半导体器件的制作方法

技术特征：
1.一种半导体器件，包括：衬底；发光结构，在该发光结构的厚度方向上包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过所述第二导电半导体层和所述有源层、以及部分所述第一导电半导体层的多个凹槽；多个第一电极，电连接到所述第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到所述第二导电半导体层，其中，所述多个第一电极接触设置在所述多个凹槽的顶表面上的所述第一导电半导体层，其中，所述第二电极接触所述第二导电半导体层，其中，第一面积：第二面积的范围是从1：3至1：10，所述第一面积为所述多个第一电极和所述第一导电半导体层接触的区域的面积，所述第二面积为所述第二电极和所述第二导电半导体层接触的区域的面积。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一面积与所述发光结构在第一方向上的最大截面积的比率在7.4％至20％的范围内，并且所述第一方向是与所述发光结构的厚度方向垂直的方向。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第二面积与所述发光结构在所述第一方向上的最大截面积的比率在35％至70％的范围内。4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括第二电极焊盘，设置在所述衬底上并与所述发光结构间隔开；所述第二电极电连接到所述第二电极焊盘；所述第二电极焊盘和所述发光结构之间的最短距离在5μm至30μm的范围。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二电极焊盘的凸起部分高于所述有源层。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第二导电层，与所述第二电极电连接；第二电极焊盘，设置在所述衬底上并与所述发光结构间隔开，所述第二电极焊盘通过所述第二导电层电连接到所述第二电极；第一绝缘层，设置在所述第二电极焊盘下方，且具有使得所述第二导电层和所述第二电极焊盘接触的开口；所述开口具有范围为40μm至90μm的宽度。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一电极具有范围为24μm至50μm的直径。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个凹槽各自具有顶表面，所述凹槽的顶表面的直径在38μm至60μm的范围。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凹槽各自具有范围从70度至90度的倾斜角的侧表面。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电半导体层包括高电阻层和设置在所述有源层和所述高电阻层之间的低电阻层，
其中，所述高电阻层具有比所述低电阻层更高的铝组分，以及其中，所述第一电极设置在所述低电阻层上。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个凹槽各自具有顶表面，所述顶表面包括第一区域、第二区域和第三区域，在所述第一区域中所述第一电极层与所述第一导电半导体层接触，在所述第二区域中第一绝缘层与所述第一导电半导体层接触，在所述第三区域中第二绝缘层与所述第一导电半导体层接触，其中，所述第二区域具有范围从11μm至28μm的宽度，以及其中，所述第三区域具有范围从1μm至4μm的宽度。12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在第一方向上，所述多个凹槽的最大截面积与所述发光结构的最大截面面积的比率在20％至30％的范围内，并且所述第一方向是与所述发光结构的厚度方向垂直的方向。

技术总结
实施例公开了一种半导体器件，包括：衬底；发光结构，在发光结构的厚度方向上包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层、以及穿过第二导电半导体层和有源层、以及部分第一导电半导体层的多个凹槽；多个第一电极，电连接到第一导电半导体层；以及第二电极，电连接到第二导电半导体层，其中，多个第一电极接触设置在多个凹槽的顶表面上的第一导电半导体层，其中，第二电极接触第二导电半导体层，其中，第一面积：第二面积的范围是从1：3至1：10，第一面积为多个第一电极和第一导电半导体层接触的区域的面积，第二面积为第二电极和第二导电半导体层接触的区域的面积。二导电半导体层接触的区域的面积。二导电半导体层接触的区域的面积。


技术研发人员：朴修益 成演准 金珉成 李容京 李恩得
受保护的技术使用者：苏州乐琻半导体有限公司
技术研发日：2017.06.20
技术公布日：2022/2/24