一种光刻缺陷检测装置的制作方法

技术特征：
1.一种光刻缺陷检测装置，其特征在于，包括：相干光源；用于出射初始光信号；滤波聚焦模块，设置在所述出射光信号的出射光路上，用于将所述初始光信号进行滤波和汇聚形成汇聚光束；运动台，设置于所述汇聚光束的汇聚光路上，用于放置待测样品并带动所述待测样品在三维方向上运动，运动过程中所述汇聚光束在所述待测样品表面汇聚成照明光斑；当所述照明光斑入射所述待测样品时透射率高于反射率时，所述待测样品透射所述照明光斑；当所述照明光斑入射所述待测样品时透射率低于反射率时，所述待测样品反射所述照明光斑；光强探测器，当所述照明光斑入射所述待测样品时透射率高于反射率时，设置于所述照明光斑的透射光路上以接收所述照明光斑的透射光信号，用于利用叠层衍射算法对所述透射光信号的光强信息进行处理获取所述待测样品的光刻缺陷信息；当所述照明光斑入射所述待测样品时透射率低于反射率时，所述光强探测器设置于所述照明光斑的反射光路上以接收所述照明光斑的反射光信号，用于利用叠层衍射算法对所述反射光信号的光强信息进行处理获取所述待测样品的光刻缺陷信息。2.如权利要求1所述的光刻缺陷检测装置，其特征在于，所述初始光信号为euv光，所述滤波聚焦模块包括：孔径光阑，设置于所述出射光信号的出射光路上，用于过滤euv光中的杂波，约束其光束几何尺寸并进行出射；反射聚焦镜，设置于所述孔径光阑的出射光路上，用于将所述孔径光阑约束后的光信号进行反射聚焦；反射平面镜，设置于所述反射聚焦镜的反射光路上，用于将反射聚焦后的光信号反射至所述待测样品的上表面形成所述照明光斑。3.如权利要求2所述的光刻缺陷检测装置，其特征在于，当所述照明光斑入射所述待测样品时透射率低于反射率时，所述照明光斑与所述待测样品光斑区域内的微结构发生衍射效应，在反射光路方向产生衍射光强信号，被置于衍射区域的所述光强探测器接收到所述衍射光强信号并进行处理得到所述光刻缺陷信息。4.如权利要求2所述的光刻缺陷检测装置，其特征在于，所述光刻缺陷检测装置还包括：密闭洁净腔室，设置在相干光源、滤波聚焦模块、运动台和光强探测器的外围，用于隔绝外界的光学噪声。5.如权利要求1所述的光刻缺陷检测装置，其特征在于，所述运动台设置有：二维平面位移台，带动所述待测样品沿第一方向和第二方向移动，所述第一方向和所述第二方向垂直；一维垂直位移台，带动所述待测样品沿第三方向移动，所述第三方向与所述第一方向和第二方向所在的平面垂直。6.如权利要求5所述的光刻缺陷检测装置，其特征在于，所述照明光斑直径d能够利用公式d＝d*h/f进行调节，其中，h为所述待测样品上照明光斑到照明光路焦点的距离，d为所述初始光信号汇聚前的直径尺寸，f为所述照明光路的聚焦焦距。
7.如权利要求1所述的光刻缺陷检测装置，其特征在于，所述光强探测器用于将采集到的衍射光强i(q，x
k
)与所述待测样品的衍射图谱进行衍射差分运算，获取所述待测样品的光刻缺陷位置；还用于运用叠层衍射算法对所述衍射光强i(q，x
k
)进行迭代求解所述待测样品函数o(x)和照明光斑波前函数p(x)，进而获得所述待测样品的表面缺陷信息和内部相位缺陷信息；其中，i(q，x
k
)＝|f[p(x)o(x x
k
)]|2，k为所述待测样品在步进位置；相干光源根据运动步长同步对所述待测样品进行入射曝光形成p(x)，x表示实空间坐标，q为其倒易空间坐标，f表示傅里叶变换。8.如权利要求7所述的光刻缺陷检测装置，其特征在于，所述运动台的运动步长选择范围需满足对应相邻步长间衍射光斑重叠面积，重叠率典型值>50％。9.如权利要求1所述的光刻缺陷检测装置，其特征在于，所述光刻缺陷检测装置用于半导体前道工艺euv光刻掩模缺陷检测和/或晶圆缺陷检测。

技术总结
本发明公开了一种光刻缺陷检测装置，属于光刻缺陷检测领域，包括：相干光源、运动台和光强探测器；相干光源采用与光刻同波长的相干光源，可识别与光刻工艺同敏感度的光刻缺陷信息；相干光源照射运动台上的待测样品进而形成照明光路具备两种照明形式：透射式照明光路和反射式照明光路；具体照明光路选择由照明光源波长、待测样品物理结构之间光学特性确定；运动台带动待测样品在三维方向上运动；光强探测器用于采集相干光源入射待测样品后产生的衍射光强信号；利用叠层衍射算法对衍射光强信号进行处理获取待测样品的光刻缺陷信息。本发明能够实现半导体前道工艺光刻掩模、晶圆等缺陷高精度、高效率、高正确率的检测。高正确率的检测。高正确率的检测。


技术研发人员：刘世元 陈创创 谷洪刚
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2021.10.29
技术公布日：2022/2/6