技术特征：
1.一种晶圆支撑柱，设置于半导体基座内，用于承托晶圆，其特征在于，所述晶圆支撑柱包括支撑柱本体，所述支撑柱本体的外表面设有至少一个凹陷部，所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷，所述凹陷部设置于所述支撑柱本体的侧壁，且所述凹陷部的顶部与所述支撑柱本体的顶端部相接，所述凹陷部的底部与所述支撑柱本体的底端部相接。2.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷的径向长度由所述支撑柱本体的顶端部朝所述支撑柱本体的底端部逐渐减小。3.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述凹陷部包括第一凹陷部和第二凹陷部，所述第一凹陷部设置于所述支撑柱本体的上部，所述第二凹陷部设置于所述支撑柱本体的下部，且所述第一凹陷部和所述第二凹陷部通过台阶部相接设置，所述第一凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷的径向长度为第一径向长度，所述第二凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷的径向长度为第二径向长度，所述第一径向长度大于所述第二径向长度。4.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述凹陷部的表面为平面和曲面中的任意一种。5.根据权利要求3所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述第一径向长度与所述第二径向长度的差值为0.2mm-1mm。6.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷的径向长度为0.5mm-1mm。7.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷的最大径向长度与所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷的最小径向长度的差值不大于0.5mm。8.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述凹陷部设有n个，所述n为2或2的倍数，所述凹陷部两两对称设置于所述支撑柱本体的侧壁。9.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述支撑柱本体为圆柱形结构和球形结构中的任意一种。10.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述支撑柱本体的上端部为半球形结构和锥形结构中的任意一种。11.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述支撑柱本体的材料为陶瓷材料、蓝宝石玻璃材料和金属材料中的至少一种。12.根据权利要求1所述的晶圆支撑柱，其特征在于，所述晶圆支撑柱包括上部件、下部件和高度调节结构，所述上部件和所述下部件通过所述高度调节结构连接固定。13.一种晶圆处理设备，其特征在于，包括设置于腔体内的基座和如权利要求1-12任意一项所述的晶圆支撑柱，所述基座上设有安装孔结构，所述晶圆支撑柱设置于所述安装孔结构。14.根据权利要求13所述的晶圆处理设备，其特征在于，所述晶圆处理设备包括处理模块和装卸模块中的至少一种，所述腔体为所述处理模块和所述装卸模块中的任意一种的腔体。
技术总结
本发明提供了一种晶圆支撑柱，设置于半导体基座内用于承托晶圆，其包括支撑柱本体，所述支撑柱本体的外表面设有至少一个凹陷部，所述凹陷部相对于所述支撑柱本体的外表面向内凹陷，所述凹陷部设置于所述支撑柱本体的侧壁，且所述凹陷部的顶部与支撑柱本体的顶端部相接，所述凹陷部的底部与支撑柱本体的底端部相接，减小了支撑柱本体的顶端部的面积，使得在工艺过程中晶圆支撑柱与晶圆之间的静电力或其他吸附力减至最小，大大降低晶圆支撑柱从孔内脱出的风险，且使得晶圆支撑柱和基座孔之间具有空隙，从而减少基座孔内因气体热膨胀而导致晶圆支撑柱从孔内脱出的风险，以及减少晶圆支撑柱在基座孔内卡死的风险。本发明还提供了一种晶圆处理设备。了一种晶圆处理设备。了一种晶圆处理设备。
技术研发人员：郭月 谈太德
受保护的技术使用者：拓荆科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.03
技术公布日：2022/3/4
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询，结果仅供参考。
