显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求2020年7月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0093031号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开的一个或多个实施例涉及一种包括薄膜封装层的显示装置。


背景技术：

4.随着信息社会的发展，对于以各种形式显示图像的显示装置的需求已经增长。显示装置已经从笨重的阴极射线管(crt)快速改变为纤薄、轻重量且大尺寸的平板显示器(fpd)。fpd的示例包括液晶显示器(lcd)、等离子显示面板(pdp)、有机发光显示器(oled)和电泳显示器(epd)。
5.显示装置可以包括位于允许图像被显示的显示元件层上的薄膜封装层，并且薄膜封装层可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。


技术实现要素：

6.一个或多个实施例包括一种具有提高的可靠性的显示装置。
7.实施例的附加方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地从该描述显而易见，或者可以通过本公开所呈现的实施例的实践而习知。
8.根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：基板；位于基板上的显示元件；位于显示元件上的薄膜封装层，薄膜封装层包括至少一个无机层和至少一个有机层；以及位于薄膜封装层之下的下层，下层包括平行于基板的上表面的第一表面和在与基板的上表面交叉的方向上延伸的第二表面，其中至少一个无机层在下层的第一表面上具有第一厚度，并且在下层的第二表面上具有第二厚度，第一厚度大于或等于第二厚度，并且第二厚度与第一厚度的比率是大约0.51或更大。
9.在实施例中，第二厚度与第一厚度的比率可以是大约0.76或更大。
10.在实施例中，下层的第一表面和第二表面之间的角度可以是大约42
°
或更大。
11.在实施例中，至少一个无机层可以包括si
x
oynz，至少一个无机层(si
x
oynz)中氧与硅的组分比(y/x)可以大于大约0.5，并且至少一个无机层(si
x
oynz)中氮与硅的组分比(z/x)可以小于或等于大约0.5。
12.在实施例中，薄膜封装层可以包括顺序地堆叠的第一无机层、有机层和第二无机层，第一无机层可以沿着下层的第一表面和第二表面而设置，并且第二无机层的厚度可以小于第一无机层的厚度。
13.在实施例中，第二无机层的水蒸气透过率(wvtr)可以小于第一无机层的wvtr。
14.在实施例中，第一无机层可以包括氮氧化硅(sion)，并且第二无机层可以包括氮化硅(sin
x
，x》0)。
15.在实施例中，显示元件可以包括像素电极，下层可以包括覆盖像素电极的边缘并且具有暴露像素电极的中心部分的开口的像素限定层，并且下层的第二表面可以限定开口的内表面。
16.在实施例中，显示元件可以包括像素电极，显示装置可以进一步包括覆盖像素电极的边缘并且具有暴露像素电极的中心部分的开口的像素限定层，并且下层可以位于像素限定层之上。
17.在实施例中，显示元件可以包括像素电极，显示装置可以进一步包括覆盖像素电极的边缘并且具有暴露像素电极的中心部分的开口的像素限定层以及位于像素限定层之上的间隔件，并且下层可以位于间隔件之上。
18.根据一个或多个实施例，一种显示装置包括：基板；位于基板上的显示元件；位于显示元件上的薄膜封装层，薄膜封装层包括顺序地堆叠的第一无机层、有机层和第二无机层；以及位于第一无机层之下的下层，下层包括平行于基板的上表面的第一表面和在与基板的上表面交叉的方向上延伸的第二表面，其中第一无机层在下层的第一表面上具有第一厚度，并且在下层的第二表面上具有第二厚度，第一厚度大于或等于第二无机层的厚度，并且第二厚度与第一厚度的比率是大约0.51或更大。
19.在实施例中，第二厚度与第一厚度的比率可以是大约0.76或更大。
20.在实施例中，下层的第一表面和第二表面之间的角度可以是大约42
°
或更大。
21.在实施例中，第一无机层可以包括si
x
oynz，第一无机层(si
x
oynz)中氧与硅的组分比(y/x)可以大于大约0.5，并且第一无机层(si
x
oynz)中氮与硅的组分比(z/x)可以小于或等于大约0.5。
22.在实施例中，第二无机层的水蒸气透过率(wvtr)可以小于第一无机层的wvtr。
23.在实施例中，第二无机层的折射率可以大于第一无机层的折射率。
24.在实施例中，显示元件可以包括像素电极，下层可以包括覆盖像素电极的边缘并具有暴露像素电极的中心部分的开口的像素限定层，并且下层的第二表面可以限定开口的内表面。
25.在实施例中，显示元件可以包括像素电极，显示装置可以进一步包括覆盖像素电极的边缘并且具有暴露像素电极的中心部分的开口的像素限定层，并且下层可以位于像素限定层之上。
26.在实施例中，显示元件可以包括像素电极，显示装置可以进一步包括覆盖像素电极的边缘并且具有暴露像素电极的中心部分的开口的像素限定层以及位于像素限定层之上的间隔件，并且下层可以位于间隔件之上。
附图说明
27.本公开某些实施例的以上和其他方面和特征将从以下结合附图的描述更加显而易见，附图中：
28.图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
29.图2是根据实施例的显示装置的示意性截面图；
30.图3a是根据实施例的显示装置的一部分的示意性截面图；
31.图3b是根据实施例的显示装置的一部分的示意性截面图；
另一层、区域或元件时，其可以直接地或间接地连接或耦接(联接)至另一层、区域或元件。例如，可以存在居间层、区域或元件。在以下实施例中，应该理解，当层、区域或元件被称作“电连接至”或“电耦接(联接)至”另一层、区域或元件时，其可以直接地或间接地电连接或耦接(联接)至另一层、区域或元件。例如，可以存在居间层、区域或元件。
52.显示装置显示图像并且可以包括游戏机、多媒体装置或诸如超小型个人计算机(pc)的便携式移动装置。显示装置可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射体显示器、量子点显示器、等离子显示器和/或阴极射线显示器等。下文中，有机发光显示装置被描述为根据实施例的显示装置的示例，但是上述各种其他类型的显示装置可以用在实施例中。
53.图1是根据实施例的显示装置1的示意性平面图。图2是根据实施例的显示装置的示意性截面图。
54.参考图1，显示装置1可以包括其中显示图像的显示区域da以及其中不实现图像的非显示区域nda。显示装置1可以通过使用从显示区域da中的多个像素px发射的光而提供图像。在实施例中，像素px中的每一个可以通过使用例如有机发光二极管的显示元件而发光。在实施例中，像素px中的每一个可以发射红光、绿光或蓝光。在实施例中，像素px中的每一个可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
55.参考图2，显示装置可以包括基板100、像素电路层pcl、显示元件层del和薄膜封装层tfe。
56.基板100可以包括玻璃和/或诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和/或醋酸丙酸纤维素的聚合物树脂。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的和/或可弯曲的。基板100可以具有包括包含上述聚合物树脂的基底层和阻挡层的多层结构。
57.像素电路层pcl可以位于基板100上。显示元件层del可以包括例如有机发光二极管的显示元件。像素电路层pcl可以包括绝缘层和耦接至有机发光二极管的像素电路。像素电路层pcl可以包括多个薄膜晶体管、存储电容器以及其间的绝缘层。
58.阻挡层可以进一步包括在像素电路层pcl和基板100之间。阻挡层防止或减少外部异物的渗透，并且可以包括包含诸如氮化硅(sin
x
)和/或氧化硅(sio
x
)的无机材料的单层或多层。
59.薄膜封装层tfe可以位于显示元件层del上。薄膜封装层tfe可以位于显示元件上并覆盖显示元件。薄膜封装层tfe可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。至少一个无机层可以包括选自氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化锌(zno)、氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)和氮氧化硅(sion)的至少一种无机材料。至少一个有机层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。在实施例中，至少一个有机层可以包括丙烯酸酯。
60.在实施例中，薄膜封装层tfe可以包括顺序地堆叠的第一无机层310、有机层320和第二无机层330。在实施例中，第一无机层310和第二无机层330中的至少一个的透光率可以是大约90％或更大。在实施例中，第一无机层310可以包括氮氧化硅(sion)。第二无机层330可以包括氮化硅(sin
x
，x》0)。这可以用于提高显示装置1的可靠性。
61.图3a是根据实施例的显示装置的一部分的示意性截面图。在图3a中，与图2中的那
些相同的附图标记指相同的构件，并且在此将不重复其冗余描述。
62.参考图3a，显示装置可以包括基板、显示元件、薄膜封装层和下层ll。薄膜封装层可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在实施例中，薄膜封装层可以包括第一无机层310、有机层320和第二无机层。
63.下层ll可以位于薄膜封装层之下。例如，下层ll可以位于第一无机层310之下。在这种情况下，第一无机层310可以沿着下层ll的形状而设置。在实施例中，下层ll可以包括以下将描述的显示元件层的像素限定层。在实施例中，下层ll可以包括以下将进一步描述的显示元件层的间隔件。在实施例中，下层ll可以包括位于以下将进一步描述的显示元件层的间隔件上的图案层。下层ll可以包括第一下层ll1和第二下层ll2。
64.第一下层ll1可以包括平坦的上表面llus。在这种情况下，第一下层ll1的上表面llus可以平行于(例如基本平行于)基板的上表面。第二下层ll2可以位于第一下层ll1上。在实施例中，第二下层ll2可以与第一下层ll1一体形成。在这种情况下，第二下层ll2可以从第一下层ll1突出。在另一实施例中，第二下层ll2可以是与第一下层ll1不同的层。在这种情况下，第二下层ll2可以包括与第一下层ll1的材料不同的材料。
65.第二下层ll2可以包括第一表面s1和第二表面s2。第二下层ll2的第一表面s1可以平行于(例如基本平行于)基板的上表面。在实施例中，第二下层ll2的第一表面s1可以平行于(例如基本平行于)第一下层ll1的上表面llus。例如，第二下层ll2的第一表面s1可以在x方向上延伸。在一些实施例中，第二下层ll2的第一表面s1可以与第二下层ll2的第二表面s2交汇，并且与第二下层ll2的第二表面s2交叉(例如相交)。以下描述将聚焦于其中第二下层ll2的第一表面s1平行于(例如基本平行于)基板的上表面的情况，但是本公开不限于此。
66.在实施例中，第二下层ll2可以包括倾斜的第二表面s2。第二下层ll2的第二表面s2可以在与基板的上表面交叉(例如相交)的方向上延伸。例如，第二下层ll2的第二表面s2可以在与第二下层ll2的第一表面s1交叉(例如相交)的方向上延伸。例如，第二下层ll2的第二表面s2可以在与x方向交叉(例如相交)的方向上延伸。
67.第二下层ll2的第二表面s2可以具有锥形长度l。锥形长度l可以定义为从第二下层ll2的第二表面s2与第一下层ll1的上表面llus交汇的点至第二下层ll2的第二表面s2与第二下层ll2的第一表面s1交汇的点之间的距离。
68.第二下层ll2的第一表面s1和第二表面s2可以在它们之间形成角度a。在实施例中，第二下层ll2的第一表面s1和第二表面s2之间的角度a可以是锐角。在另一实施例中，第二下层ll2的第一表面s1和第二表面s2之间的角度a可以是直角。在另一实施例中，第二下层ll2的第一表面s1和第二表面s2之间的角度a可以是钝角。因为第二下层ll2的第一表面s1在平行于(例如基本平行于)基板的上表面的方向上延伸，所以角度a可以定义为第二下层ll2的第二表面s2与基板的上表面之间的角度。在一些实施例中，角度a可以定义为第一下层ll1的上表面llus与第二下层ll2的第二表面s2之间的角度。图3a图示出其中角度a是锐角的情况。
69.第一无机层310可以覆盖第一下层ll1和第二下层ll2。此外，有机层320可以位于第一无机层310上。第一无机层310可以位于第一下层ll1的上表面llus和第二下层ll2的第一表面s1上。在一些实施例中，第一下层ll1上的第一无机层310和第二下层ll2上的第一无机层310可以彼此联接。在这种情况下，第一下层ll1上的第一无机层310和第二下层ll2上
的第一无机层310可以彼此一体形成。
70.第一无机层310可以在第二下层ll2的第一表面s1上具有第一厚度d1。第一厚度d1可以定义为第一无机层310在垂直于(例如基本垂直于)第二下层ll2的第一表面s1的方向上的长度。在一些实施例中，第一厚度d1可以定义为第一无机层310在垂直于(例如基本垂直于)基板的上表面的方向上的长度。
71.第一无机层310可以位于第二下层ll2的第二表面s2上。在实施例中，因为第一无机层310通过化学气相沉积(cvd)形成，所以第一无机层310也可以形成在第二下层ll2的在与第二下层ll2的第一表面s1交叉(例如相交)的方向上延伸的第二表面s2上。
72.第一无机层310在第二下层ll2的第二表面s2上的厚度可以随着到第一下层ll1的距离减小而减小。第一无机层310可以通过cvd形成。在这种情况下，形成第一无机层310的气体的量可能随着到第一下层ll1的距离减小而不合适或不充足。例如，形成第一无机层310的气体可能无法合适地或充分地供给以在第一下层ll1的上表面llus与第二下层ll2的第二表面s2交汇的点处形成第一厚度d1。因此，第一无机层310在第二下层ll2的第二表面s2上的厚度可以随着到第一下层ll1的距离减小而减小。
73.第一无机层310可以在第二下层ll2的第二表面s2上具有第二厚度d2。第二厚度d2可以定义为第一无机层310在垂直于(例如基本垂直于)第二下层ll2的第二表面s2的方向上的长度。在一些实施例中，第二厚度d2可以定义为第一无机层310在第二下层ll2的第二表面s2上的厚度的平均值。例如，第二厚度d2可以是第一无机层310在第二下层ll2的第二表面s2上的厚度当中的最小值以及第一无机层310在第二表面s2上的厚度当中的最大值sdmax的中值。最大值sdmax可以定义为第一无机层310在第二下层ll2的第一表面s1和第二表面s2交汇的点处在垂直于(例如基本垂直于)第二下层ll2的第二表面s2的方向上的厚度。
74.在实施例中，第一厚度d1可以大于或等于第二厚度d2。当第一无机层310通过cvd形成时，与第二下层ll2的第二表面s2相比，形成第一无机层310的气体可以更合适地或更充分地供给到第二下层ll2的第一表面s1。因此，第一厚度d1可以大于或等于第二厚度d2。在另一实施例中，第一厚度d1可以大于第二厚度d2。当第一无机层310通过物理气相沉积形成时，第一厚度d1可以大于第二厚度d2。例如，第一无机层310可以通过溅射或蒸发形成。在另一实施例中，当第一无机层310通过原子层沉积形成时，第一厚度d1可以大于、小于或等于第二厚度d2。以下描述将聚焦于其中第一无机层310通过cvd形成的情况，但是本公开不限于此。
75.第一无机层310在第一下层ll1的上表面llus上可以具有第三厚度d3。在实施例中，第三厚度d3可以随着到第二下层ll2的距离减小而减小。第一无机层310可以通过cvd形成。在这种情况下，第一无机层310也可以形成在第二下层ll2的第二表面s2上。因此，形成第一无机层310的气体的量可以随着到第二下层ll2的距离减小而减小，并且第三厚度d3可以随着到第二下层ll2的距离减小而减小。
76.第二厚度d2与第一厚度d1的比率可以是大约0.51或更大。在该说明书中，第二厚度d2与第一厚度d1的比率可以定义为台阶覆盖率。当第二厚度d2与第一厚度d1的比率小于0.51时，第一无机层310可能无法合适地或充分地覆盖下层ll。例如，在第二下层ll2的第二表面s2与第一下层ll1的上表面llus交汇的点处，可能相对较薄地形成或者可能没有形成
第一无机层310。在这种情况下，可能在第一无机层310中提供诸如针孔的缺陷，并且氧气和/或湿气等可能通过第一无机层310的缺陷而传输至有机发光二极管。因此，可能在显示区域中出现暗斑。当第二厚度d2与第一厚度d1的比率是0.51或更大时，第一无机层310可以合适地或充分地覆盖下层ll，从而提高显示装置的可靠性。在一些实施例中，第二厚度d2与第一厚度d1的比率可以是大约0.76或更大。
77.锥形长度l可以大于大约0μm并且小于大约3.6μm。当锥形长度l是0μm时，并未限定第二下层ll2。当锥形长度l是3.6μm或更大时，第一无机层310可能无法合适地或充分地覆盖第二下层ll2的第二表面s2，并且可能形成诸如针孔的缺陷。
78.图3b是根据实施例的显示装置的一部分的示意性截面图。在图3b中，与图3a中的那些相同的附图标记指相同的构件，并且在此将不重复其冗余描述。
79.参考图3b，显示装置可以包括基板、显示元件、薄膜封装层和下层ll。薄膜封装层可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在实施例中，薄膜封装层可以包括第一无机层310、有机层320和第二无机层。
80.第二下层ll2可以包括第一表面s1和第二表面s2，并且第二下层ll2的第一表面s1和第二表面s2可以在它们之间形成角度a。在这种情况下，第一表面s1和第二表面s2之间的角度a可以是直角或钝角。
81.第一无机层310可以覆盖第一下层ll1和第二下层ll2。此外，有机层320可以位于第一无机层310上。
82.第一无机层310可以在第二下层ll2的第一表面s1上具有第一厚度d1。此外，第一无机层310可以位于第二下层ll2的第二表面s2上。第一无机层310可以在第二下层ll2的第二表面s2上具有第二厚度d2。第二厚度d2可以定义为第一无机层310在垂直于(例如基本垂直于)第二下层ll2的第二表面s2的方向上的长度。在一些实施例中，第二厚度d2可以定义为第一无机层310在第二下层ll2的第二表面s2上的厚度的平均值。
83.在实施例中，第一厚度d1可以大于或等于第二厚度d2。在实施例中，第一无机层310可以通过cvd形成。当第二下层ll2的第一表面s1和第二表面s2之间角度a是直角或钝角时，形成第一无机层310的气体可以合适地或充分地供给到第二下层ll2的第二表面s2。在这种情况下，在一些实施例中，第一厚度d1和第二厚度d2可以基本彼此相等。在另一实施例中，第一厚度d1可以大于第二厚度d2。当第一无机层310通过物理气相沉积形成时，第一厚度d1可以大于第二厚度d2。例如，第一无机层310可以通过溅射或蒸发形成。在另一实施例中，当第一无机层310通过原子层沉积形成时，第一厚度d1可以大于、小于或等于第二厚度d2。以下描述将聚焦于其中第一无机层310通过cvd形成的情况，但是本公开不限于此。
84.在实施例中，第三厚度d3可以等于在第二下层ll2的第一表面s1上的第一厚度d1。
85.图3c是根据实施例的显示装置的一部分的示意性截面图。在图3c中，与图3a中的那些相同的附图标记指相同的构件，并且在此将不重复其冗余描述。
86.参考图3c，显示装置可以包括基板、显示元件、薄膜封装层和下层ll。薄膜封装层可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在实施例中，薄膜封装层可以包括第一无机层310、有机层320和第二无机层。
87.下层ll可以位于薄膜封装层之下。例如，下层ll可以位于第一无机层310之下。在这种情况下，第一无机层310可以沿着下层ll的形状而设置。
88.第二下层ll2可以包括弯曲表面cs。例如，第二下层ll2可以具有半圆形形状、半椭圆形形状或弧形形状。在一些实施例中，第二下层ll2的至少一部分可以包括弯曲部分。第二下层ll2的弯曲表面cs可以包括第一表面s1和第二表面s2。第二下层ll2的第一表面s1可以定义为其中第二下层ll2的弯曲表面cs的切线tl在平行于(例如基本平行于)基板的上表面的方向上延伸的区域。在实施例中，第二下层ll2的第一表面s1可以定义为任意一个点。第二下层ll2的第二表面s2可以定义为其中第二下层ll2的弯曲表面cs的切线tl在与基板的上表面交叉(例如相交)的方向上延伸的区域。因此，第二下层ll2的第二表面s2可以是第二下层ll2的除了第二下层ll2的第一表面s1之外的区域。
89.第一无机层310可以覆盖第一下层ll1和第二下层ll2。此外，有机层320可以位于第一无机层310上。
90.第一无机层310可以位于第二下层ll2的弯曲表面cs上。例如，第一无机层310可以在第二下层ll2的第一表面s1上具有第一厚度d1。第一厚度d1可以定义为第一无机层310在与第二下层ll2的第一表面s1正交的方向上的长度。例如，第一厚度d1可以定义为第一无机层310在垂直于(例如基本垂直于)第二下层ll2的弯曲表面cs的切线tl的方向上的长度。
91.第一无机层310可以在第二下层ll2的第二表面s2上具有第二厚度d2。第二厚度d2可以定义为第一无机层310在与第二下层ll2的第二表面s2正交的方向上的长度。例如，第二厚度d2可以定义为第一无机层310在第二下层ll2的第二表面s2上的厚度的平均值。
92.在实施例中，第一厚度d1可以大于或等于第二厚度d2。在一些实施例中，第一厚度d1和第二厚度d2可以基本彼此相等。在另一实施例中，第一厚度d1可以大于第二厚度d2。当第一无机层310通过物理气相沉积形成时，第一厚度d1可以大于第二厚度d2。例如，第一无机层310可以通过溅射和/或蒸发(例如沉积)形成。在另一实施例中，当第一无机层310通过原子层沉积形成时，第一厚度d1可以大于、小于或等于第二厚度d2。以下描述将聚焦于其中第一无机层310通过cvd形成的情况，但是本公开不限于此。此外，在实施例中，第三厚度d3可以等于在第二下层ll2的第一表面s1上的第一厚度d1。
93.以下描述将聚焦于其中第二下层ll2具有多边形形状的情况，如图3a和图3b中所图示的，但是本公开不限于此。
94.图4是示出暗斑缺陷根据角度a和台阶覆盖率sc的图。
95.参考图4，当台阶覆盖率sc是0.51或更小时，暗斑缺陷全部出现。此外，当角度a是42
°
或更小时，暗斑缺陷全部出现。因此，当台阶覆盖率sc是0.51或更大时，暗斑缺陷出现的概率可以大幅减小或显著减小，并且显示装置的可靠性可以提高。
96.此外，当台阶覆盖率sc是0.76或更大时，没有出现暗斑缺陷。此外，当角度a是88
°
或更大时，没有出现暗斑缺陷。因此，当台阶覆盖率sc是0.76或更大时，不出现暗斑缺陷，并且显示装置的可靠性可以提高。
97.图5a是示出无机层的组分比根据台阶覆盖率的图。
98.参考图5a，无机层可以包括si
x
oynz。随着无机层的台阶覆盖率增大，无机层(si
x
oynz)中氧与硅的组分比(y/x)可以增大。例如，当无机层的台阶覆盖率大于0.41时，无机层(si
x
oynz)中氧与硅的组分比(y/x)可以大于大约0。
99.无机层(si
x
oynz)中氧与硅的组分比(y/x)可以大于大约0.5。当无机层(si
x
oynz)中氧与硅的组分比(y/x)大于0.5时，台阶覆盖率可以大于0.51并且显示装置中出现暗斑缺陷
的概率可以大幅减小或显著减小。
100.随着无机层的台阶覆盖率增大，无机层(si
x
oynz)中氮与硅的组分比(z/x)可以减小。
101.无机层(si
x
oynz)中氮与硅的组分比(z/x)可以小于或等于大约0.5。此外，无机层(si
x
oynz)中氮与硅的组分比(z/x)可以大于大约0。当无机层(si
x
oynz)中氮与硅的组分比(z/x)小于或等于0.5时，台阶覆盖率可以大于0.51并且显示装置中出现暗斑缺陷的概率可以大幅减小或显著减小。
102.图5b是无机层的水蒸气透过率(wvtr)根据台阶覆盖率的图。
103.参考图5b，随着无机层的台阶覆盖率增大，无机层的wvtr可以增大。wvtr是指每单位面积和单位时间穿透无机层的水蒸气的量。
104.当无机层包括氮氧化硅(sion)时，台阶覆盖率可以大于0.41，并且wvtr可以大于0.0001g/m2/天。因此，与其中无机层包括氮化硅(sin
x
)的情况相比，当无机层包括氮氧化硅(sion)时，台阶覆盖率可以提高，但是wvtr可以增大。
105.当无机层包括氮化硅(sin
x
)时，台阶覆盖率可以小于0.41，并且wvtr可以小于0.0001g/m2/天。图5b图示出氮化硅(sin
x
)的wvtr是大约0.0001g/m2/天，但是这是由于测量限制，并且氮化硅(sin
x
)的实际wvtr可以小于0.0001g/m2/天。因此，与其中无机层包括氮氧化硅(sion)的情况相比，当无机层包括氮化硅(sin
x
)时，wvtr可以低，但是台阶覆盖率可以减小。
106.图5c是应力和wvtr根据无机层的折射率的图。
107.参考图5c，与其中无机层包括氮化硅(sin
x
)的情况相比，当无机层包括氮氧化硅(sion)时，折射率可以低。当无机层包括氮氧化硅(sion)时，无机层的折射率可以大于或等于1.48并且小于或等于1.77。当无机层包括氮化硅(sin
x
)时，无机层的折射率可以大于或等于1.92并且小于或等于1.97。
108.随着无机层的折射率增大，应力的幅度可以增大。本文所描述的应力表示无机层具有(或经受)的每单位面积的力的幅度，并且包括压应力或张应力。在该说明书中，压应力表示为负数并且张应力表示为正数。当无机层包括氮氧化硅(sion)时应力的幅度可以小于当无机层包括氮化硅(sin
x
)时应力的幅度。如本文所述，应力的幅度意味着应力的绝对值。因此，为了防止或减小扭曲，当无机层包括氮化硅(sin
x
)时无机层的厚度可以小于当无机层包括氮氧化硅(sion)时无机层的厚度。当无机层包括氮氧化硅(sion)时应力的幅度和折射率可以小于当无机层包括氮化硅(sin
x
)时应力的幅度和折射率。
109.随着无机层的折射率增大，wvtr可以减小。例如，当无机层包括氮氧化硅(sion)时wvtr可以大于当无机层包括氮化硅(sin
x
)时的wvtr。因此，与其中无机层包括氮化硅(sin
x
)的情况相比，当无机层包括氮氧化硅(sion)时，折射率可以小，并且wvtr可以高。
110.图5d是示出台阶覆盖率根据折射率的图。
111.参考图5d，随着无机层的折射率增大，无机层的台阶覆盖率可以减小。例如，当无机层包括氮氧化硅(sion)时折射率可以小于当无机层包括氮化硅(sin
x
)时的折射率。此外，当无机层包括氮氧化硅(sion)时台阶覆盖率可以大于当无机层包括氮化硅(sin
x
)时的台阶覆盖率。
112.当无机层包括氮氧化硅(sion)并且具有大于或等于1.48且小于或等于1.71的折
射率时，台阶覆盖率可以大于0.51。在这种情况下，显示装置中出现暗斑缺陷的概率可以大幅减小或显著减小。
113.参考图5a至图5d，随着无机层的折射率增大，应力的幅度可以增大。此外，随着无机层的折射率增大，wvtr可以减小。进一步，随着无机层的折射率增大，台阶覆盖率可以减小。
114.图5e是示出折射率和台阶覆盖率根据形成无机层时的条件的图。图5e图示出其中无机层包括氮氧化硅(sion)的情况。
115.参考图5e，无机层可以通过cvd形成。当无机层包括氮氧化硅(sion)时，无机层可以使用一氧化二氮(n2o)和氨气(nh3)来形成。例如，正被制造的显示装置可以装入腔室中。可以在腔室中设置一氧化二氮(n2o)的浓度和氨气(nh3)的浓度。在实施例中，氮氧化硅(sion)的氧组分比可以随着一氧化二氮(n2o)的浓度增大而增大。在实施例中，氮氧化硅(sion)的氮组分比可以随着氨气(nh3)的浓度增大而增大。
116.随着一氧化二氮(n2o)的浓度与氨气(nh3)的浓度相比增大，无机层的台阶覆盖率可以增大。例如，当一氧化二氮(n2o)浓度比氨气(nh3)的浓度高四倍或更多时，无机层的台阶覆盖率可以大于或等于0.51。在这种情况下，显示装置中出现暗斑缺陷的概率可以大幅减小或显著减小。此外，随着一氧化二氮(n2o)的浓度与氨气(nh3)的浓度相比增大，无机层的折射率可以减小。
117.图6是根据实施例的显示装置的示意性截面图。在图6中，与图2中的那些相同的附图标记指相同的构件，并且在此将不重复其冗余描述。
118.参考图6，显示装置可以包括基板100、像素电路层pcl、显示元件层del和薄膜封装层tfe。下层ll-1可以位于薄膜封装层tfe之下。像素电路层pcl可以包括缓冲层111、薄膜晶体管tft、无机绝缘层iil和平坦化层115。无机绝缘层iil可以包括第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114。显示元件层del可以包括有机发光二极管oled。薄膜封装层tfe可以包括第一无机层310、有机层320和第二无机层330。
119.缓冲层111可以位于基板100上。缓冲层111可以包括诸如氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)和氧化硅(sio2)的无机绝缘材料，并且可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
120.薄膜晶体管tft可以包括半导体层act、栅电极ge、源电极se和漏电极de。半导体层act可以包括多晶硅、非晶硅、半导体氧化物或有机半导体。半导体层act可以包括沟道区act1以及位于沟道区act1两侧的源区act2和漏区act3。栅电极ge可以与沟道区act1重叠。
121.栅电极ge可以包括低电阻金属材料。栅电极ge可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)的导电材料，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
122.位于半导体层act与栅电极ge之间的第一栅绝缘层112可以包括诸如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和/或氧化锌(zno)的无机绝缘材料。
123.第二栅绝缘层113可以覆盖栅电极ge。类似于第一栅绝缘层112，第二栅绝缘层113可以包括诸如氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和/或氧化锌(zno)的无机绝缘材料。
124.存储电容器cst的上电极ce2可以位于第二栅绝缘层113之上。上电极ce2可以与其
之下的栅电极ge重叠。在这种情况下，彼此重叠而第二栅绝缘层113位于其间的栅电极ge和上电极ce2可以形成像素电路的存储电容器cst。例如，栅电极ge可以用作存储电容器cst的下电极ce1。
125.因而，存储电容器cst可以与薄膜晶体管tft重叠。在一些实施例中，存储电容器cst可以不与薄膜晶体管tft重叠。
126.上电极ce2可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钼(mo)、钛(ti)、钨(w)和/或铜(cu)，并且可以包括包含上述材料的单层或多层。
127.层间绝缘层114可以覆盖上电极ce2。层间绝缘层114可以包括氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和/或氧化锌(zno)。层间绝缘层114可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
128.漏电极de和源电极se可以位于层间绝缘层114上。漏电极de和源电极se可以各自包括具有良好传导性(例如良好导电性)的材料。漏电极de和源电极se可以各自包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和/或钛(ti)等的导电材料，并且可以各自包括包含上述材料的单层或多层。在实施例中，漏电极de和源电极se可以各自具有ti/al/ti的多层结构。
129.平坦化层115可以覆盖漏电极de和源电极se。平坦化层115可以包括有机绝缘层。平坦化层115可以包括诸如通用聚合物(例如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚苯乙烯(ps)等)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳香醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物以及其任意混合物的有机绝缘材料。
130.显示元件层del可以位于像素电路层pcl上。显示元件层del包括有机发光二极管oled，并且有机发光二极管oled的像素电极211可以通过平坦化层115的接触孔而电耦接至薄膜晶体管tft的源电极se或漏电极de。
131.像素电极211可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和/或氧化铝锌(azo)。在另一实施例中，像素电极211可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或其任意化合物、合金和/或混合物的反射层。在另一实施例中，像素电极211可以进一步在反射层之上和/或之下包括包含ito、izo、zno和/或in2o3的层。
132.具有暴露像素电极211的中心部分的开口220op的像素限定层220可以位于像素电极211上。像素限定层220可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。开口220op可以限定其中光从有机发光二极管oled发射的发射区域。
133.发射层212可以位于像素限定层220的开口220op中。发射层212可以包括发射设定的或特定的颜色的光的高分子量有机材料和/或低分子量有机材料。
134.在一些实施例中，第一功能层和第二功能层可以分别位于发射层212之下和之上。例如，第一功能层可以包括空穴传输层(htl)，或者可以包括htl和空穴注入层(hil)。第二功能层是位于发射层212上的可选元件。第二功能层可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。第一功能层和/或第二功能层可以是覆盖整个基板100的公共层，像以下将进一步描述的对电极213那样。
135.对电极213可以包括具有相对低的功函数的传导(例如导电)材料。例如，对电极213可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱
1。当第一无机层310通过物理气相沉积形成时，第一厚度d1-1可以大于第二厚度d2-1。在另一实施例中，第一厚度d1-1可以大于、小于或等于第二厚度d2-1。当第一无机层310通过原子层沉积形成时，第一厚度d1-1可以大于、小于或等于第二厚度d2-1。
146.第二厚度d2-1与第一厚度d1-1的比率可以是大约0.51或更大。例如，台阶覆盖率可以是大约0.51或更大。在一些实施例中，第二厚度d2-1与第一厚度d1-1的比率可以是大约0.76或更大。因此，第一无机层310可以合适地或充分地覆盖像素限定层220和有机发光二极管oled，并且显示装置的可靠性可以提高。
147.在实施例中，第一无机层310可以包括氮氧化硅(sion)。当第一无机层310包括氮氧化硅(sion)并且氧与硅的组分比大于0.5时，第一无机层310的台阶覆盖率可以是0.51或更大。因此，显示装置的可靠性可以提高。
148.第一无机层310的折射率可以低于第二无机层330的折射率。此外，有机层320的折射率可以低于第二无机层330的折射率。第一无机层310是在薄膜封装层tfe中最靠近有机发光二极管oled的层。当第一无机层310的折射率相对较低于第二无机层330的折射率时，从有机发光二极管oled发射的光的提取效率可以提高。此外，当第一无机层310的折射率相对较低于第二无机层330的折射率时，从有机发光二极管oled发射的光的白角差(wad)可以提高。此外，当第一无机层310的光吸收系数低时，从有机发光二极管oled发射的光的提取效率可以提高。当第一无机层310包括氮氧化硅(sion)时，第一无机层310具有比当第一无机层310包括氮化硅(sin
x
)时的折射率和光吸收系数相对较小的折射率和较小的光吸收系数。因此，从有机发光二极管oled发射的光的提取效率可以提高。
149.有机层320可以位于第一无机层310上并且可以覆盖第一无机层310。在这种情况下，有机层320的上表面可以是平坦的。
150.第二无机层330可以位于有机层320上。第二无机层330可以位于有机层320的平坦的上表面上。因此，第二无机层330的台阶覆盖率的重要性可以低于第一无机层310的台阶覆盖率的重要性。
151.在实施例中，第二无机层330可以包括氮化硅(sin
x
)。因此，第二无机层330的wvtr可以小于第一无机层310的wvtr，并且第二无机层330可以用作阻挡层。
152.因而，第一无机层310和第二无机层330可以包括彼此不同的材料。例如，第一无机层310可以包括氮氧化硅(sion)以便具有相对高的台阶覆盖率，并且第二无机层330可以包括氮化硅(sin
x
)以便具有相对低的wvtr。因此，显示装置的可靠性可以提高。
153.第二无机层330的厚度330d可以小于第一无机层310的第一厚度d1-1。当第二无机层330包括具有低wvtr的材料时，第二无机层330的应力可以高于第一无机层310的应力。因此，与第一无机层310相比，扭曲现象可能出现在第二无机层330中。在这种情况下，因为第二无机层330的厚度330d小于第一无机层310的第一厚度d1-1，所以可以防止或减小扭曲现象的出现。
154.在一些实施例中，触摸电极层可以位于薄膜封装层tfe上，并且光学功能层可以位于触摸电极层上。触摸电极层可以根据例如触摸事件的外部输入而获得坐标信息。光学功能层可以减小从外部朝向显示装置入射的光(外部光)的反射率，和/或可以提高从显示装置发射的光的色纯度。在实施例中，光学功能层可以包括延迟器和/或偏振器。延迟器可以是膜型延迟器(例如膜状延迟器)或液晶涂层型延迟器(例如液晶涂层状延迟器)，并且可以
包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型偏振器(例如膜状偏振器)或液晶涂层型偏振器(例如液晶涂层状偏振器)。膜型偏振器(例如膜状偏振器)可以包括拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层型偏振器(例如液晶涂层状偏振器)可以包括以设定的或特定的阵列设置的液晶。延迟器和偏振器可以各自进一步包括保护膜。
155.在另一实施例中，光学功能层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以考虑从显示装置的每个像素发射的光的颜色而设置。滤色器可以各自包括红色、绿色和/或蓝色颜料和/或染料。在一些实施例中，除了颜料或染料之外，滤色器可以各自进一步包括量子点。在一些实施例中，一些滤色器可以不包括颜料或染料，并且可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。
156.在另一实施例中，光学功能层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，并且因此，外部光的反射率可以减小。
157.粘合构件可以位于触摸电极层和光学功能层之间。可以采用粘合构件而不限于本领域中通常所使用的那些。粘合构件可以包括压敏粘合剂(psa)。
158.图7是根据实施例的显示装置的示意性截面图。在图7中，与图6中的那些相同的附图标记指相同的构件，并且在此将不重复其冗余描述。
159.参考图7，显示装置可以包括基板100、像素电路层pcl、显示元件层del和薄膜封装层tfe。下层ll-2可以位于薄膜封装层tfe之下。像素电路层pcl可以包括缓冲层111、薄膜晶体管tft、无机绝缘层iil和平坦化层115。无机绝缘层iil可以包括第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114。显示元件层del可以包括有机发光二极管oled。薄膜封装层tfe可以包括第一无机层310、有机层320和第二无机层330。
160.下层ll-2可以位于对电极213和薄膜封装层tfe之下。例如，下层ll-2可以位于对电极213和第一无机层310之下。下层ll-2可以包括间隔件230。间隔件230可以位于像素限定层220上。间隔件230可以在制造显示装置的方法中防止或减少对基板100、像素电路层pcl和显示元件层del中的至少一个的损伤。在制造有机发光二极管oled的方法中，可以使用掩模板。基板100、像素电路层pcl和显示元件层del中的至少一个可能被掩模板损伤。在形成发射层212时，间隔件230可以将掩模板与基板100、像素电路层pcl和显示元件层del中的至少一个隔开。因此，间隔件230可以防止或减少对基板100、像素电路层pcl和显示元件层del中的至少一个的破坏或损伤。
161.间隔件230可以包括诸如聚酰亚胺的有机材料。在一些实施例中，间隔件230可以包括诸如氮化硅(sin
x
)或氧化硅(sio2)的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
162.在实施例中，间隔件230可以包括与像素限定层220的材料不同的材料。在另一实施例中，间隔件230可以包括与像素限定层220的材料相同(例如基本相同)的材料。在这种情况下，像素限定层220和间隔件230可以在使用半色调掩模等的掩模工艺中一起形成。
163.下层ll-2可以包括第一表面s1-2和第二表面s2-2。下层ll-2的第一表面s1-2可以平行于(例如基本平行于)基板100的上表面100us。在实施例中，下层ll-2的第一表面s1-2可以平行于(例如基本平行于)像素电极211的上表面。例如，下层ll-2的第一表面s1-2可以在x方向上延伸。
164.下层ll-2可以包括倾斜的第二表面s2-2。下层ll-2的第二表面s2-2可以在与基板
100的上表面100us交叉(例如相交)的方向上延伸。例如，下层ll-2的第二表面s2-2可以在与下层ll-2的第一表面s1-2交叉(例如相交)的方向上延伸。例如，下层ll-2的第二表面s2-2可以在与x方向交叉(例如相交)的方向上延伸。
165.下层ll-2的第一表面s1-2和第二表面s2-2可以在它们之间形成角度a-2。因为下层ll-2的第一表面s1-2在平行于(例如基本平行于)基板100的上表面100us的方向上延伸，所以角度a-2可以定义为下层ll-2的第二表面s2-2与基板100的上表面100us之间的角度。
166.在实施例中，下层ll-2的第一表面s1-2和第二表面s2-2之间的角度a-2可以是钝角或直角。在实施例中，下层ll-2的第一表面s1-2和第二表面s2-2之间的角度a-2可以是锐角。
167.第一无机层310可以覆盖下层ll-2的第一表面s1-2和第二表面s2-2。在这种情况下，第一无机层310可以在下层ll-2的第一表面s1-2上具有第一厚度d1-2。第一厚度d1-2可以定义为第一无机层310在垂直于(例如基本垂直于)下层ll-2的第一表面s1-2的方向上的长度。在一些实施例中，第一厚度d1-2可以定义为第一无机层310在垂直于(例如基本垂直于)基板100的上表面100us的方向上的长度。
168.第一无机层310可以在下层ll-2的第二表面s2-2上具有第二厚度d2-2。第二厚度d2-2可以定义为第一无机层310在垂直于(例如基本垂直于)下层ll-2的第二表面s2-2的方向上的长度。例如，第二厚度d2-2可以定义为第一无机层310在下层ll-2的第二表面s2-2上的厚度的平均值。
169.在实施例中，第一厚度d1-2可以大于或等于第二厚度d2-2。当第一无机层310通过物理气相沉积形成时，第一厚度d1-2可以大于或等于第二厚度d2-2。在一些实施例中，第一厚度d1-2和第二厚度d2-2可以基本彼此相等。在另一实施例中，第一厚度d1-2可以大于第二厚度d2-2。当第一无机层310通过物理气相沉积形成时，第一厚度d1-2可以大于第二厚度d2-2。在另一实施例中，第一厚度d1-2可以大于、小于或等于第二厚度d2-2。当第一无机层310通过原子层沉积形成时，第一厚度d1-2可以大于、小于或等于第二厚度d2-2。
170.第二厚度d2-2与第一厚度d1-2的比率可以是大约0.51或更大。例如，台阶覆盖率可以是大约0.51或更大。在一些实施例中，第二厚度d2-2与第一厚度d1-2的比率可以是大约0.76或更大。因此，第一无机层310可以合适地或充分地覆盖像素限定层220、间隔件230和有机发光二极管oled，并且显示装置的可靠性可以提高。
171.图8是根据实施例的显示装置的示意性截面图。在图8中，与图7中的那些相同的附图标记指相同的构件，并且在此将不重复其冗余描述。
172.参考图8，显示装置可以包括基板100、像素电路层pcl、显示元件层del和薄膜封装层tfe。下层ll-3可以位于薄膜封装层tfe之下。像素电路层pcl可以包括缓冲层111、薄膜晶体管tft、无机绝缘层iil和平坦化层115。无机绝缘层iil可以包括第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114。显示元件层del可以包括有机发光二极管oled。薄膜封装层tfe可以包括第一无机层310、有机层320和第二无机层330。
173.下层ll-3可以位于对电极213和薄膜封装层tfe之下。例如，下层ll-3可以位于对电极213和第一无机层310之下。下层ll-3可以位于间隔件230上。在实施例中，下层ll-3可以包括图案层240。图案层240可以包括与发射层212的材料相同(例如基本相同)的材料。在制造有机发光二极管oled的方法中，可以使用掩模板来形成发射层212。此时，掩模板可以
重复使用，并且形成发射层212的材料可以保留在重复使用的掩模板上。在这种情况下，当掩模板接近间隔件230时，图案层240可以由该材料形成在间隔件230上。
174.下层ll-3可以包括第一表面s1-3和第二表面s2-3。在实施例中，下层ll-3的第一表面s1-3可以平行于(例如基本平行于)基板100的上表面100us。在实施例中，下层ll-3的第一表面s1-3可以平行于(例如基本平行于)间隔件230的上表面。例如，下层ll-3的第一表面s1-3可以在x方向上延伸。在实施例中，下层ll-3的第一表面s1-3可以与下层ll-3的第二表面s2-3交汇，并且与下层ll-3的第二表面s2-3交叉(例如相交)。
175.下层ll-3可以包括倾斜的第二表面s2-3。下层ll-3的第二表面s2-3可以在与基板100的上表面100us交叉(例如相交)的方向上延伸。例如，下层ll-3的第二表面s2-3可以在与下层ll-3的第一表面s1-3交叉(例如相交)的方向上延伸。例如，下层ll-3的第二表面s2-3可以在与x方向交叉(例如相交)的方向上延伸。
176.下层ll-3的第一表面s1-3和第二表面s2-3可以在它们之间形成角度a-3。因为下层ll-3的第一表面s1-3在平行于(例如基本平行于)基板100的上表面100us的方向上延伸，所以角度a-3可以定义为下层ll-3的第二表面s2-3与基板100的上表面100us之间的角度。在一些实施例中，角度a-3可以定义为间隔件230的上表面与下层ll-3的第二表面s2-3之间的角度。
177.在实施例中，下层ll-3的第一表面s1-3和第二表面s2-3之间的角度a-3可以是锐角。在实施例中，下层ll-3的第一表面s1-3和第二表面s2-3之间的角度a-3可以是钝角或直角。例如，下层ll-3的第一表面s1-3和第二表面s2-3之间的角度a-3可以是42
°
或更大。在另一实施例中，下层ll-3的第一表面s1-3和第二表面s2-3之间的角度a-3可以是88
°
或更大。
178.第一无机层310可以覆盖下层ll-3的第一表面s1-3和第二表面s2-3。在这种情况下，第一无机层310可以在下层ll-3的第一表面s1-3上具有第一厚度d1-3。第一厚度d1-3可以定义为第一无机层310在垂直于(例如基本垂直于)下层ll-3的第一表面s1-3的方向上的长度。在一些实施例中，第一厚度d1-3可以定义为第一无机层310在垂直于(例如基本垂直于)基板100的上表面100us的方向上的长度。
179.第一无机层310可以在下层ll-3的第二表面s2-3上具有第二厚度d2-3。第二厚度d2-3可以定义为第一无机层310在垂直于(例如基本垂直于)下层ll-3的第二表面s2-3的方向上的长度。例如，第二厚度d2-3可以定义为第一无机层310在下层ll-3的第二表面s2-3上的厚度的平均值。
180.在实施例中，第一厚度d1-3可以大于或等于第二厚度d2-3。当下层ll-3的第一表面s1-3和第二表面s2-3之间的角度a-3是锐角并且第一无机层310通过cvd形成时，形成第一无机层310的气体可以比下层ll-3的第二表面s2-3更合适地或充分地供给到下层ll-3的第一表面s1-3。因此，第一厚度d1-3可以大于或等于第二厚度d2-3。在一些实施例中，第一厚度d1-3可以小于第二厚度d2-3。在另一实施例中，第一厚度d1-3可以大于第二厚度d2-3。当第一无机层310通过物理气相沉积形成时，第一厚度d1-3可以大于第二厚度d2-3。在另一实施例中，第一厚度d1-3可以大于、小于或等于第二厚度d2-3。当第一无机层310通过原子层沉积形成时，第一厚度d1-3可以大于、小于或等于第二厚度d2-3。
181.第二厚度d2-3与第一厚度d1-3的比率可以是大约0.51或更大。例如，台阶覆盖率可以是大约0.51或更大。在一些实施例中，第二厚度d2-3与第一厚度d1-3的比率可以是大
约0.76或更大。因此，第一无机层310可以合适地或充分地覆盖像素限定层220、间隔件230、图案层240和有机发光二极管oled，并且显示装置的可靠性可以提高。
182.如上所述，一个或多个实施例可以包括包含至少一个无机层和至少一个有机层的薄膜封装层。在这种情况下，因为至少一个无机层的第二厚度和第一厚度的比率是大约0.51或更大，所以显示装置的缺陷率可以大幅减小或显著减小。因此，显示装置的可靠性可以提高。
183.应该理解，本文所述的实施例应该仅以说明性意义考虑，而不为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该理解为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域技术人员应该理解，可以对其做出形式和细节上的各种改变而不脱离如由所附权利要求及其等同所限定的本公开的精神和范围。