标准单元建立方法与流程

1.本揭示中所述实施例内容是有关于一种标准单元建立方法，特别关于一种用以优化电路性能的标准单元建立方法。


背景技术：

2.目前出于时间速度(传播延迟)的考虑，在电路模拟过程中，需要基于当前制成技术检查装置性能。对于每一个新的制成世代建立，为了寻找性能最佳的装置进行设计应用，需要很好地评估装置性能，包括装置间距(宽度/长度/空间)和所有寄生元件(电容/二极管/电阻)。


技术实现要素：

3.本揭示的一些实施方式是关于一种标准单元建立方法，包含以下步骤：设定第一植入物分离案例；依据该第一植入物分离案例取得复数个特征参数；套用该些特征参数至装置延迟比对模式以取得速度参数；若该速度参数优于先前速度参数，优化通道参数；以及若该通道参数优化成功，建立标准单元。
4.在部分实施例中，还包含：若该速度参数不优于该先前速度参数，设定第二植入物分离案例；依据该第二植入物分离案例取得该些特征参数；以及套用该些特征参数至该装置延迟比对模式以取得该速度参数。
5.在部分实施例中，还包含：在设定该第一植入物分离案例后，收集至少一单元数据。
6.在部分实施例中，其中依据该第一植入物分离案例取得该些特征参数还包含：在直流模式之下进行操作以取得饱和电流值。
7.在部分实施例中，其中依据该第一植入物分离案例取得该些特征参数还包含：在交流模式下进行操作以取得寄生电容值。
8.在部分实施例中，其中该些特征参数包含饱和电流值以及寄生电容值。
9.在部分实施例中，其中该速度参数由cv/i度量所取得。
10.在部分实施例中，其中该通道参数包含空乏区宽度比。
11.在部分实施例中，其中该第一植入物分离案例包含井分离参数，s/d分离参数，ldd分离参数，以及袋状分离参数中的至少一者。
12.在部分实施例中，还包含：若该通道参数没有优化成功，设定第二植入物分离案例；依据该第二植入物分离案例取得该些特征参数；以及套用该些特征参数至该装置延迟比对模式以取得该速度参数。
13.综上所述，本发明的实施方式提供一种标准单元的建立方法，以便对包括装置间距(宽/长/间距)和所有寄生元件(电容/二极管/电阻)在内的装置性能进行很好的评估。在本发明的实施方式中，包含不同的技术应用并且用于世代进化的cv/i套用。无论基于硅分离还是计算器辅助设计(tcad)分离，都提供了一种建立金属氧化物半导体场效晶体管
(mosfet)数据库的简便方法，并通过传播延迟优化电路性能。
附图说明
14.为让本揭示的上述和其他目的、特征、优点与实施例能够更明显易懂，所附图的说明如下：
15.图1为根据本案的一些实施例所绘示的一种标准单元建立方法的流程图。
具体实施方式
16.在本文中所使用的用词“耦接”也可指“电性耦接”，且用词“连接”也可指“电性连接”。“耦接”及“连接”也可指二个或多个元件相互配合或相互互动。
17.请参阅图1。图1为根据本案的一些实施例所绘示的一种标准单元建立方法100的流程图。本案的实施方式不以此为限制。
18.需要说明的是，上述标准单元建立方法100适用于具有处理器和存储器结构的系统或装置。
19.应注意到，在一些实施例中，此方法也可实作为计算机程序，并储存于非瞬时计算机可读取记录媒体中，而使计算机或电子装置读取此记录媒体后执行此显示方法。非瞬时计算机可读取记录媒体可为只读存储器、闪存、软盘、硬盘、光盘、随身碟、磁带、可由网络存取的数据库或本领域技术人员可轻易思及具有相同功能的非瞬时计算机可读取记录媒体。
20.另外，应了解到，在本实施方式中所提及的方法的操作，除特别叙明其顺序者外，均可依实际需要调整其前后顺序，甚至可同时或部分同时执行。
21.再者，在不同实施例中，此些操作也可适应性地增加、置换、及/或省略。
22.请参阅图1。标准单元建立方法100包含以下操作。
23.在步骤s110中，设定半导体单元的植入物分离案例。在部分实施例中，植入物分离案例包含井分离参数，s/d分离参数，ldd分离参数，及/或袋状分离参数。
24.在步骤s120中，收集至少一单元数据。在部分实施例中，至少一单元数据包含半导体单元的通道长度，通过开/关比对评估短通道效应。
25.在步骤s130中，依据植入物分离案例取得多个特征参数。在部分实施例中，植入物分离案例包含饱和电流值以及寄生电容值。在部分实施例中，饱和电流值的取得由操作半导体单元在直流电(dc)模式下。在部分实施例中，寄生电容值的取得由操作半导体单元在交流电(ac)模式下。
26.在部分实施例中，寄生电容对于植入物分离参数较敏感。在部分实施例中，计算cv/i的值以优化饱和电流值和寄生电容值。
27.在步骤s140中，套用特征参数至装置延迟比对模式以取得速度参数。在部分实施例中，装置延迟比对模式包含cv/i方法。c为寄生电容值，i为饱和电流值，且v为电压值。在部分实施例中，在步骤s140中，装置建模采用寄生电容值与饱和电流值进行操作。
28.在步骤s150中，判断速度参数是否优于先前速度参数。在部分实施例中，先前速度参数为在步骤s110中设定植入物分离案例之前的速度参数。在部分实施例中，先前速度参数为前一个版本中建立的半导体单元的速度参数。
29.若是在步骤s140中所取得的速度参数优于先前速度参数，步骤s160被执行。另一
方面，若是在步骤s140中所取得的速度参数不优于先前速度参数，步骤s110被执行。若是在步骤s140中所取得的速度参数不优于先前速度参数，半导体单元的另一植入物分离案例被设定，其他至少一单元数据被搜集，且依据新植入物分离案例以取得特征参数。
30.在步骤s160中，优化通道参数并判断通道参数是否优化成功。在部分实施例中，通道参数为wn/wp。wn为空乏区在p参杂区的宽度，而wp为空乏区在n参杂区的宽度。在步骤s160中，最佳wp/wn比率被确认。
31.若是通道参数被优化成功，步骤s170被执行。另一方面，若是通道参数没有被优化成功，步骤s110被执行。当通道参数没有被优化成功，另一半导体单元的植入物分离案例被设定，另外的至少一单元数据被搜集，且依据新的植入物分离案例以取得特征参数。
32.在步骤s170中，建立标准单元。在部分实施例中，标准单元为半导体单元例如反向器、nand逻辑门或nor逻辑门。
33.在部分实施例中，半导体单元为mosfet半导体单元，mosfet半导体单元包含多个寄生电容。当井分离及/或s/d分离的剂量较浅或较重时，部分的寄生电容值增加，另一方面，当ldd分离及/或袋状分离的剂量较浅或较重时，其他部分的寄生电容值增加。在本发明的实施例中，对半导体单元的性能进行了优化，且寄生电容值和饱和电流值的影响也在考虑范围。
34.在部分实施例中，在不同版本的开发过程中，半导体的单元数据不同，例如，通道长度较短。通过本发明的实施方式，寄生电容值以及饱和电流值可以被优化。
35.综上所述，本案的实施例借由提供一种标准单元建立方法，从而很好的评估装置性能，包含装置间距(宽度/长度/空间)以及所有寄生元件(电容/二极管/电阻)以找到性能最佳的装置进行设计应用。在本案的实施方式中，包含不同的技术应用且套用cv/i以进行世代进化。无论是基于硅分离或是计算器辅助设计(tcad)分离，本案都提供了一种简单的方法来建立金属氧化物半导体场效晶体管(mosfet)数据库，并通过传播延迟优化电路性能。
36.另外，上述例示包含依序的示范步骤，但该些步骤不必依所显示的顺序被执行。以不同顺序执行该些步骤皆在本揭示内容的考虑范围内。在本揭示内容的实施例的精神与范围内，可视情况增加、取代、变更顺序及/或省略该些步骤。
37.虽然本揭示已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本揭示，任何本领域技术人员，在不脱离本揭示的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本揭示的保护范围当视权利要求书所界定者为准。
38.【符号说明】
39.100：标准单元建立方法
40.s110,s120,s130,s140：步骤
41.s150,s160,s170：步骤。