半导体装置及该半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：层叠体，所述层叠体包括彼此交替层叠的绝缘图案和导电图案；沟道层，所述沟道层包括从所述层叠体突出的第一沟道部分和在所述层叠体中的第二沟道部分，并且所述沟道层穿过所述层叠体；以及导电线路，所述导电线路围绕所述第一沟道部分，并且其中，所述第一沟道部分包括金属硅化物。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电线路与所述第一沟道部分直接接触。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道部分包括硅化镍。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二沟道部分包括多晶硅。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电线路覆盖所述第一沟道部分的上表面和外壁。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电线路包括与所述第一沟道部分和所述第二沟道部分的材料不同的材料。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电线路包括与所述第一沟道部分接触的屏障层和与所述第一沟道部分间隔开的导电层。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述屏障层包括钛或钽，并且所述导电层包括与所述屏障层不同的金属。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一沟道部分包括设置在所述层叠体中的第一部分和设置在所述导电线路中的第二部分。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第一部分与所述第二沟道部分直接接触，并且所述第二部分与所述第二沟道部分间隔开。11.一种半导体装置，该半导体装置包括：层叠体，所述层叠体包括彼此交替层叠的绝缘图案和导电图案；沟道层，所述沟道层包括从所述层叠体突出的第一沟道部分和在所述层叠体中的第二沟道部分，并且所述沟道层穿过所述层叠体；以及导电线路，所述导电线路围绕所述第一沟道部分，其中，所述第一沟道部分、所述第二沟道部分和所述导电线路包括不同的材料。12.根据权利要求11所述的半导体装置，该半导体装置还包括：填充层，所述填充层穿过所述层叠体，其中，所述填充层包括被所述第一沟道部分围绕的第一填充部分和被所述第二沟道部分围绕的第二填充部分。13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述导电线路包括屏障层和导电层。14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，所述屏障层包括围绕所述第一沟道部分的结部分，并且所述导电层围绕所述结部分。15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述导电层与所述结部分的上表面和外壁接触。16.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述导电层包括凹入以限定凹部的下表
面，并且所述结部分和所述第一沟道部分被设置在所述凹部中。17.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一沟道部分包括通过在450℃或更低的温度下结合金属和硅而形成的金属硅化物。18.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一沟道部分包括硅化镍。19.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一沟道部分的厚度大于所述第二沟道部分的厚度。20.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成支撑结构；在所述支撑结构上形成层叠体；形成穿过所述层叠体的沟道层；去除所述支撑结构以暴露所述沟道层的第一突出部；形成与所述第一突出部接触的扩散金属层；执行热处理以将所述第一突出部改变为第一沟道部分；以及去除所述扩散金属层。21.根据权利要求20所述的方法，其中，将所述第一突出部改变为所述第一沟道部分的步骤包括以下步骤：将包括在所述扩散金属层中的第一元素扩散到所述第一突出部中。22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述第一元素是镍。23.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一沟道部分包括硅化镍。24.根据权利要求20所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成围绕所述第一沟道部分的导电线路。25.根据权利要求20所述的方法，该方法还包括以下步骤：翻转所述支撑结构；以及将所述沟道层电连接至外围晶体管。26.根据权利要求20所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成穿过所述层叠体的接触部，其中，所述扩散金属层覆盖所述接触部的第二突出部。27.根据权利要求20所述的方法，其中，暴露所述第一突出部的步骤包括以下步骤：暴露所述第一突出部的上表面和外壁。28.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成支撑结构；在所述支撑结构上形成层叠体；形成穿过所述层叠体的沟道层；去除所述支撑结构以暴露所述沟道层的第一突出部的上表面和侧壁；形成覆盖所述第一突出部的所述上表面和所述侧壁的扩散金属层；以及执行热处理以将所述第一突出部改变为第一沟道部分。29.根据权利要求28所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成穿过所述层叠体的存储器层，其中，暴露所述第一突出部的步骤包括以下步骤：
去除所述支撑结构以暴露所述存储器层的第二突出部；以及去除所述第二突出部以暴露所述第一突出部。30.根据权利要求28所述的方法，其中，所述扩散金属层包括镍铂。31.根据权利要求28所述的方法，其中，所述第一沟道部分和所述扩散金属层包括镍。32.根据权利要求28所述的方法，其中，所述第一沟道部分包括硅化镍。33.根据权利要求28所述的方法，该方法还包括以下步骤：在形成所述第一沟道部分之后，去除所述扩散金属层。34.根据权利要求33所述的方法，该方法还包括以下步骤：在去除所述扩散金属层之后，形成围绕所述第一沟道部分的导电线路。

技术总结
本公开提供一种半导体装置及该半导体装置的制造方法。本技术提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：层叠体，其包括彼此交替层叠的绝缘图案和导电图案；沟道层，其包括从层叠体突出的第一沟道部分和在层叠体中的第二沟道部分，并且穿过层叠体；以及导电线路，其围绕第一沟道部分，并且第一沟道部分包括金属硅化物。化物。化物。


技术研发人员：李南宰
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2021.05.14
技术公布日：2022/2/18