EDID数据改写的方法和显示装置与流程

edid数据改写的方法和显示装置
1.本技术是申请日2018年8月6日，申请号201810885739.3，名称“一种edid数据改写的方法、装置及存储介质”的分案申请。
技术领域
2.本技术实施例涉及通信技术领域，尤其涉及一种edid数据改写的方法和显示装置。


背景技术：

3.随着移动通信技术的飞速发展，智能电视的生厂商为了能在市场上提高产品的竞争力，都会通过hdmi switch扩展芯片将主芯片支持的一个高清晰度多媒体（high definition multimedia interface，hdmi）端口扩展成多个hdmi 端口。
4.现有技术中，为了保证智能电视待机时扩展显示识别数据（extended display identification data，edid）可读，可以在hdmi switch扩展芯片扩展的hdmi通道外挂写入好edid数据的eeprom芯片。待机时hdmi switch扩展芯片关闭，设备直接从eeprom芯片中读取edid数据，实现待机唤醒的功能。但是对于支持dolby atmos功能的电视产品，当支持atmos的功放连接到hdmi端口后，智能电视要对所有hdmi端口对应的edid audio字节进行改写，代表可以支持atmos功能，此功能要求hdmi通道的edid数据必须可以动态改写。而利用hdmi switch扩展的通道的edid数据是写入外挂的eeprom上的，是通过显示数据通道(display data channel，ddc)和主芯片相连接，而ddc通道不具备动态改写功能，不能用于改写edid数据的操作。
5.综上，亟需一种edid数据改写的方法，用来在确定外接设备支持杜比全景声atmos能力时，可以改写edid数据。


技术实现要素：

6.本技术实施例提供一种edid数据改写的方法、装置及存储介质，用于在确定外接设备支持杜比全景声atmos能力时，可以改写edid数据。
7.第一方面，本技术实施例提供一种edid数据改写的方法，该方法中，确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos能力，其中，n为大于1的整数，显示设备的hdmi switch模块连接n个edid芯片，n个edid芯片中的每个edid芯片与主芯片通过ddc通道连接，n个hdmi端口与n个edid芯片一一对应；通过主芯片的第一引脚与n个edid芯片连接，更新n个edid芯片中每个edid芯片的地址，其中，更新后的n个edid芯片中的任两个edid芯片的地址不同；通过主芯片的第二引脚与n个edid芯片连接，向n个edid芯片中增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。
8.第二方面，本技术实施例提供一种edid数据改写装置，包括确定单元，用于确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos能力，其中，n为大于1的整数，显示设备的hdmi switch模块连接n个edid芯片，n个edid芯片中的每
个edid芯片与主芯片通过ddc通道连接，n个hdmi端口与n个edid芯片一一对应；第一控制单元，用于在确定单元确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos能力的情况下，通过主芯片的第一引脚与n个edid芯片连接，更新n个edid芯片中每个edid芯片的地址，其中，更新后的n个edid芯片中的任两个edid芯片的地址不同；第二控制单元，用于在确定单元确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos能力的情况下，通过主芯片的第二引脚与n个edid芯片连接，向n个edid芯片中增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。
9.第三方面，提供一种edid数据改写装置，装置包括：主控单元、扩展单元、多个隔离单元、多个edid存储单元，及多个hdmi端口；主控单元分别与扩展单元、多个隔离单元、多个edid存储单元相连，用于控制对多个edid存储单元中edid信息的读取或改写，及控制多个edid存储单元的地址改写；扩展单元分别与主控单元、多个hdmi端口相连，用于将主控单元与扩展单元之间的hdmi原通道进行扩展，得到扩展单元与多个hdmi端口之间的多个hdmi扩展通道；任一edid存储单元与主控单元、扩展单元、对应的隔离单元、对应的hdmi端口相连，用于存储对应的hdmi扩展通道的edid信息；任一隔离单元分别与主控单元、对应的edid存储单元相连，用于当对应的edid存储单元中的edid信息需要进行改写时，连通对应的主控单元与对应的edid存储单元之间的hdmi扩展通道。
10.可选的，主控单元还用于检测多个hdmi端口接入的多个外接设备的类型，当检测多个外接设备中存在第一类型时，控制切断多个hdmi端口与对应的edid存储单元之间的hdmi扩展通道，并控制对对应的edid存储单元中存储的edid信息进行改写；当检测多个外接设备都为第二类型时，控制连通多个hdmi端口与对应的edid存储单元之间的hdmi扩展通道，多个外接设备能够读取对应的edid存储单元中存储的edid信息。
11.可选的，多个隔离单元还用于：当多个隔离单元连通主控单元与对应的edid存储单元之间的hdmi扩展通道时，主控单元控制对多个edid存储单元中的edid信息进行改写；当多个隔离单元切断主控单元与对应的edid存储单元之间的hdmi扩展通道时，多个外接设备能够与对应的edid存储单元通信，读取对应的扩展hdmi通道的edid信息；可选的，当检测多个外接设备中存在第一类型时，控制切断多个hdmi端口与对应的edid存储单元之间的hdmi扩展通道具体包括：主控单元控制多个edid存储单元更改其存储地址，从而切断多个hdmi端口与对应的edid存储单元之间的hdmi扩展通道。
12.可选的，主控单元控制对多个edid存储单元中的edid信息进行改写之后，还包括：主控单元控制多个隔离单元切断主控单元与对应的edid存储单元之间的hdmi扩展通道，以及主控单元控制多个edid存储单元恢复到原来的地址；多个外接设备能够读取对应的edid存储单元中存储的改写完的edid信息。
13.可选的，装置还用于：当改写完第一个edid存储单元的edid信息后，控制第一个edid存储单元对应的隔离单元，切断主控单元和edid存储单元之间的hdmi扩展通道，及控制将第一个edid存储单元的地址恢复到原来的地址；第一个edid存储单元对应的外接设备读取修改后的edid信息后，控制第二个edid存储单元进行edid信息的改写；依次执行上述步骤，直到所有的外接设备都能读取到改写的edid信息。
14.可选的，装置还用于：依次控制改写完每一个edid存储单元的edid信息后，控制所
有的隔离单元，断开主控单元和edid存储单元之间的hdmi扩展通道，并控制多个edid存储单元的地址恢复到原来的地址，以使得多个外接设备分别读取对应的修改后的edid信息。
15.第四方面，本技术实施例提供一种计算机存储介质，计算机存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行第一方面或第一方面的任意可能的实现方式中的方法。
16.第五方面，本技术实施例提供一种包含指令的计算机程序产品，当其在计算机上运行时，使得计算机执行第一方面或第一方面的任意可能的实现方式中的方法。
17.本技术实施例中，当终端设备确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos能力，其中，n为大于1的整数，显示设备的hdmi switch模块连接n个edid芯片，n个edid芯片中的每个edid芯片与主芯片通过ddc通道连接，n个hdmi端口与n个edid芯片一一对应；首先可以通过主芯片的第一引脚与n个edid芯片连接，更新n个edid芯片中每个edid芯片的地址，其中，更新后的n个edid芯片中的任两个edid芯片的地址不同；可以通过主芯片的第二引脚与n个edid芯片连接，向n个edid芯片中增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。如此，在确定外接设备支持杜比全景声atmos能力时，可以改写edid数据。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1a为本技术实施例提供的dolby atmos架构示意图；图1b为本技术实施例提供的扩展hdmi通路的电路结构示意图；图1c为本技术实施例提供一种适用的系统架构示意图；图1d为本技术实施例提供一种适用的系统架构示意图；图2为本技术实施例提供一种edid数据改写的方法的流程示意图；图3为本技术实施例提供一种隔离电路的示意图；图4为本技术实施例提供一种地址改写电路模块的示意图；图5为本技术实施例提供一种应用场景示意图；图6为本技术实施例提供一种edid数据改写的装置的结构示意图。
具体实施方式
20.为了使本技术的目的、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
21.首先对本技术涉及的名词进行解释说明：edid（extended display identification data），即扩展显示识别数据，是视频标准组织vesa为pc显示器设置的优化显示格式而设计的数据规范。edid包含显示设备的基本参数，如制造厂商、产品名称、最大行场频、可支持的分辨率等，是实现即插即用功能背后
的数据。edid的存储方式包括内置和外置两种方式。edid内置方式是指将edid数据写在程序中，智能电视直流开机的时候将edid数据写入eeprom芯片中，使用的时候去eeprom芯片中获取智能电视的edid数据。edid外置方式是指直接将edid数据写在外置的eeprom芯片中，通过显示数据通道直接被外接设备读取，而不需经过智能电视主程序的控制。
22.hdmi（high definition multimedia interface，hdmi），即高清晰度多媒体接口，是一种数字化视频/音频接口技术，适合影像传输的专用型数字化接口，可同时传送音频和影像信号，最高数据传输速度为48gbps（2.1版），同时无需在信号传送前进行数/模或者模/数转换。hdmi接口具有热插拔功能。hpd(hot plug detection)，就是为了实现hdmi连接的热插拔而设计的，简单的说，当发送端接入接收端时，接收端回应hpd信号给发送端，进而发送端会启动ddc通道，而读取接收端edid信息，然后进行hdcp交互，如果双方认证成功，则视频、音频正常工作，否则连接失败，不同系统会有不同的处理。
23.dolby atmos，即杜比全景声是由杜比实验室研发，突破了传统意义上5.1、7.1声道的概念，能够结合影片内容，呈现出动态的声音效果，更真实的营造出由远及近的音效；配合顶棚加设音箱，实现声场包围，展现更多声音细节，提升观众的观影感受。
24.ddc( display data channel)，即显示数据通道，是hdmi接收端和发送端信息交换的通道。发送端通过ddc通道读取保存在接收端eeprom中的数据，获取接收端的基本参数，如可支持的分辨率、3d、4k2k、音频等相关数据。发送端根据得到的信息选择能够被接收端识别的最佳输出格式传输音视频数据。本技术实施例中，采用ddc通道进行edid信息的读取。
25.iic（inter-integrated circuit），即集成电路总线，一般有两根信号线，一根是双向的数据线sda，另一根是时钟线scl。所有接到i2c总线设备上的串行数据sda都接到总线的sda上，各设备的时钟线scl接到总线的scl上。本技术实施例中，采用iic通道对edid信息进行改写。
26.hdmi switch芯片，用于hdmi通道的扩展，将一个hdmi通道可以扩展成多个相同类型的hdmi通道，市面上常见的是实现“1变3”，即能够将一个hdmi通道拓展成三个hdmi通道。示例性，若主芯片具有2路hdmi 2.0端口，可以通过2个hdmi switch芯片扩展成6路hdmi 2.0通道。
27.soc（system on chip，系统级芯片），芯片级系统，也有称片上系统，由多个具有特定功能的集成电路组合在一个芯片上形成的系统或产品，其中包含完整的硬件系统及其承载的嵌入式软件。本技术实施例中，soc检测设备是否接入，控制隔离电路是否开启，以及edid信息的读取和改写等。
28.arc（audio return channel），即声音回传，使用单个hdmi连接线可使电视能够将音频信号上行发送到连接的条形音箱、单箱式家庭影院或av接收机，通过在电视和音频设备之间形成“握手”来创建双向信息的通道，不再需要光纤音频电缆从而减少家庭中线的混乱。
29.hdcp（high
ꢀ‑
bandwidth digital content protection，高带宽数字内容保护技术）：当用户进行非法复制时，该技术会进行干扰，降低复制出来的影像的质量，从而对内容进行保护。
30.应用场景：
电视要想实现dolby atmos效果至少需要两个设备，一个是支持atmos功能的功放，连接到具有arc功能的hdmi通道，另一个是支持atmos的外接设备，如dvd等，即一个hdmi通道用来输入音视频数据，另一个hdmi通道用于实现“扬声器”功能。
31.示意性的，图1a为本技术实施例提供的dolby atmos架构示意图，如图1a所示，当支持dolby atmos的外接设备（如dvd等）插入到hdmi接口后，则通过hdmi线与soc建立hdmi通道，外接设备就能够给soc传输音视频信号，该hdmi通道可以是hdmi 1.4，也可以是hdmi 2.0，甚至更高版本的hdmi，只要满足数据传输相关参数的要求即可。实际情况中，通常需要多路hdmi来传输不同的数据。另外，要想实现dolby atmos效果至少还需要支持dolby atmos功放，该功放需要接入支持arc的hdmi端口上，即建立hdmi arc通道，soc可以通过hdmi arc通道进行声音的输出。音视频数据通过hdmi通道输入soc中，经过soc解码，分离视频图像和音频，其中，视频图像可以通过显示屏进行输出，音频则通过hdmi arc通道输出到dolby atmos功放，这样就可以实现视频的播放。其中，具有arc功能的hdmi端口和不具有arc功能的hdmi端口的区别为：具有arc功能的hdmi端口有一条arc声音传输连接到主芯片。
32.由于高清电视技术发展，对hdmi 2.0端口需求越来越多，而大多数芯片厂商最多提供两路hdmi 2.0，远不能满足市场的需求。一种可选的实现方案是通过增加hdmi switch扩展芯片，将电视主芯片的1路hdmi 2.0扩展成多路hdmi 2.0。而按照edid协议规定，扩展后的每一路hdmi 2.0通道应该分别对应各自的edid信息，另外，电视的hdmi端口都要求支持cec待机唤醒功能，而hdmi规范中对于支持cec待机唤醒功能的设备，待机时候的edid数据必须可读，这就要求hdmi switch扩展芯片需要在工作状态，但此时hdmi switch扩展芯片的工作电流会达到几十毫安以上甚至更高，导致电视待机功耗超标，不满足认证要求。综上，一种可选的实现方案是在扩展后的每一路hdmi 2.0通道上外挂edid芯片，并将edid信息写入该edid芯片上。
33.示例性的，图1b为本技术实施例提供的扩展hdmi通路的电路结构示意图，如图1b所示，soc芯片上面的ddc0引脚连接hdmi switch扩展芯片，通过hdmi switch扩展芯片可以扩展出3个hdmi端口，即扩展芯片的第一引脚连接hdmi第一端口，扩展芯片的第二引脚连接hdmi第二端口，扩展芯片的第三引脚连接hdmi第三端口，在每一路hdmi通路上外挂有edid芯片，用于存储各自hdmi通路的edid信息，这样，当外接设备连接到不同的hdmi端口时，都能够找到该hdmi端口所对应的edid芯片，读取对应的edid信息。
34.说明的是，图1b仅示意出soc芯片一个引脚扩展多个hdmi端口，该soc芯片其他引脚的hdmi端口扩展这里不再示例，可以参考上述介绍来实现。
35.由于杜比全景声（dolby atmos）能够结合影片内容，呈现出动态的声音效果，更真实的营造出由远及近的音效，越来越多的电视支持dolby atmos功能，而根据dolby规范，电视只有检测到插入支持dolby atmos功能的设备后，才需要对edid信息进行改写，代表可以支持atmos功能，而电视没有检测到插入支持dolby atmos功能的设备时，edid信息是固定的，为了保证普通设备能够正常与电视进行通信。这样，要想实现dolby atmos效果，就需要hdmi通道的edid数据必须可以动态改写。
36.从图1b可以看出，若利用hdmi switch扩展芯片进行扩展的hdmi 2.0通道，其edid数据是写入外挂的edid芯片上，该edid芯片并通过ddc管脚和主芯片相连接。
37.而外接设备通过ddc管脚只能读取edid芯片上存储的信息，并不具备动态改写
edid信息的能力，当接入支持dolby atmos外接设备时，还需要对edid信息进行动态改写，并且改写完edid信息后，还能保证外接设备能够成功读取到改写完的edid信息。
38.基于上述分析，本技术的申请人考虑通过主芯片来控制edid信息的改写，简单的可行性方案是，通过主芯片的i2c通路连接edid芯片，从而实现edid信息的改写，但是由于主芯片的管脚数量有限，并没有多余的i2c通路，因此，考虑利用ddc通路来模拟i2c通路，即需要改写edid信息时，该ddc通路能够将主芯片的改写指令传输到edid芯片中，实现edid信息的改写，当不需要改写edid信息时，该ddc通路只用于向外接设备传输其所需的信息。
39.但考虑到接入支持dolby atmos功能的设备对edid信息进行改写，保证该外接设备能够读取到改写后的edid信息，就需要在edid信息改写过程中避免外接设备与edid芯片的通信，当edid信息改写完后，再实现其与edid芯片的通信，因此得到本技术的技术方案，主芯片上单独引出一通路来控制edid芯片的地址，并在主芯片和edid芯片之间设置隔离单元，当需要对edid信息进行改写时，主芯片控制更改edid芯片的地址，这样hdmi端口就不能识别更改后的edid芯片的地址，外接设备也就无法与edid芯片进行通信；然后，主芯片控制隔离单元闭合，连通其与edid芯片之间通路，使得主芯片控制edid信息进行改写。
40.本技术实施例中，edid，即扩展显示识别数据，是视频标准组织vesa为pc显示器设置的优化显示格式而设计的数据规范。edid包含显示设备的基本参数，如制造厂商、产品名称、最大行场频、可支持的分辨率等，是实现即插即用功能背后的数据，可以存储在显示器专用的eeprom芯片中。
41.edid的存储方式包括内置和外置两种方式。edid内置方式是指将edid数据写在程序中，智能电视直流开机的时候将edid数据写入eeprom芯片中，使用的时候去eeprom芯片中获取智能电视的edid数据。edid外置方式是指直接将edid数据写在外置的eeprom芯片中，这种方式下，edid数据可以通过显示数据通道（display data channel，ddc）直接被外接设备读取，而不需经过智能电视主程序的控制。
42.本技术实施例中，智能电视的生厂商为了能在市场上提高产品的竞争力，都会通过hdmi switch扩展芯片将主芯片支持的一个hdmi端口扩展成多个hdmi端口。如此，就需要hdmi switch扩展芯片对hdmi端口进行扩展，示例性的，假设主芯片上具有2个hdmi端口，可以通过2个hdmi switch扩展芯片扩展成6个hdmi端口。
43.现有技术中，所有智能电视的hdmi端口都支持cec待机唤醒功能，而hdmi规范中对于支持cec待机唤醒功能的设备，待机时候的edid数据必须可读。对于使用hdmi switch扩展芯片扩展出的hdmi端口，如果edid数据可读，hdmi switch扩展芯片需要在工作状态，但此时hdmi switch扩展芯片的工作电流会达到几十毫安以上甚至更高，导致电视待机功耗超标，不满足认证要求。待机时edid数据可读的解决方案，就是在hdmi switch扩展芯片扩展的hdmi端口外挂写入好edid数据的eeprom芯片。待机时hdmi switch扩展芯片关闭，设备直接从eeprom芯片中读取edid数据，实现待机唤醒的功能。但是对于支持杜比全景声dolby atmos功能的电视产品，当支持atmos的功放连接到hdmi端口后，智能电视要对所有hdmi通道上外挂的eeprom芯片中的edid 数据进行改写，代表可以支持atmos功能，此功能要求hdmi通道的edid数据必须可以动态改写。而利用hdmi switch扩展芯片扩展的通道的edid数据是写入外挂的eeprom芯片上的，并通过ddc通道和主芯片相连接。然而主芯片的ddc通道不具备改写功能，不能用于改写edid数据的操作。因此，本技术实施例提供了下文的实施
方式，使得在确定外接设备支持杜比全景声atmos能力时，可以改写edid数据。
44.进一步的，本技术实施方式提供一种在接入支持dolby atmos功能的设备时对扩展hdmi通道的edid数据动态改写方法、装置及终端，具体介绍如下：实施例一图1c示例性示出了本技术实施例适用的一种系统架构示意图，如图1c所示，用于具有hdmi扩展通道的edid数据改写装置包括：主控单元、扩展单元、多个隔离单元、多个edid存储单元，及多个hdmi端口；主控单元，用于控制对edid芯片中edid信息的读取或改写，主控单元分别与扩展单元、隔离单元、edid存储单元相连。其中，主控单元的功能包括：其一，当接入支持dolby atmos外接设备时，能够发出地址更改指令更改多个edid存储单元的地址，一方面切断hdmi端口与其对应的edid存储单元的通信，另一方面为主控单元对edid存储单元的中预先存储的edid信息进行改写做准备；其二，能够发出控制信号用于控制隔离单元的工作状态，使得需要改写edid存储单元中存储的edid信息时，连通主控单元与edid存储单元之间的数据传输通路；其三，能够实现edid存储单元与主控单元之间的通信，更改edid存储单元中的edid信息；其四，能够实现接入普通设备且不需要改写edid信息或者接入支持dolby atmos外接设备且已经改写完edid信息时，外接设备能够通过hdmi端口与主控单元进行通信，使得外接设备能够读取主控单元中存储的数据。
45.扩展单元，用于将主芯片与扩展单元之间的一个hdmi通道扩展成多个hdmi扩展通道，其中，每一个hdmi扩展通道都与其对应的hdmi端口相连，其中，扩展单元分别与主控单元、edid存储单元、hdmi端口相连。
46.多个隔离单元受控于主控单元，用于接收并响应主控单元发出的闭合指令，连通主控单元与edid存储单元之间的数据传输通路，使得主控单元能够更改edid存储单元中所存储的edid信息。其中，每一个隔离单元分别与edid存储单元、主控单元相连；多个edid存储单元，用于存储其对应的hdmi扩展通道的edid信息，其中，每一个edid存储单元外挂在隔离单元和扩展单元之间的hdmi扩展通路上，受控于主控单元，且edid存储单元分别与隔离单元、扩展单元、hdmi端口、主控单元相连；当普通的外接设备接入hdmi端口后，无需对edid存储单元中存储的edid信息进行改写，而是直接读取edid存储单元的edid信息；当支持dolby atmos外接设备接入hdmi端口后，主控单元先更改edid存储单元的地址，即切断hdmi端口与edid存储单元之间的通路，使得外接设备无法读取edid存储单元存储的edid信息，然后主控单元会控制隔离单元闭合，连通主控单元与edid存储单元之间的数据传输通路，并对edid存储单元存储的edid信息进行改写；改写完成后，主控单元控制edid存储单元的地址恢复到原来的地址，并控制隔离单元断开，即连通hdmi端口与edid存储单元之间的通路，此时外接设备就可以读取到已经改写完的edid信息。其中，edid信息包括如可支持的分辨率、3d、4k2k、音频等相关数据，发送端根据得到的信息选择能够被接收端识别的最佳输出格式传输音视频数据。
47.其中，改写edid信息时，若不更改edid存储单元的地址，也就无法切断hdmi端口与edid存储单元之间的通路，外接设备就可能与edid存储单元通信，读取到的edid信息仍然是修改前的edid信息，导致设备无法正常工作，因此，在edid信息改写之前，主控单元控制更改edid存储单元的地址，切断hdmi端口与edid存储单元之间的通路，保证edid信息正常
改写以及外接设备能够成功读取到改写后的edid信息。
48.另外，隔离单元通常情况下是处于断开状态，只有需要对edid存储单元的edid信息进行改写时，受控于主控单元闭合指令，隔离单元才会闭合，连通主控单元和edid存储单元的数据传输通路，主控单元才能去对edid信息进行改写。在改写完成后，隔离单元则会断开，恢复到原先状态。
49.值得说明的，要实现dolby atmos效果，需要接入多个外接设备，这样就需要对每一路edid存储单元都进行edid信息的改写，主控单元依次控制每一个edid单元进行改写，具体控制顺序可以根据实际情况而定，这里不做限定。进一步的，当edid改写完后，外接设备需要读取改写完的edid信息，如下示例性给出了两种实现方式：一种是控制改写完1路edid信息后，主控单元控制该路上的edid存储单元地址恢复到原来的地址，并控制该路上的隔离单元断开，然后该路对应的外接设备就能够读取改写后的edid信息；主控单元再去控制另一路改写其对应的edid信息，然后再控制对应的edid存储单元和隔离单元使外接设备能够读取改写后的edid信息，这样依次改写完所有edid存储单元的edid信息。
50.另一种是主控单元控制所有edid存储单元存储的edid信息后，再控制所有的edid存储单元的地址一起恢复到原来的地址，并控制所有的隔离单元断开，这样外接设备就可以读取到改写后的edid信息。相比于第一种，第二种实现起来可能会简便一些，逻辑简单一些，因edid改写的时间较短，所以即使第二种方式时间稍微长一些也是可以实现的。
51.hdmi端口，用于当外接设备插入后，能够分别建立外接设备与主控单元之间、外接设备与edid存储单元之间的通信，其中，每一个hdmi端口与对应的edid存储单元相连；当hdmi端口接入外接设备时，主控单元会检测外接设备的类型，以及外接设备会读取edid存储单元存储的edid信息，判断该装置是否支持插入的外接设备正常工作。可选的，检测外接设备以及判断外接设备类型可以参考现有技术。其中，外接设备可以是支持atmos功能的功率放大器、dvd、vcd等设备。
52.其中，主控单元与扩展单元之间的hdmi通路可以通过扩展单元进行扩展，得到多个hdmi扩展通路，其扩展通路的数目是由扩展单元的硬件条件所决定，若扩展单元采用的扩展芯片具有1个输入n个输出，相应的，可以将1个hdmi通路最多扩展成n个hdmi扩展通路；若想得到2n个hdmi扩展通路，那么就需要采用两个扩展芯片，这两个扩展芯片的连接关系可以参考一个扩展芯片的连接关系。另外，主芯片的硬件设计决定其所能支持的hdmi版本，市面上主流芯片一般具有两个hdmi通路，上述对主芯片的hdmi通路进行扩展适用于所有版本的hdmi通路，这样可以根据实际需求所要设计多少个hdmi通路，从而选择采用多少个扩展芯片进行扩展。
53.本技术实施例中，主控单元和扩展单元之间的hdmi原通道被扩展成多个扩展单元与hdmi端口之间的hdmi扩展通道，并在该hdmi扩展通道上外挂有edid存储单元，在edid存储单元和主控单元之间设置有隔离单元，主控单元还与edid存储单元相连；当接入支持dolby atmos的外接设备接入后，主控单元控制edid存储单元地址改写，从而切断外接设备与edid存储单元的通信，防止在edid信息改写的过程中，外接设备误读取到原edid信息；另外，主控单元控制隔离单元闭合，连通主控单元和edid存储单元的通路，主控单元对edid信息进行改写，这样外接设备能够读取到改写完的edid信息，从而实现dolby atmos效果。
54.图1d示例性示出了本技术实施例适用的一种系统架构示意图，如图1d所示，包括
主芯片10，hdmi switch扩展芯片20。该主芯片10具有一个hdmi端口，通过连接hdmi switch扩展主芯片20将该hdmi端口扩展成了3个hdmi端口：hdmi第一端口301、hdmi第二端口302和hdmi第三端口303。
55.其中，扩展生成的3个hdmi端口中的每个hdmi端口可以通过数据显示通道（display data channel，ddc）501和hdmi switch 20扩展芯片进行消息的交互，hdmi switch扩展芯片20和主芯片10通过ddc通道601进行消息的交互。ddc 通道是hdmi接收端和发送端的消息交互的通道，发送端通过ddc通道读取保存在接收端eeprom芯片中的edid数据，获取接收端的基本参数，如可支持的分辨率、3d、4k2k、音频等相关数据。发送端根据得到的信息选择能够被接收端识别的最佳输出格式传输音视频数据。
56.其中，扩展生成的3个hdmi 端口中的每个hdmi端口可以通过最小化传输差分信号(time minimized differential signal，tmds)通道502和hdmi switch 20扩展芯片进行数据包的传输，hdmi switch扩展芯片20和主芯片10通过tmds通道602进行数据包的传输。
57.其中，扩展生成的3个hdmi端口中的每个hdmi端口可以通过热插拔（hot plug detect，hpd）通道503接收主芯片10对每个hdmi 端口热插拔状态的调整，每个hpd通道503可以和主芯片10上的第三引脚103连接。hdmi端口具有热插拔功能，是为了实现hdmi端口的热插拔设计的。当发送端接入接收端时，接收端会回应hpd信号给发送端，进而发送端会启动ddc通道，从而读取接收端的edid数据，随后进行高带宽数字内容保护技术（high
ꢀ‑
bandwidth digital content protection，hdcp）的交互。如果发送端和接收端认证成功，则正常工作。
58.上述描述中，接收端可以是智能电视、电脑等终端设备，发送端可以是支持atmos功能的功率放大器、dvd、vcd等外接设备。
59.本技术实施例中，每个hdmi端口的ddc通道上可以外挂一个edid芯片，每个edid芯片的一端连接主芯片10的第一引脚101，该第一引脚101使得每个edid芯片可以根据主芯片的指示更新edid芯片的地址。每个edid芯片另一端可以连接对应的隔离电路，在隔离电路联通的情况下，每个edid芯片可以串联至i2c总线40上，i2c总线40连接至主芯片10的第二引脚102。该第二引脚102使得每个edid芯片可以根据主芯片的指示更新edid芯片中的数据。其中，主芯片10对应图1c中的主控单元，hdmi switch扩展芯片20对应图1c中的扩展单元；edid芯片对应图1c中的edid存储单元；隔离电路对应图1c中的隔离单元。
60.本技术实施例中，扩展生成的3个hdmi端口可以只有一个hdmi端口具有音频回传通道（audio return channel，arc）功能，也可以多个hdmi端口或者全部的hdmi端口具有arc功能。具有arc功能的hdmi端口和不具有arc功能的hdmi端口的区别为：具有arc功能的hdmi端口有一条arc声音传输连接到主芯片。
61.杜比全景声dolby atmos是全新影院音频平台，它能够结合影片内容，呈现出动态的声音效果，更真实的营造出由远及近的音效。杜比全景声推出了动态对象和播放声道的崭新混音和声音定向方式，令观众全方位的被声音包围，确保在任何环境和不同的扬声器配置下，尽可能播放最接近原创者设想的效果。
62.连接支持杜比全景声atmos能力的外接设备的端口可以是具有arc功能的hdmi端口，下面说明主芯片如何检测接入的外接设备支持杜比全景声atmos：首先检测是否有外接设备插入，比如dvd，支持atmos能力的功率放大器等等，检测是否有外接设备的插入的方法
是通过主芯片的一个电压引脚，比如插入外接设备的时候，会有一个5v的电压给主芯片识别，外接设备在读取edid地址后，会提供一个物理地址到主芯片，并匹配逻辑地址。主芯片可以发送一个指令去判断外接设备是否支持arc功能，若支持，则外接设备反馈一个on/off的答复(反馈off说明设备支持此功能，但是关闭)，则连接外接设备的hdmi端口作为功率放大器的输出口，如不支持，则设备反馈一个feature not support答复，则该hdmi端口作为正常hdmi通道。
63.图2示例性示出了本技术实施例适用的一种edid数据改写的方法的流程示意图，如图2所示，包括：步骤201，确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos能力，其中，n为大于1的整数，显示设备的hdmi switch模块连接n个edid芯片，n个edid芯片中的每个edid芯片与主芯片通过ddc通道连接，n个hdmi端口与n个edid芯片一一对应；步骤202，通过主芯片的第一引脚与n个edid芯片连接，更新n个edid芯片中每个edid芯片的地址，其中，更新后的n个edid芯片中的任两个edid芯片的地址不同；步骤203，通过主芯片的第二引脚与n个edid芯片连接，向n个edid芯片中增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。
64.本技术实施例中，当终端设备确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos能力，其中，n为大于1的整数，显示设备的hdmi switch模块连接n个edid芯片，n个edid芯片中的每个edid芯片与主芯片通过ddc通道连接，n个hdmi端口与n个edid芯片一一对应；首先可以通过主芯片的第一引脚与n个edid芯片连接，更新n个edid芯片中每个edid芯片的地址，其中，更新后的n个edid芯片中的任两个edid芯片的地址不同；可以通过主芯片的第二引脚与n个edid芯片连接，向n个edid芯片中增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。如此，在确定外接设备支持杜比全景声atmos能力时，可以改写edid数据。
65.本技术实施例中，步骤201至步骤203可以是由支持杜比全景声atmos能力的终端设备来执行，终端设备可以是智能电视、笔记本电脑、台式电脑等等。可选的，显示设备可以是终端设备中的一个组成部分。步骤201中，连接支持杜比全景声atmos能力的外接设备的那个hdmi端口是具有arc功能的hdmi端口。
66.本技术实施例中，若主芯片支持通过扩展生成的3个hdmi端口中的每个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos功能，且每个hdmi 端口的ddc通道的外挂的edid芯片上存储有表示该atmos功能的数据块，则可以通过主芯片的第三引脚连接的hpd通道向hdmi端口发送高电平，外接设备接收到高电平后，可以通过ddc通道读取对应的edid芯片中的数据块，确定该edid芯片中存储有表示该atmos功能的数据块，则可以通过tmds通道经过hdmi switch 扩展芯片和主芯片完成数据的交互。
67.步骤201中，当支持杜比全景声atmos的外接设备被插入显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口时，终端设备可以检测到该外接设备，通过ddc通道向外接设备发送一个信息上报指令，该信息上报指令用于使得该外接设备向终端设备上报参数。外接设备通过ddc通道向主芯片上报参数。主芯片确定该外接设备支持杜比全景声atmos能力。或者，主芯片可以发送一个指令去判断外接设备是否支持atmos能力，若支持，则外接设备反馈给主芯
片一个特定的响应，该响应表示外接设备支持atmos能力。
68.可选的，在外接设备被插入显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口之后，主芯片确定该外接设备支持杜比全景声atmos能力之前，外接设备可以通过hpd通道接收到主芯片发送的高电平，外接设备初步确定可以向主芯片进行数据交互，外接设备通过ddc通道读取对应的edid芯片中的数据块，确定对应的edid芯片中没有存储atmos所支持的音频格式信息的数据块，则外接设备和主芯片不进行数据交互。此时，每个hdmi端口外挂的edid芯片是并联的。
69.在终端设备的主芯片确定外接设备支持杜比全景声atmos能力，需要在n个edid芯片中增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。一种可选的实施方式中，可以通过主芯片的第三引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路输入第一预设电平，其中，第一预设电平用于导通n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路。
70.具体地，n个edid芯片与n个隔离电路一一对应，如图1所示，3个外挂的edid芯片和3个隔离电路一一对应。针对n个edid芯片中的每个edid芯片， edid芯片对应的隔离电路的第一端与edid芯片连接， edid芯片对应的隔离电路的第二端与主芯片的第二引脚连接， edid芯片对应的隔离电路第三端与主芯片的第三引脚连接。
71.终端设备的主芯片确定外接设备支持杜比全景声atmos能力后，可以通过第三引脚连接的hpd通道向每个hdmi端口发送低电平（即上述的第一预设电平），插入hdmi 端口的外接设备接收到低电平后，确定不和主芯片进行数据交互。同时，n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路接收到低电平，隔离电路被导通，每个edid芯片通过对应的隔离电路和i2c总线串联连接，即n个edid芯片中的每个edid芯片与第二引脚通过i2c总线串联连接。
72.下面介绍隔离电路的一种可能的电路结构图，图3示例性示出了本技术实施例适用的一种隔离电路的示意图，如图3所示，包括驱动模块和通信模块。该驱动模块是由电源、三极管5和4个电阻（r5、r6、r7和r8）组成，405端即与主芯片的第三引脚连接的第三端，也就是隔离电路连接hpd通道且接收到主芯片发送的低电平的端口。电阻r6用于限流，电阻r7和电阻r8用于分压，在405端口接收到高电平时，三极管5的2、3极之间导通，电源通过r7之后接地。在405端口接收到低电平，三极管5的2、3极之间不导通，电源向通信模块电路输入电流，导通隔离电路。该通信模块是由双向数据线sda和时钟线scl构成。其中，双向数据线是由402端、404端、三极管3和三极管4组成的，用来传输数据。时钟线是由401端、403端、三极管1和三极管2组成的。401端和402端组成了与edid芯片连接的该edid芯片对应的隔离电路的第一端，403端和404端组成了与i2c总线（即第二引脚）连接的第二端。
73.本技术实施例中，需要在n个edid芯片中增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块，可以通过主芯片的第三引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路输入低电平，导通隔离电路，为随后可以通过双向数据线向edid芯片中增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块做准备。且，在增加或者删除edid芯片中存储的atmos所支持的音频格式信息的数据块后，可以通过主芯片的第三引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路输入高电平，不导通隔离电路，确保每隔edid芯片的ddc通道的独立，不会相互干扰。
74.可选的，双向数据线sda和时钟线scl可以分别使用两个不同方向的npn管并联，确
保i2c数据的双向通信，同时三极管的容抗较小，对信号质量影响较小，且成本交信号mos管低廉。
75.终端设备的主芯片确定外接设备支持杜比全景声atmos能力后，终端设备可以通过主芯片的第一引脚与n个edid芯片连接，更新n个edid芯片中每个edid芯片的地址。一种可选的实施方式中，n个edid芯片中的每个edid芯片通过edid芯片对应的地址改写电路与第一引脚连接；n个地址改写电路中的每个地址改写电路一端与第一引脚连接，另一端与地址改写电路对应的edid芯片的预设地址引脚连接；其中，n个edid芯片中的每个edid芯片设置一个预设地址引脚，n个edid芯片中任两个edid芯片的预设地址引脚对应的两个地址不同。
76.在edid芯片不需要修改数据块的时候，每个芯片的地址按照hdmi规范中的规定可以是一致的，比如0xa0，但要实现同一路i2c总线上多个edid芯片中的数据块的改写，则每个edid芯片的地址必须不一致，以便使得主芯片可以区别出不同的edid芯片。可选的，edid芯片可以是存储edid数据的eeprom芯片，也可以是其它存储芯片。若edid芯片可以是存储edid数据的eeprom芯片，则eeprom芯片有a0、a1和a2三根地址线，eeprom的地址组成表格见表格1。表格的前四位为二进制数1010，转换为十六进制数为a，可变的地址位为a2，a1、a0和最后的读写位，不需要修改时，a0、a1和a2三根地址线全部接地。
77.eeprom芯片的地址组成表格1010a2a1a0r/w下面介绍一种可能的地址改写电路模块，图4示例性示出了本技术实施例适用的一种地址改写电路模块的示意图，如图4所示，该地址改写电路模块包括3个edid芯片和edid芯片对应的改写电路。n个edid芯片中的每个edid芯片通过地址改写电路与第一引脚串联连接，每个edid芯片的引脚1、引脚2和引脚3为地址引脚。引脚4接地，引脚5和引脚6分别连接隔离电路的双向数据线和时钟线，引脚7接地，表示该芯片可以被读写，引脚8连接电源。
78.一种可选的更新n个edid芯片中每个edid芯片的地址的实施方式中，在通过主芯片的第一引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的地址改写电路输入第三预设电平，其中，第三预设电平用于使n个edid芯片中的每个edid芯片的预设地址引脚处于非接地状态。
79.本技术实施例中，通过主芯片的第一引脚向图4中的101端输入低电平，三极管的2、3极之间不能导通，则电压源分别给edid芯片1的引脚1、edid芯片2的引脚2和、edid芯片3的引脚3设置高电平（即输入edid芯片的预设地址位）。由于edid芯片其它的地址位接地，则edid芯片1的地址位为0010，二进制0010转化为十进制为2，同理，则edid芯片2的地址位为0100，二进制0100转化为十进制为4，则edid芯片3的地址位为1000，二进制1000转化为十进制为8。因此，edid芯片1的地址由0xa0更新为0xa2，edid芯片1的地址由0xa0更新为0xa4，edid芯片1的地址由0xa0更新为0xa8。
80.可选的，修改每个edid芯片的地址的方法不限定于上述举例的图4，可选的，还可以通过n个电压源和每个edid芯片的不同引脚连接，实现n个edid芯片地址的改写。
81.终端设备更新n个edid芯片中每个edid芯片的地址，且每个edid芯片对应的隔离电路被导通之后，一种可选的实施方式中，可以通过主芯片的第二引脚连接的n个隔离电路
向n个edid芯片中的每个edid芯片增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。主芯片的第二引脚通过每个edid芯片对应的隔离电路的时钟线和双向数据线连接图5所示的401端和402端。其中，401端连接的是时钟线，402端连接的是双向数据线。
82.图4中的电阻r10 和电阻r11为上拉电阻，该上拉电阻是为了配合主芯片上的第二引脚输入的高低电平，以增加每个edid芯片存储atmos所支持的音频格式信息的数据块的。第一种方法中，上拉电阻是始终接入该地址改写电路模块中，通过主芯片是否额外地接入下拉电阻使得输入引脚5和引脚6的电平呈现高低电平的情况。第二种方法中，，上拉电阻并不是始终接入该地改写电路模块中的，而是交替性地接入或者不接入该地址改写电路模块中，使得输入引脚5和引脚6的电平呈现高低电平的情况。
83.向n个edid芯片中增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块之后，一种可选的实施方式中，通过第三引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路输入第二预设电平（即高电平），其中，第二预设电平用于断开n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路。通过第一引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的地址改写电路输入第四预设电平(高电平)，其中，第四预设电平用于使n个edid芯片中的每个edid芯片的预设地址引脚处于接地状态。
84.若确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备被拔下，则可以根据上述介绍的实施方式删除每个edid芯片中存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。具体地，通过主芯片的第三引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路输入低电平，隔离电路被导通，通过主芯片的第一引脚输入低电平以修改n个edid芯片中的每个edid芯片的地址，通过主芯片的第二引脚连接的i2c总线经过隔离电路删除各个edid芯片中存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。通过第三引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路输入高电平，断开隔离电路。通过第一引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的地址改写电路输入高电平，用于使n个edid芯片中的每个edid芯片的预设地址引脚处于接地状态。
85.下面介绍一个应用场景，如5示出了本技术实施例提供的一种应用场景示意图，包括智能电视501，和位于智能电视5011的屏幕5012、主芯片5013和3个hdmi端口：第一hdmi端口d1 5014，第二hdmi端口d2 5015和第三hdmi端口d3 5016。其中，第一hdmi端口d1 5014是具有arc功能的，第二hdmi端口d2 5015和第三hdmi端口d3 5016可以具有arc功能，也可以不具有arc功能。第二hdmi端口d2 5015连接提供音频资源或者音频资源的dvd，将信号输入至主芯片5012，主芯片5012将图像输出至屏幕5012，若主芯片5013通过第一hdmi端口d1 5014检测到连接的是支持杜比全景声的功放5017，则可以通过第二hdmi端口d2 5015向dvd5018发送指令，要求dvd5018发送至主芯片5013的音频资源是和支持杜比全景声的功放匹配的音频资源。随后主芯片5013将音频资源发送至功放5017进行播放。
86.基于以上实施例及相同构思，图6示出了本技术实施例提供的一种edid数据改写的装置的结构示意图，如图6所示，edid数据改写的装置500可以包括确定单元6011、第一控制单元6012和第二控制单元6013。
87.本技术实施例中提供一种edid数据改写的装置，该装置中确定单元，用于确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos能力，其中，n为大于1的整数，显示设备的hdmi switch模块连接n个edid芯片，n个edid芯片中的每
个edid芯片与主芯片通过ddc通道连接，n个hdmi端口与n个edid芯片一一对应；第一控制单元，用于在确定单元确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos能力的情况下，通过主芯片的第一引脚与n个edid芯片连接，更新n个edid芯片中每个edid芯片的地址，其中，更新后的n个edid芯片中的任两个edid芯片的地址不同；第二控制单元，用于在确定单元确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos能力的情况下，通过主芯片的第二引脚与n个edid芯片连接，向n个edid芯片中增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。
88.本技术实施例中，当确定显示设备的n个hdmi端口中的一个hdmi端口连接的外接设备支持杜比全景声atmos能力，其中，n为大于1的整数，显示设备的hdmi switch模块连接n个edid芯片，n个edid芯片中的每个edid芯片与主芯片通过ddc通道连接，n个hdmi端口与n个edid芯片一一对应；首先可以通过主芯片的第一引脚与n个edid芯片连接，更新n个edid芯片中每个edid芯片的地址，其中，更新后的n个edid芯片中的任两个edid芯片的地址不同；可以通过主芯片的第二引脚与n个edid芯片连接，向n个edid芯片中增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。如此，在确定外接设备支持杜比全景声atmos能力时，可以改写edid数据。
89.一种可选的实施方式中，n个edid芯片中的每个edid芯片与第一引脚串联连接；和/或；n个edid芯片中的每个edid芯片与第二引脚通过i2c总线串联连接。
90.一种可选的实施方式中，还包括与n个edid芯片一一对应的n个隔离电路，针对n个edid芯片中的每个edid芯片，edid芯片对应的隔离电路的第一端与edid芯片连接，edid芯片对应的隔离电路的第二端与第二引脚连接，edid芯片对应的隔离电路第三端与主芯片的第三引脚连接；第二控制单元，用于：通过主芯片的第三引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路输入第一预设电平，其中，第一预设电平用于导通n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路；通过主芯片的第二引脚连接的n个隔离电路向n个edid芯片中的每个edid芯片增加用于存储atmos所支持的音频格式信息的数据块。
91.一种可选的实施方式中，第二控制单元，还用于：通过第三引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路输入第二预设电平，其中，第二预设电平用于断开n个edid芯片中的每个edid芯片对应的隔离电路。
92.一种可选的实施方式中，还包括与n个edid芯片一一对应的n个地址改写电路，n个edid芯片中的每个edid芯片通过edid芯片对应的地址改写电路与第一引脚连接；n个地址改写电路中的每个地址改写电路一端与第一引脚连接，另一端与地址改写电路对应的edid芯片的预设地址引脚连接；其中，n个edid芯片中的每个edid芯片设置一个预设地址引脚，n个edid芯片中任两个edid芯片的预设地址引脚对应的两个地址不同；第一控制单元，用于：通过主芯片的第一引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的地址改写电路输入第三预设电平，其中，第三预设电平用于使n个edid芯片中的每个edid芯片的预设地址引脚处于非接地状态。
93.一种可选的实施方式中，第一控制单元，还用于：通过第一引脚向n个edid芯片中的每个edid芯片对应的地址改写电路输入第四预设电平，其中，第四预设电平用于使n个edid芯片中的每个edid芯片的预设地址引脚处于接地状态。
94.本技术实施例提供的edid数据改写装置具体阐述可参考上述实施例提供的edid
数据改写方法，在这里不再赘述。
95.需要说明的是，本技术实施例中对单元的划分是示意性的，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。在本技术实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
96.在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现、当使用软件程序实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。计算机程序产品包括一个或多个指令。在计算机上加载和执行计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本技术实施例的流程或功能。计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。指令可以存储在计算机存储介质中，或者从一个计算机存储介质向另一个计算机存储介质传输，例如，指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线（例如同轴电缆、光纤、数字用户线（dsl））或无线（例如红外、无线、微波等）方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。计算机存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。可用介质可以是磁性介质，（例如，软盘、硬盘、磁带、磁光盘（mo）等）、光介质（例如，cd、dvd、bd、hvd等）、或者半导体介质（例如rom、eprom、eeprom、非易失性存储器（nand flash）、固态硬盘（solid state disk，ssd））等。
97.本领域内的技术人员应明白，本技术实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本技术实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本技术实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质（包括但不限于磁盘存储器、cd-rom、光学存储器等）上实施的计算机程序产品的形式。
98.本技术实施例是参照根据本技术实施例的方法、设备（系统）、和计算机程序产品的流程图和／或方框图来描述的。应理解可由指令实现流程图和／或方框图中的每一流程和／或方框、以及流程图和／或方框图中的流程和／或方框的结合。可提供这些指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
99.这些指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
100.这些指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
101.显然，本领域的技术人员可以对本技术实施例进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术实施例的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等
同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。