半导体元件及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体元件，包括：一基底；一上接触点，位在该基底上；一上导电层，位在该上接触点上；多个多孔隔离层，位在该上接触点的两侧上；多个第一框架层，位在所述多孔隔离层的各下表面上以及在所述多孔隔离层的各侧壁上；以及一第二框架层，位在该上接触点与所述多孔隔离层之间、位在该上接触点的下表面上，以及位在所述隔离层的上表面上。2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括多个覆盖层，位在该上接触点与该第二框架层之间，而该第二框架层是为位在该上接触点与所述多孔隔离层之间处。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中所述第一框架层与该第二框架层包含具有六面晶体结构的碳。4.如权利要求2所述的半导体元件，其中所述第一框架层与该第二框架层包含石墨烯、石墨或类似物。5.如权利要求3所述的半导体元件，其中所述覆盖层的厚度是朝该基底而逐渐缩减。6.如权利要求5所述的半导体元件，其中所述覆盖层的各最低点是接触该第二框架层，而该第二框架层是为位在该上接触点的该下表面处。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中所述覆盖层包含碳化铝、氮化铝、碳化钨或氮化钨。8.如权利要求3所述的半导体元件，其中所述多孔隔离层的各孔隙率是介于大约30％到大约95％之间。9.如权利要求8所述的半导体元件，还包括一下导电层以及一下接触点，该上导电层位在该上接触点下方，该下接触点位在该下导电层下方，其中该上接触点的一宽度是等于或小于该下接触点的一宽度。10.如权利要求9所述的半导体元件，还包括多个间隙子，位在该上导电层的各侧壁上。11.一种半导体元件，包括：一基底；一上接触点，位在该基底上；一上导电层，位在该上接触点上；多个多孔隔离层，位在该上接触点的两侧上；一第一框架层，位在所述多孔隔离层的各下表面上、在所述多孔隔离层的各侧壁上以及在该上接触点的该下表面上；以及一第二框架层，位在该上接触点与所述多孔隔离层之间、在该上接触点与该第一框架层之间，以及位在所述多孔隔离层的各上表面上。12.如权利要求11所述的半导体元件，还包括多个覆盖层，位在该上接触点与该第二框架层之间，而该第二框架层是为位在该上接触点与所述多孔隔离层之间处。13.一种半导体元件的制备方法，包括：提供一基底；
形成一隔离层在该基底上；形成一第一开口在该隔离层中；共形形成一第一框架层在该第一开口中；形成一能量可移除层在该第一框架层上，并充填该第一开口；形成一第二开口以沿着该能量可移除层与该第一框架层设置；共形形成一第二框架层在该第二开口中；形成一上接触点在该第二框架层上，并充填该第二开口，且形成一上导电层在该上接触点上；以及执行一能量处理，以转换该能量可移除层成为多个多孔隔离层在该上接触点的两侧上。14.如权利要求13所述的半导体元件的制备方法，还包括一步骤：形成多个覆盖层在该第二框架层的各侧壁上以及在该第二开口中。15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中所述覆盖层包含碳化铝、氮化铝、碳化钨或氮化钨。16.如权利要求15所述的半导体元件的制备方法，其中该第一框架层与该第二框架层包含具有六面晶体结构的碳。17.如权利要求16所述的半导体元件的制备方法，其中所述多孔隔离层的孔隙率是介于大约30％到大约95％之间。18.如权利要求17所述的半导体元件的制备方法，其中该能量可移除层包括一基础材料以及一可分解成孔剂材料。19.如权利要求18所述的半导体元件的制备方法，其中该基础材料包括氧化硅或甲基硅酸盐、低介电材料或氧化硅。20.如权利要求19所述的半导体元件的制备方法，其中该能量处理的一能量源为热、光或其组合。

技术总结
本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一基底、一上接触点、一上导电层、多个多孔隔离层、多个第一框架层以及一第二框架层；该上接触点位在该基底上；该上导电层位在该上接触点上；所述多孔隔离层位在该上接触点的两侧上；所述第一框架层位在所述多孔隔离层的各下表面上以及在所述多孔隔离层的各侧壁上；该第二框架层位在该上接触点与所述多孔隔离层之间、位在该上接触点的下表面上以及位在所述多孔隔离层的上表面上。面上。面上。


技术研发人员：黄则尧
受保护的技术使用者：南亚科技股份有限公司
技术研发日：2021.06.10
技术公布日：2022/2/18