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背板及显示模组的制作方法

2022-02-24 14:45:24 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种背板,具有弯折区、设置于所述弯折区两侧的支撑区;所示支撑区内的部分区域设置有散热区;其特征在于,所述背板包括:金属支撑层;所述金属支撑层具有相对设置的第一支撑面和第二支撑面;其中,所述第一支撑面用于支撑显示面板,所述第二支撑面用于支撑印制电路板;在所述散热区,所述金属支撑层设置有导热沟槽,所述导热沟槽的开口朝向所述第二支撑面;所述导热沟槽用于将所述印制电路板产生的热量导出。2.根据权利要求1所述的背板,其特征在于,所述导热沟槽为一组或多组;每组所述导热沟槽包括:多个第一导热沟槽;所述第一导热沟槽包括:主路、多条支路、及连通所述主路和所述多条支路的连通部;所述主路的延伸方向与所述支路的延伸方向平行;所述连通部的延伸方向与所述主路及所述支路的延伸方向相交。3.根据权利要求2所述的背板,其特征在于,所述多个第一导热沟槽划分为多级;本级所述第一导热沟槽的所述主路的数量与上一级所述第一导热沟槽的支路的数量相同,且本级所述第一导热沟槽的所述主路与上一级所述第一导热沟槽的支路连通。4.根据权利要求3所述的背板,其特征在于,同一级所述第一导热沟槽中的所述主路、所述支路及所述连通部的深宽比相等;不同级所述第一导热沟槽中的所述主路、所述支路及所述连通部的深宽比随着级数的增加逐级递增。5.根据权利要求4所述的背板,其特征在于,所述多个第一导热沟槽划分为四级;第一级第一导热沟槽的所述主路的宽度为300微米至500微米;第二级第一导热沟槽的所述主路的宽度为100微米至200微米;第三级第一导热沟槽的所述主路的宽度为1微米至100微米;第四级第一导热沟槽的所述主路的宽度为800纳米至1000纳米;各级第一导热沟槽的所述主路的深度为100微米;各级第一导热沟槽的所述主路的长度为30微米至100微米;其中,所述宽度为同一级第一导热沟槽的排列方向上的导热沟槽尺寸,所述长度为与所述排列方向相垂直的方向上的导热沟槽尺寸。6.根据权利要求5所述的背板,其特征在于,每组所述导热沟槽还包括:多个第二导热沟槽;所述第二导热沟槽与所述第一导热沟槽以第一中心线为轴对称设置,且对称轴两侧相邻的所述第一导热沟槽的所述支路和所述第二导热沟槽的所述支路一一对应连通;所述第一中心线为相邻的所述第一导热沟槽的所述支路与所述第二导热沟槽的所述支路之间连接点的连线。7.根据权利要求6所述的背板,其特征在于,所述印制电路板在所述金属支撑层上的正投影覆盖至少一组所述导热沟槽中的部分所述第一导热沟槽;所述印制电路板在所述金属支撑层上的正投影覆盖至少一组所述导热沟槽中的部分所述第二导热沟槽。8.根据权利要求6所述的背板,其特征在于,所述印制电路板在所述金属支撑层上的正投影至少部分覆盖第一级第一导热沟槽,且覆盖所述第二级第一导热沟槽、第三级第一导
热沟槽和第四级第一导热沟槽;所述印制电路板在所述金属支撑层上的正投影至少部分覆盖第一级第二导热沟槽,且覆盖所述第二级第二导热沟槽、第三级第二导热沟槽和第四级第二导热沟槽。9.根据权利要求6所述的背板,其特征在于,第一级第一导热沟槽靠近所述散热区的边缘;第四级第一导热沟槽靠近所述散热区的中心;第一级第二导热沟槽靠近所述散热区的边缘;第四级第二导热沟槽靠近所述散热区的中心。10.根据权利要求1所述的背板,其特征在于,所述导热沟槽内涂覆有石墨烯。11.根据权利要求1所述的背板,其特征在于,所述背板还包括:导热片;所述导热片位于所述金属支撑层的第二支撑面的一侧。12.根据权利要求11所述的背板,其特征在于,所述导热片沿垂直于所述弯折区的延伸方向的截面呈波浪型。13.根据权利要求1所述的背板,其特征在于,所述背板还包括:隔热片;所述隔热片位于所述金属支撑层的第一支撑面的一侧。14.根据权利要求13所述的背板,其特征在于,所述隔热片的材料包括:气凝胶。15.一种显示模组,其特征在于,所述显示模组包括:显示面板、印制电路板、以及如权利要求1-14任一项所述的背板;所述显示面板位于所述金属支撑层的第一支撑面一侧;所述印制电路板与所述显示面板绑定连接并弯折至所述金属支撑层的第二支撑面一侧。

技术总结
本公开提供一种背板及显示模组,属于显示技术领域,其可解决现有的印制电路板所产生的热量容易通过背板传导至显示面板,影响显示面板的性能的问题。本公开的背板具有弯折区、设置于弯折区两侧的支撑区;所示支撑区内的部分区域设置有散热区;背板包括:金属支撑层;金属支撑层具有相对设置的第一支撑面和第二支撑面;其中,第一支撑面用于支撑显示面板,第二支撑面用于支撑印制电路板;在散热区,金属支撑层设置有导热沟槽,导热沟槽的开口朝向第二支撑面;导热沟槽用于将印制电路板产生的热量导出。出。出。


技术研发人员:孙舸 胡振文 喻勇
受保护的技术使用者:成都京东方光电科技有限公司
技术研发日:2021.11.19
技术公布日:2022/2/23
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