一种Sub-6G-LTCC射频前端微系统模块的制作方法

一种sub-6g-ltcc射频前端微系统模块
技术领域
1.本发明涉及无线通讯技术领域，更具体地说，涉及一种sub-6g-ltcc射频前端微系统模块。


背景技术：

2.随着移动通信技术的迅猛发展，日常生活中出现了多种通信服务，而作为手机关键部分的通信前端模块也向着小型化、多频段、多模化、高性能和低成本等方向发展。低温共烧陶瓷(lowtemperatureco-firedceramicltcc)技术以其多层立体布线特点及良好的机械、热力学特性等优势，成为模块化含有大量无源器件的通信前端的首选方式之一。
3.sub6g是当前5g主要使用的频谱区域。根据我国工信部对5g移动通信的段段划分，目前主要使用的频段为s波段和c波段，这两个频段的频率都比较高。在如此高的频率下，信号在天线与射频系统的馈线中传输损耗要比低频段大的多，已经对信号的传输造成了很大的影响。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种sub-6g-ltcc射频前端微系统模块，通过将天线与射频前端模块的系统设计实现5g模块的标准化，将射频电路模块与天线无限靠近，使天线接收的微弱信号能够通过该模块直接转化为可以处理的中频信号。从而减少天线与射频电路之间射频线缆的使用，使其能够有效的减少信号损失，用以解决上述背景技术中存在的技术问题。
5.本发明技术方案一种sub-6g-ltcc射频前端微系统模块，包括天线模块、射频电路模块和供电模块；
6.所述射频电路模块包括依次连接设置的低噪声放大器、混频模块、中频滤波器和中频房放大器；所述低噪声放大器用于放大射频信号，所述混频模块用于将低噪声放大器放大后的射频信号降至中频；中频滤波器对产生的中频信号进行处理滤波得到干净中频信号。
7.在一个优选地实施例中，所述混频模块包括下变频模块和本振模块，所述本振模块发射本振信号与传输至下变频模块中的射频信号混合，并使射频信号混合降至中频信号。
8.在一个优选地实施例中，所述本振信号通过锁相环电路产生，所述锁相环电路包括依次连接的分频器、鉴相器、环路滤波器和压控震荡器。
9.在一个优选地实施例中，所述锁环电路产生本振信号的过程为：
10.a1:向锁相环电路输入一个参考频率fosc；
11.a2:参考频率fosc通过分频器预分频后得到新的频率fref；
12.a3:新的频率fref进入鉴相器后与压控振荡器反馈给鉴相器的信号频率fbacf进行比较，若输出的频率与期望的频率相差较大则产生一个相位差，该相位差会产生一个电
压信号；
13.a4:通过环路滤波器去除杂散后进入控制压控振荡器来控制电压信号输出，得到新的输出频率后继续返回到鉴相器与参考频率进行相位比较，往复进行得到并输出期望本振频率信号fout。
14.在一个优选地实施例中，所述低噪声放大器为qpl9530芯片；所述混频器为ltc5510芯片；所述中频放大器为adl5531芯片；所述电源模块为r1173d001d_tr-fd芯片。
15.本发明技术方案的有益效果是：
16.1.通过将天线与射频电路相结合，信号从天线接收，通过射频电路模块完成信号功率的放大并与本振信号完成下变频以及中频信号的放大处理，最后输出一个可用的中频信号，保证信号传输强度，降低信号传输损失。
17.2.低噪声放大器为qpl9530芯片；所述混频器为ltc5510芯片；所述中频放大器为adl5531芯片；所述电源模块为r1173d001d_tr-fd芯片。通过严格的芯片选择，保证各模块工作的稳定性。
附图说明
18.图1为本发明整理模块图，
19.图2为本发明射频电路触摸结构图，
20.图3为本发明振信号获取流程图。
具体实施方式
21.下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。本发明的实施例是为了示例和描述方便起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本发明限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本发明的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本发明从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
22.参照图1-图3，本发明技术方案一种sub-6g-ltcc射频前端微系统模块，包括天线模块、射频电路模块和供电模块。所述射频电路模块包括依次连接设置的低噪声放大器、混频模块、中频滤波器和中频房放大器。
23.所述低噪声放大器用于放大射频信号；所述混频模块用于将低噪声放大器放大后的射频信号降至中频，中频滤波器对产生的中频信号进行处理滤波得到干净中频信号，从而更好的进行后续的处理。中频信号的频率较低，具有平坦的通带特性，能够较好的获得所需要的信号，拥有足够的相邻信道抑制能力。
24.本方案中将射频电路模块与天线无限靠近，使天线接收的微弱信号能够通过该模块直接转化为可以处理的中频信号。从而减少天线与射频电路之间射频线缆的使用，使其能够有效的减少信号损失。
25.所述混频模块包括下变频模块和本振模块，所述本振模块发射本振信号与传输至下变频模块中的射频信号混合，并使射频信号混合降至中频信号。所述本振信号通过锁相环电路产生，所述锁相环电路包括依次连接的分频器、鉴相器、环路滤波器和压控震荡器。
26.所述锁环电路产生本振信号的过程为：a1:向锁相环电路输入一个参考频率fosc；
a2:参考频率fosc通过分频器预分频后得到新的频率fref；a3:新的频率fref进入鉴相器后与压控振荡器反馈给鉴相器的信号频率fbacf进行比较，若输出的频率与期望的频率相差较大则产生一个相位差，该相位差会产生一个电压信号；a4:通过环路滤波器去除杂散后进入控制压控振荡器来控制电压信号输出，得到新的输出频率后继续返回到鉴相器与参考频率进行相位比较，往复进行得到并输出期望本振频率信号fout。
27.压控振荡器受电压控制，用来产生震荡信号，其输出频率随着电压的升高而升高；分频器用来对压控振荡器产生的频率通过分频而降低，以进行后续的工作；鉴相器则用于将参考频率与分频后的频率进行比较，根据两个频率的相位差产生对应的电压以控制压控振荡器的输出；环路滤波器则对鉴相器产生的电压进行滤波处理，为后续电路提供稳定的控制。
28.所述低噪声放大器为qpl9530芯片。该芯片具有较低的噪声特性、足够大的线性范围，信号放大过程中不会失真，同时电路在信号放大的过程中不会出现自激现象。
29.所述混频器为ltc5510芯片；所述中频放大器为adl5531芯片。所述电源模块为r1173d001d_tr-fd芯片。采用ldo结构为系统的各模块进行供电5v供电主要用于低噪声放大器芯片、混频器芯片以及中频放大器芯片，利用ldo供电模块将电源供给的5v降到3.3v，并保证电压输出稳定，3.3v主要用于锁相环芯片的供电。
30.显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域及相关领域的普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本发明保护的范围。本发明中未具体描述和解释说明的结构、装置以及操作方法，如无特别说明和限定，均按照本领域的常规手段进行实施。