时mos管才可导通，vgs低于5v时，mos管关断，而电源电压过高会导致加到mos管上的电压超过mos管额定电压，从而导致mos管被击穿，所以第一输入电源设置为5v，第二输入电源设置为15v，第二输入电源15v经保护电阻降压后可驱动mos管，同时即使保护电阻短路，15v电源电压也不会击穿mos管，此电路通过5v电源系统mcu端口输出高低电平来控制mos管，mos管开启时电流会通过供电电源经过电磁阀线圈以及mos管的漏源极到gnd，电磁阀吸合，反之电池阀断开，单片机pwm端口输出的高电平为5v，低电平为0v，当单片机pwm端口输出高电平时，此时mos管栅极电压为0v，mos管沟道关闭，此时没有电流流过电磁阀而断开，当单片机pwm端口输出低电平，此时第二输入电源15v经过为mos管提供栅极电压，mos管此时处于沟道开启状态，供电电源通过电磁阀线圈以及mos管栅源极到gnd，电池阀吸合。
17.接受信号部分为mos管和旁路电容，mos管栅极连接电源，源极接地，漏极连接有电磁阀，mos管栅极用于接受输入电源电压，源极作为负极接地，漏极连接有1n5408型二极管，二极管用于释放磁刹器关闭时产生的反向电动势并为电磁阀关闭线圈续流，防止线圈关闭时产生的尖峰电压击穿mos管，旁路电容与mos管并联，旁路电容cd4用于滤波和消除因mos管开\关下产生的峰值。
18.驱动部分包括连接在第一输入电源vcc1的三极管nd2和连接在第二输入电源vcc2的三极管pd3，输入电源电压与控制器mcu来计算输出相应的pwm通过驱动部分放大信号来驱动mos管输出，三极管nd2基极连接第一输入电源vcc1，其发射极连接控制器mcu，其集电
极与三极管pd3的基极相连，三极管pd3的发射极连接第二输入电源vcc2，其集电极通过降压电阻rd9与mos管栅极连接，同时三极管pd3并联有分压偏置电阻rd8，三极管nd3的基极连接控制器mcu，其发射极接地，其集电极与mos管栅极相连，控制器mcu与三极管nd2之间设置有保护电阻rd6，控制器mcu和三极管nd3之间设有保护电阻rd7，三极管pd3为8550型三极管，它是一种低电压，大电流，小信号的pnp型晶体三极管，其最大集电极电流为1.5 a，三极管nd2和三极管nd3为8050型三极管，8050型三极管是npn型晶体三极管，为开关型三极管，其最大集电极电流为0.5a，电阻rd6和电阻rd7均为2.2k欧姆，电阻rd8为51欧姆，电阻rd9为10欧姆，旁路电容cd4为0.1μf。
19.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，本领域的技术人员在本实用新型技术方案范围内进行通常的变化和替换都应包含在本实用新型的保护范围内。