发射器和接收器的制作方法

技术特征：
1.一种rf数据发射器，包括：光源，被配置为产生由rf载波频率分开的一对光线；光电检测器，包括石墨烯层并具有至少两个电接触部；发射天线，耦接到所述电接触部中的第一电接触部，特别是通过电放大器进行耦接；以及电数据信号输入，连接到所述电接触部中的第二电接触部；其中，所述光电检测器的石墨烯层被所述光源照射。2.根据权利要求1所述的rf数据发射器，包括光波导，其中，所述石墨烯层与所述光波导相邻。3.根据权利要求1或2所述的rf数据发射器，其中，所述光电检测器在所述波导的中心的任一侧的点处具有到所述石墨烯层的电接触部。4.根据权利要求2或3所述的rf数据发射器，包括承载所述波导和所述发射天线的介电衬底，其中，所述石墨烯层覆盖所述波导，并且其中，所述电接触部中的第一电接触部被配置为将所述石墨烯层耦接到所述发射天线的输入馈送部，特别是通过所述电放大器进行耦接。5.根据前述权利要求中任一项所述的rf数据发射器，其中，所述光电检测器是光热效应pte光电检测器，并且其中，所述电接触部中的第一电接触部输出pte产生的电压；其中，所述光热效应光电检测器具有至少一个栅电极，并且其中，所述电接触部中的第二电接触部连接到所述至少一个栅电极，使得所述电数据信号输入耦接到所述至少一个栅电极。6.根据权利要求5在引用权利要求3时所述的rf数据发射器，其中，在所述波导的中心的任一侧的点处的电接触部包括所述电接触部中的第一电接触部和第三电接触部。7.跟权利要求5或6所述的rf数据发射器，还包括偏置电压发生器，所述偏置电压发生器耦接到所述至少一个栅电极以偏置所述光热效应光电检测器，以在所述光热效应光电检测器的石墨烯层中产生塞贝克效应。8.根据权利要求5、6或7所述的rf数据发射器，其中，所述光热效应光电检测器包括：分别位于所述波导的中心的任一侧且与所述石墨烯层相邻但与所述石墨烯层绝缘的两个栅电极。9.根据权利要求5至8中任一项所述的rf数据发射器，还包括在所述石墨烯层上方的绝缘层，其中，所述至少一个栅电极设置在所述绝缘层上方。10.根据权利要求1至4中任一项所述的rf数据发射器，其中，所述光电检测器包括辐射热光电检测器。11.根据权利要求10在引用权利要求3时所述的rf数据发射器，其中，在所述波导的中心的任一侧的点处与所述石墨烯层接触的电接触部包括所述电接触部中的第一电接触部和第二电接触部。12.根据权利要求10或11所述的rf数据发射器，其中，所述辐射热光电检测器被支撑在半导体衬底上，并且还包括偏置系统以偏置所述电数据信号输入和所述半导体衬底中的一者或两者。13.一种使用rf信号来传输数据的方法，包括：用光照射光电检测器的石墨烯层，所述光包括由rf载波频率分开的一对光线；
使用石墨烯光电检测器将所述光转换为rf载波频率的电信号；从所述光电检测器的输出电极提供电信号，其中，所述输出电极电耦接到所述石墨烯层；以及通过将包括用于传输的数据在内的调制电信号施加到所述光电检测器的第二电极来调制所述光电检测器的操作。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述光电检测器包括具有至少一个栅电极的光热效应pte光电检测器，所述方法还包括：偏置所述至少一个栅电极以在所述石墨烯层中提供塞贝克效应、以从所述输出电极产生所述电信号，并且将所述调制电信号施加到所述至少一个栅电极。15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述光电检测器包括辐射热光电检测器，其中，所述光电检测器的第二电极电连接到所述石墨烯层，所述方法还包括：将所述调制电信号施加到所述第二电极以从所述输出电极提供所述电信号。16.一种rf数据接收器，包括：光源，被配置为产生由频率分开的一对光线，所述频率限定用于所述接收器的操作的rf频率；光电检测器，包括石墨烯层并具有至少两个电接触部；电数据信号输出，连接到所述电接触部中的第一电接触部；接收天线，耦接到所述电接触部中的第二电接触部，特别是通过电放大器进行耦接；以及其中，所述光电检测器的石墨烯层被所述光源照射。17.根据权利要求16所述的rf数据接收器包括光波导，其中，所述石墨烯层与所述光波导相邻。18.根据权利要求16或17所述的rf数据接收器，其中，所述光电检测器包括光热效应pte光电检测器，所述光热效应pte光电检测器包括至少一个栅电极，其中，所述电接触部中的第一电接触部连接到所述石墨烯层，并且其中，所述电接触部中的第二电接触部连接到所述光热效应光电检测器的至少一个栅电极。19.根据权利要求18所述的rf数据发射器，还包括偏置电压发生器，所述偏置电压发生器耦接到所述至少一个栅电极以偏置所述光热效应光电检测器，以在所述光热效应光电检测器的石墨烯层中产生塞贝克效应。20.根据权利要求18或19在引用权利要求17时所述的rf数据接收器，包括在所述波导的中心的任一侧的点处到所述石墨烯层的电接触部，其中，所述光热效应光电检测器还包括：分别位于所述波导的中心的任一侧且与所述石墨烯层相邻但与所述石墨烯层绝缘的两个栅极电极。21.根据权利要求20所述的rf数据接收器，包括承载所述波导和所述接收天线的介电衬底，其中，所述石墨烯层覆盖所述波导，并且还包括在所述石墨烯层上方的绝缘层，其中，所述栅电极设置在所述绝缘层上方，其中，所述栅电极中的至少一个耦接到来自所述接收天线的馈送，特别是通过所述电放大器进行耦接。22.根据权利要求16或17所述的rf数据接收器，其中，所述光电检测器包括辐射热检测器，并且其中，所述电接触部中的第一电接触部和第二电接触部均电连接到所述石墨烯层。
23.一种接收在rf信号上携带的数据的方法，包括：用光照射光电检测器的石墨烯层，所述光包括由rf载波频率分开的一对光线；从光电检测器的输出电极提供输出电信号，其中，所述输出电极电耦接到所述石墨烯层；将所述光电检测器的第二电极耦接到接收天线；以及将来自所述接收天线的电信号与所述光电检测器中的rf载波频率混频以将来自所述接收天线的电信号下变频为所述输出电信号，其中，所述输出电信号包括接收数据。24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述光电检测器包括具有至少一个栅电极的光热效应pte光电检测器，所述方法还包括：偏置所述至少一个栅电极以在所述石墨烯层中提供塞贝克效应，以使用光热效应产生电压，将所述至少一个栅极耦接到所述接收天线，并输出pte产生的电压；或者其中，所述光电检测器包括辐射热光电检测器，并且其中，所述光电检测器的第二电极电连接到所述石墨烯层，所述方法还包括：通过使用所述光照射所述石墨烯层来调制所述石墨烯层的电阻，从而提供所述输出电信号。25.根据任一前述权利要求所述的rf数据发射器、rf数据接收器或方法，其中，所述石墨烯层被2d材料层替代，所述2d材料层为诸如过渡金属二硫属化物层。

技术总结
一种RF发射器，包括：光源，该光源被配置为产生由RF载波频率分开的一对光线。发射器可以包括：石墨烯光电检测器，具有至少两个电接触部；发射天线，耦接到第一电接触部；以及电数据信号输入，连接到第二电接触部。石墨烯光电检测器由光源照射；它可以包括石墨烯光热效应(PTE)光电检测器或辐射热光电检测器。还描述了相应的接收器。了相应的接收器。了相应的接收器。


技术研发人员：安德里亚
受保护的技术使用者：国家大学间电信联盟
技术研发日：2020.02.27
技术公布日：2022/1/28