一种用于改进谐波的射频开关电路的制作方法

技术特征：
1.一种用于改进谐波的射频开关电路，其特征在于，包括：串联支路模块：包括2n个第一开关晶体管(m11)、2n个第一源漏电阻(rds1)、2n个栅极偏置电阻(r11)、2n个体区偏置电阻(r12)、2n-1个第一栅极串联电阻(r21)、2n-1个体区串联电阻(r22)、一个第一栅极公共端电阻(r31)以及一个体区公共端电阻(r32)；所述n为正整数；第1级第一开关晶体管(m11)的漏极与第一射频输入输出端口(rf1)相连，第1级第一开关晶体管(m11)的源极与第二级第一开关晶体管(m11)的漏极相连，第1级第一开关晶体管(m11)的源极、漏极分别与第一源漏电阻(rds1)的两端相连；第1级第一开关晶体管(m11)的栅极与第1级栅极偏置电阻(r11)的一端相连，第1级栅极偏置电阻(r11)的另一端与第1级第一栅极串联电阻(r21)的一端相连；第1级第一开关晶体管(m11)的体区与第1级体区偏置电阻(r12)的一端相连，第1级体区偏置电阻(r12)的另一端与第1级体区串联电阻(r22)的一端相连；第二级至第2n-1级的的第一开关晶体管(m11)、第一源漏电阻(rds1)、栅极偏置电阻(r11)、第一栅极串联电阻(r21)、体区偏置电阻(r12)、体区串联电阻(r22)的连接方式按照以上所述连接进行类推连接；第2n级第一开关晶体管(m11)的漏极与第2n-1级第一开关晶体管(m11)的源极相连，第2n级第一开关晶体管(m11)的源极与第二射频输入输出端口(rf2)相连，第2n级第一开关晶体管(m11)的源极、漏极分别与第一源漏电阻(rds1)的两端相连，第2n级第一开关晶体管(m11)的栅极与第2n级栅极偏置电阻(r11)的一端相连，第2n级栅极偏置电阻(r11)的另一端与第2n-1级第一栅极串联电阻(r21)的一端相连；第2n级第一开关晶体管(m11)的体区与第2n级体区偏置电阻(r12)的一端相连，第2n级体区偏置电阻(r12)的另一端与第2n-1级体区串联电阻(r22)的一端相连；并联支路模块：包括2m个第二开关晶体管(m12)、2m个偏置晶体管(m2)、2m个第二源漏电阻(rds2)、2m个第二栅极偏置电阻(r4)、2m-1个第二栅极串联电阻(r5)和1个第二栅极公共端电阻(r6)；所述m为正整数；第1级第二开关晶体管(m12)的漏极与第一射频输入输出端口(rf1)相连，第1级第二开关晶体管(m12)的源极与第2级第二开关晶体管(m12)的漏极相连，第1级第二开关晶体管(m12)的源极、漏极分别与第二源漏电阻(rds2)的两端相连，第1级第二开关晶体管(m12)的体区与第1级偏置晶体管(m2)的漏极相连，第1级偏置晶体管(m2)的漏极与栅极相连，第1级偏置晶体管(m2)的源极与第1级第二开关晶体管(m12)的栅极相连，第1级第二开关晶体管(m12)的栅极与第1级栅极偏置电阻(r4)的一端相连，第1级栅极偏置电阻(r4)的另一端与第1级第二栅极串联电阻(r5)的一端相连；以此类推，第2级到第2m-1级的第二开关晶体管(m12)、偏置晶体管(m2)、第二源漏电阻(rds2)、第二栅极偏置电阻(r4)、第二栅极串联电阻(r5)的连接方式与以上所述相同；所述第2m级第二开关晶体管(m12)的漏极与第2m-1级第二开关晶体管(m12)的源极相连，第2m级第二开关晶体管(m12)的源极与地相连，第2m级第二开关晶体管(m12)的源极、漏极分别与第二源漏电阻(rds2)的两端相连，第2m级第二开关晶体管(m12)的体区与第2m级偏置晶体管(m2)的漏极相连，第2m级偏置晶体管(m2)的漏极与栅极相连，第2m级偏置晶体管(m2)的源极与第2m级第二开关晶体管(m12)的栅极相连，第2m级第二开关晶体管(m12)的栅极与第2m级偏置晶体管(m2)的一端相连，第2m级第二栅极偏置电阻(r4)的另一端与第2m-1级第二栅极串联电阻(r5)的一端相连。2.根据权利要求1所述的一种用于改进谐波的射频开关电路，其特征在于，所述第n级栅极偏置电阻(r11)的一端与第一栅极公共端电阻(r31)的一端相连，所述第一栅极公共端
电阻(r31)的另一端与栅极控制电压(vg1)相连。3.根据权利要求1所述的一种用于改进谐波的射频开关电路，其特征在于，所述第n级体区偏置电阻(r12)的一端与体区公共端电阻(r32)的一端相连，所述体区公共端电阻(r32)的另一端与体区控制电压(vg2)相连4.根据权利要求1所述的一种用于改进谐波的射频开关电路，其特征在于，所述第2m级第二栅极偏置电阻(r4)的一端与第二栅极公共端电阻(r6)的一端相连，所述第二栅极公共端电阻(r6)的另一端与栅极控制电压(vg3)相连。

技术总结
本实用新型公开了一种用于改进谐波的射频开关电路，涉及射频集成电路技术领域。本实用新型包括：串联支路模块：包括2N个第一开关晶体管、第一源漏电阻、栅极偏置电阻、体区偏置电阻，2N-1个第一栅极串联电阻、体区串联电阻，一个第一栅极公共端电阻、体区公共端电阻；并联支路模块：包括2M个第二开关晶体管、偏置晶体管、第二源漏电阻、第二栅极偏置电阻，2M-1个第二栅极串联电阻以及1个第二栅极公共端电阻。本实用新型提高了射频开关各级堆叠管的耐压均匀性、谐波性能以及射频开关的最大输入功率，同时串联支路的栅极偏置电压VG1与中间的第N级相连、体区偏置电压VG2与中间的第N级相连满足了多场景的应用模式。连满足了多场景的应用模式。连满足了多场景的应用模式。


技术研发人员：沈宇 管剑铃 谢婷婷 王玉娇 周德杭 倪成东 倪文海 徐文华
受保护的技术使用者：上海迦美信芯通讯技术有限公司
技术研发日：2021.08.24
技术公布日：2022/2/8