相机模块及相机模块控制方法与流程

1.本发明涉及相机模块以及用于控制相机模块的方法，并且更具体地，涉及基于用于关于从磁体发出的通过使用多个霍尔传感器进行测量而获取的磁力的大小的信息并且预先通过使用三角函数从该信息中去除由外部因素引起的噪声来检测透镜的位置的技术。


背景技术：

2.随着技术的进步并且相机模块的小型化变得可能，小的相机模块正被应用于并用在诸如智能电话、移动电话、pda等的各种it设备中。相机模块使用诸如ccd或cmos的图像传感器作为主要部件来制造，并且被制造成能够进行聚点调整以调整图像的尺寸。
3.这样的相机模块被配置成包括多个透镜和致动器，并且当致动器移动每个透镜以改变相对距离时可以以调整光学焦距的方式来拍摄相对于被摄体的对象。
4.具体地，相机模块包括：图像传感器，其将从外部接收的光信号转换为电信号；透镜，其将光聚焦到图像传感器上；红外(ir)滤波器；容纳上述部件的壳体；以及处理图像传感器信号的印刷电路板等，并且致动器通过诸如音圈马达(vcm)致动器或微机电系统(mems)致动器的致动器来调整透镜的焦距。
5.同时，诸如智能电话、平板pc和膝上型计算机的便携式设备具有内置的超小型相机模块，并且这样的相机模块可以执行自动地调整图像传感器与透镜之间的距离以对准透镜的焦距的自动聚焦(af)功能。
6.另外，通常，相机配备有变焦功能以拍摄远处对象的图片，并且变焦功能主要分为：光学变焦，在光学变焦中，相机内部的实际透镜移动以增大或减小被摄体的放大率；以及数字变焦方法，在该数字变焦方法中，通过使用数字处理方法放大被拍摄被摄体的图像数据的一部分来实现变焦效果。
7.在通过使用透镜移动来获得对象的图像的光学变焦的情况下，与数字处理方法相比，存在获得具有相对高的分辨率的图像的优点。
8.另外，在最近的相机模块中，采用图像稳定(is)技术来校正或防止由于固定设备的不稳定或用户移动而引起的相机移动造成的图像抖动。
9.通常，光学图像稳定器(ois)技术用于通过物理地移动相机的透镜或图像传感器来改变光路而补偿移动。因此，ois技术通过陀螺仪传感器或霍尔传感器检测相机的移动，并且基于所检测到的移动，以计算透镜或图像传感器应当移动的距离的方式来执行校正。
10.并且ois校正方法主要分为透镜移动方法和模块倾斜方法。在透镜移动方法中，通过仅移动相机模块中的透镜以重新对准图像传感器的中心和光轴来执行校正。另一方面，在模块倾斜方法中，通过移动包括透镜和图像传感器的整个模块来执行校正。
11.因此，当通过透镜移动方法执行校正时，在相机模块内部设置霍尔传感器以检测透镜的位置和移动。具体地，在检测从在透镜模块或透镜组件的外周表面上设置的感测磁体发出的磁力的大小和方向之后，并且基于该磁力的大小和方向，可以检测透镜的位置。
12.然而，在该方法的情况下，从感测磁体发出的磁力的大小受到外部因素的极大影
响。例如，由于受到温度、外部碰撞、信号干扰、外部干扰等的极大影响，由霍尔传感器测量的磁力的大小测量包括由这样的外部影响引起的噪声的结果，并且因此，在基于这样的结果检测透镜的位置的情况下，存在不能准确地检测透镜的位置的缺点。
13.也就是说，在相机模块中，针对每个感测磁体设置用于测量磁力的一个传感器，并且由传感器测量的磁力的大小和方向测量受外部影响的结果，因此存在实际透镜位置与检测到的透镜位置之间不匹配的问题。


技术实现要素：

14.技术主题
15.因此，本发明是为了解决以上提及的现有技术的问题而设计的发明，并且本发明的目的是提供能够通过使用多个传感器获取关于从其去除外部影响的磁力的信息来更准确地检测透镜的位置的相机模块以及用于控制相机模块的方法。
16.更具体地，本发明提供了能够通过基于使用多个传感器的测量结果生成三角函数并且通过使用所生成的三角函数获得从其去除包括外部影响的噪声的结果来更准确地检测透镜位置的相机模块以及用于控制相机模块的方法。
17.技术方案
18.根据一个实施方式的相机模块可以包括：透镜镜筒，其包括至少一个透镜；磁体，其设置在透镜镜筒的一个表面上；第一传感器和第二传感器，其测量从磁体发出的磁力；以及控制单元，其通过基于关于由第一传感器和第二传感器测量的磁力的信息去除由于外部环境引起的噪声来检测透镜的位置。
19.控制单元可以基于以下的值来检测透镜的位置：所述值是包括关于由第一传感器测量的磁力的信息的数值与包括关于由第二传感器测量的磁力的信息的数值进行抵消而获得的。
20.控制单元分别基于与由第一传感器和第二传感器测量的磁力有关的信息来生成包含关于根据位置的磁力的大小的信息的三角函数，并且可以基于所生成的多个三角函数检测透镜的位置。
21.控制器可以生成正弦(sin)函数表达式或余弦(cos)函数表达式，作为对包括关于由传感器测量的磁力的信息的数值进行近似的方法。
22.控制单元可以使用正弦函数表达式和余弦函数表达式生成正切(tan)函数表达式或反正切(arctan)函数表达式，并且然后基于所生成的函数表达式检测透镜的位置。
23.在相机模块中，控制单元基于由第一传感器测量的信息生成包括根据位置的磁力的大小的正弦(sin)函数表达式，并且基于由第二传感器测量的信息生成包括根据位置的磁力的大小的余弦(cos)函数表达式。
24.可以将第一传感器和第二传感器设置在同一轴线上。
25.可以将第一传感器和第二传感器设置在相对于磁体的中心线彼此对称的位置处。
26.第一传感器和第二传感器可以被设置成相对于磁体彼此等距地间隔开预设的第一距离。
27.预设的第一距离可以包括0.5mm或更大且2mm或更小的距离。
28.第一传感器和第二传感器可以被设置成间隔开预设的第二距离。
29.预设的第二距离可以包括1mm或更大且2mm或更小的距离。
30.根据另一实施方式的相机模块可以包括：第一透镜和第二透镜；第一镜筒和第二镜筒，其分别耦接至第一透镜和第二透镜的一个表面；第一磁体和第二磁体，其分别耦接至第一镜筒和第二镜筒的一个表面；以及控制单元，其用于分别基于由各自测量从第一磁体和第二磁体发出的多个磁力的多个传感器和多个霍尔传感器测量的信息来生成包含关于根据位置的磁力的大小的信息的三角函数，并且基于所生成的多个三角函数检测第一透镜和第二透镜的位置。
31.多个霍尔传感器可以包括：用于测量从第一磁体发出的磁力的第一传感器和第二传感器，以及用于测量从第二磁体发出的磁力的第三传感器和第四传感器。
32.控制单元基于由传感器测量的信息生成包括关于根据位置的磁力的大小的信息的正弦(sin)函数表达式或余弦(cos)函数表达式，并且然后使用正弦函数表达式和余弦函数表达式生成正切(tan)函数表达式或反正切(arctan)函数表达式，并且然后可以使用所生成的函数表达式检测透镜的位置。
33.在用于检测至少一个透镜的位置的相机模块控制方法中，根据另一实施方式的相机模块控制方法可以包括以下步骤：使用第一传感器和第二传感器测量从设置在透镜的一个表面上的磁体发出的磁力的大小；以及通过基于关于由第一传感器和第二传感器测量的磁力的信息去除由外部环境引起的噪声来检测透镜的位置。
34.检测透镜的位置的步骤可以包括以下步骤：基于包括关于由第一传感器测量的磁力的信息的数值与包括关于由第二传感器测量的磁力的信息的数值进行抵消而获得的值来检测透镜的位置。
35.检测透镜的位置的步骤可以包括以下步骤：分别基于由第一传感器和第二传感器测量的信息来生成包括关于根据位置的磁力的大小的信息的三角函数；以及基于所生成的多个三角函数检测第一透镜和第二透镜的位置。
36.生成三角函数的步骤可以包括：基于由传感器测量的信息生成包含关于根据位置的磁力的大小的信息的正弦(sin)函数表达式或余弦(cos)函数表达式。
37.检测透镜的位置的步骤可以包括以下步骤：使用正弦函数表达式和余弦函数表达式生成正切(tan)函数表达式或反正切(arctan)函数表达式，并且然后使用所生成的函数表达式检测透镜的位置。
38.第一传感器和第二传感器可以被设置成相对于磁体彼此等距地间隔开预设的第一距离。
39.第一传感器和第二传感器设置在同一轴线上，或者可以设置在相对于磁体的中心线彼此对称的位置处。
40.有益效果
41.在根据实施方式的相机模块中，在检测相机模块内部的透镜的位置时，可以去除由于外部环境而引起的影响，从而可以更准确地检测透镜的位置。因此，存在可以准确地执行ois校正的效果。
42.另外，根据实施方式的相机模块可以通过附加地仅附接传感器而无需附加地附接昂贵的设备来检测透镜的位置，因此存在可以更经济地生产可以准确地检测透镜的位置的相机模块的效果。
附图说明
43.图1是示出根据实施方式的相机模块的立体图的图。
44.图2是根据实施方式的其中省略了一些部件的相机模块的分解立体图。
45.图3是根据实施方式的其中省略了一些部件的相机模块的分解立体图。
46.图4是示出根据另一实施方式的相机模块的部分配置的分解立体图。
47.图5是示出磁体以及用于检测从磁体发出的磁力的大小和方向的传感器的图。
48.图6是将通过传感器检测的从磁体发出的磁力的大小和方向根据位置示出为曲线图的图。
49.图7是示出从磁体发出的磁力的大小由于外部影响而改变的状态的图。
50.图8是示出根据实施方式的将使用用于测量从磁体发出的磁力的大小的多个传感器感测的结果作为曲线图的图。
51.图9是示出根据实施方式可以设置多个传感器的位置的图。
52.图10是示出根据实施方式的相机模块的一些部件的框图。
53.图11是示出根据实施方式的相机模块控制方法的序列的序列图。
具体实施方式
54.在本说明书中描述的实施方式和在附图中示出的配置是所公开的发明的优选示例，并且在提交本技术时可以存在可以替换本说明书的实施方式和附图的各种修改。
55.另外，本说明书中使用的术语用于描述实施方式，并且不旨在限制和/或限定所公开的发明。除非上下文另外明确指出，否则单数表达包括复数表达。
56.在本说明书中，诸如“包含”、“包括”或“具有”的术语旨在表示说明书中描述的特征、数字、步骤、动作、部件、部分或其组合的存在，或者其他特征、数字、步骤、动作、部件、部分或其组合、或者任何其他特征或数字、步骤、操作、部件、部分或其组合的存在或添加，并且包括序数，例如本文中使用的“第一”和“第二”。上述术语可以用于描述各种部件，但部件不受术语限制。
57.在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式，使得本领域普通技术人员可以容易地实现本发明。另外，在附图中，为了清楚地描述本发明，省略了与描述无关的部分。
58.在下面的附图中描述的相机模块100可以是“相机设备”，并且相机模块100可以包括“透镜驱动设备”。相机模块100可以包括“af致动器600”和“ois致动器”。
59.相机模块100可以包括印刷电路板(pcb)，透镜驱动设备可以设置在印刷电路板上，并且可以将印刷电路板电连接至图像传感器。
60.另外，相机模块100可以包括图像传感器。
61.图像传感器可以设置在透镜下方。图像传感器可以设置在印刷电路板上。可以通过表面安装技术(smt)将图像传感器耦接至印刷电路板。图像传感器可以将照射到图像传感器的有效图像区域的光转换成电信号。图像传感器可以包括以下中的任何一个：电荷耦合器件(ccd)、金属氧化物半导体(mos)、cpd和cid。
62.相机模块100可以包括透镜模块。透镜模块可以包括透镜和镜筒。例如，可以将多个透镜堆叠并且耦接至镜筒的内圆周表面，并且透镜所耦接至的镜筒可以耦接至保持器的内圆周表面，并且然后安装在壳体300上。透镜可以包括多个透镜。
63.图1是示出根据实施方式的相机模块100的立体图的图，并且图2和图3是根据实施方式的其中省略了一些部件的相机模块100的分解立体图。
64.参照图1和图2，根据实施方式的相机模块100可以包括基座20、设置在基座20的外侧的电路板40、第四驱动单元142和第三透镜组件130。
65.另外，根据实施方式的相机模块100可以包括第一引导单元210、第二引导单元220、第一透镜组件110、第二透镜组件120以及第三驱动单元141、第四驱动单元142，其中，第三驱动单元141和第四驱动单元142可以包括线圈或磁体。
66.尽管图中未示出，但是透镜组件可以包括透镜模块和保持器。
67.透镜模块可以包括透镜和镜筒，并且例如，可以将多个透镜堆叠并且耦接至镜筒的内圆周表面，并且透镜所耦接至的镜筒可以耦接至保持器的内圆周表面。保持器可以是“线轴”，并且保持器可以设置在壳体100内部的可移动结构中。
68.参照图2，当第三驱动单元141和第四驱动单元142包括线圈时，第三驱动单元141包括第一线圈单元141b和第一轭141a，并且第四驱动单元142可以包括第二线圈单元142b和第二轭142a。或者相比之下，第三驱动单元141和第四驱动单元142可以包括磁体。
69.在图3所示的x、y和z轴方向中，z轴意指光轴方向或与光轴方向平行的方向，x-z平面表示地面，x轴意指在地面上(x-z平面)与z轴垂直的方向，并且y轴可以意指与地面垂直的方向。
70.参照图3，根据实施方式的相机模块100可以包括基座20、第一引导单元210、第二引导单元220、第一透镜组件110、第二透镜组件120和第三透镜组件130。
71.如图1所描述的，第一透镜组件110、第二透镜组件120和第三透镜组件130中的每一个可以包括透镜和镜筒，并且透镜所耦接至的镜筒可以耦接至每个保持器的内圆周表面。
72.根据实施方式的相机模块100可以包括基座20、设置在基座20的一侧上的第一引导单元210、设置在基座20的另一侧上的第二引导单元220、与第一引导单元210对应的第一透镜组件110、以及与第二引导单元220对应的第二透镜组件120。
73.在图3中，尽管示出了可以包括在光轴方向上设置在第一透镜组件110前方的第三透镜组件130，但是根据实施方式的相机模块100可以仅包括第一透镜组件110和第二透镜组件120作为除了第三透镜组件130之外的部件。
74.图4是示出根据另一实施方式的相机模块100的部分配置的分解立体图。
75.参照图4，相机模块100可以包括壳体300。壳体100可以设置在盖(未示出)的内部和保持器(未示出)的外部，并且透镜所耦接至的保持器可以间隔开地设置在壳体100的内部。因此，保持器可以根据控制单元600的操作在壳体100内部上下移动。
76.壳体100可以包括槽110。槽110可以被形成为在壳体100的内侧表面上在光轴方向上延伸。支承构件(未示出)可以设置在槽110中，使得所设置的支承构件可以沿着槽110向上或向下移动。
77.壳体100可以包括基板容纳槽120。基板容纳槽120可以容纳电路板(未示出)。基板容纳槽120可以被形成为与电路板的形状对应的形状，通过该形状可以使电路板插入并且固定在基板容纳槽120中。
78.壳体100可以包括传感器孔130，并且传感器350可以设置在传感器孔130中。具体
地，传感器孔130可以设置有一个或多个霍尔传感器，霍尔传感器能够检测从透镜组件110、120、130或附接至透镜镜筒的磁体400发出的磁力的大小和方向。
79.在图4中，作为示例，尽管示出了存在两个传感器孔130，但是传感器孔130的数目不限于此，并且可以以各种数目进行设置，例如一个、三个、四个及各种数目等。因此，明显的是将霍尔传感器350相应地设置为与所设置的传感器孔130的数目一样多。
80.具体地，传感器孔130可以被形成为在垂直于光轴的方向上穿透壳体100。通过该结构，设置在壳体100的外表面上的传感器350可以感测从设置在壳体100中的磁体400发出的磁力的大小和方向。
81.另外，传感器350与磁体400之间的距离可以根据制造目的被安装为以各种距离进行设置。
82.例如，当将检测磁力的强度和大小的传感器与磁体之间的距离设置得太远时，难以准确地检测从磁体发出的磁力的大小和方向，并且相反地，当将它们设置得太近时，不能准确地测量变化的电磁力的方向和大小，并且因此不能准确地测量透镜的位置。因此，可以将磁体与传感器之间的距离设置在能够准确地测量透镜的位置的位置处。稍后将参照图8对此进行详细描述。
83.另外，在图4中，尽管已经作为参照描述了检测一个透镜的位置的方法，但是如图3所述，在高分辨率变焦相机模块的情况下，可以在相机上安装多种类型的透镜。
84.因此，当将在相机模块100中安装的透镜的数目设置为两个或更多个并且需要测量每个透镜的位置时，可以为每个透镜相邻地设置一个或两个传感器。当然，每个透镜的传感器的数目不限于一个或两个，并且可以根据相机模块的制造目的和使用环境来设置更多个传感器。
85.图5是示出根据实施方式的磁体和用于检测从磁体发出的磁力的大小的传感器的布置的图，并且图6是示出由传感器检测的从磁体发出的磁力的大小和方向的图。图7是示出由传感器感测的磁力的大小由于外部影响而变化的图。
86.具体地，图5是为了仅说明磁体30与传感器40之间的关系而仅示出与相机模块的各个部件分离的磁体和传感器的图。
87.参照图5，由于磁体30附接至透镜镜筒或透镜组件，因此磁体30可以根据透镜镜筒或透镜组件的移动而移动。然而，传感器40通常附接至固定位置，并且因此不移动。
88.因此，传感器40检测从磁体30发出的磁场的强度的大小具有根据如图6的(a)所示的位置而变化的特性。
89.然而，图6的曲线图(a)示出了合并了几个曲线图的状态，其示出了根据传感器40被设置的位置而不同地测量的结果。
90.也就是说，如图6的(a)所示，由于根据传感器被设置的位置而不同地测量由传感器40检测的磁场的大小，所以根据传感器被设置的位置检测的磁场的大小可以表现为各种形状。
91.例如，如果从磁体发出的磁力的大小相同，则在将传感器设置在最接近磁体的位置处的情况下，检测到的磁场的大小将是强的，而在将传感器设置在距磁体最远的情况下，检测到的磁场的大小将是弱的。
92.因此，在图6的(a)中示出的几个曲线图的底部处的曲线是示出当将传感器设置在
距磁体最远的位置处时的测量结果的曲线，并且在图6的(a)中示出的几个曲线图中的最上部的曲线是示出当将传感器设置在距磁体最近的位置处时的测量结果的曲线。
93.并且图6的(b)是单独示出在根据取决于传感器的位置而测量的结果的多个曲线图中与三角函数最相似的曲线图的曲线图，并且是示出由传感器测量的结果的曲线图，在该曲线图中所测量的磁场大小被测量为与正弦函数(sin)或余弦函数(cos)最相似的波形。
94.通常，由于磁体基于一个轴仅上下移动，由传感器测量的磁体的大小和方向可以被测量成正弦函数或余弦函数的形式，因此可以基于这些结果得出三角函数。
95.在图6中，示出了由正弦函数对测量结果进行近似，但不限于此，并且测量结果可以在不进行近似情况下原样使用。
96.图7是示出由传感器检测的磁力的大小由于外部影响而变化的情况的图。
97.通常，当使用一个传感器测量从磁体发出的磁力的大小时，存在测量包括外部影响的噪声的结果的缺点。
98.在外部环境变化的情况下，例如，当将物理碰撞施加到相机模块、相机模块的温度异常地升高或降低、由于位于磁体附近的其他设备而发生信号干扰等的情况下，在磁体中生成的磁力的大小可能会有不同的测量结果，如图7所示。
99.也就是说，如果没有外部影响，从而不包括噪声，则磁力的大小和方向应当被测量成图7的曲线图
①
的形式，但是当由于存在外部影响而出现噪声时，由传感器测量的磁力的大小和方向被测量成曲线图
②
的形式。
100.因此，当基于此检测透镜的位置时，检测到包括由外部环境引起的噪声的结果的磁力的大小，因此存在基于此检测透镜的位置在准确度方面较差的问题。
101.因此，根据实施方式的相机模块100和相机模块控制方法是为解决该问题而设计的发明，并且本发明的目的是提供能够通过使用多个传感器获取关于从其去除外部影响的磁力的信息来更准确地检测透镜的位置的相机模块以及相机模块控制方法。
102.更具体地，目的是提供能够通过基于使用多个传感器的测量结果生成三角函数并且通过使用所生成的三角函数获得其中去除包括外部影响的噪声的结果来更准确地检测透镜的位置的相机模块100以及相机模块控制方法。下面将通过附图对其进行详细研究。
103.图8是示出根据实施方式的将使用用于测量从磁体发出的磁力的大小的多个传感器感测的结果作为曲线图的图。
104.根据实施方式的相机模块100可以包括能够测量从磁体400发出的磁场的大小的多个传感器350。
105.作为示例，如图8所示，可以设置两个传感器——第一传感器351和第二传感器352，但不限于此，并且可以根据使用目的和使用环境将更多传感器设置在各种位置。
106.如图8的(a)所示，当存在可以测量从磁体400发出的磁场的大小和方向的两个传感器时，如图8的(b)所示，由传感器351和传感器352中的每一个测量的两个曲线图也可以测量成不同的形式。
107.为了方便起见，在图8的(b)中示出的两个曲线图将基于由第一传感器351测量的结果计算的曲线图表达为f(x)函数，并且将基于由第二传感器352测量的结果计算的曲线图表达为g(x)函数。可以通过实际测量结果得出每个函数中表达的未知数。
108.在图8所示的函数f(x)和g(x)的情况下，它们是根据检测包括外部影响的噪声的
磁力的大小的结果的函数表达式，并且如果f(x)和g(x)的a是外部干扰，则可以由以下式
①
和
②
表达f(x)和g(x)。此处，x可以意指位置或距离。
109.f(x)＝a＊sin(θ＊x ∮)
[0110][0111]
如果计算诸如式
①
和式
②
的函数表达式，则将f(x)表达为正弦函数，并且将g(x)表达为余弦函数，并且如在式
③
中，如果将f(x)作为分子并且将g(x)作为分母，则可以获得如下式
③
所示的正切(tan)函数表达式。
[0112]
③
f(x)/g(x)＝a＊sin(θ＊x ∮)/a＊cos(θ＊x ω)＝tan(θ＊x α)
[0113]
此后，通过将式
③
的正切函数转换为反函数，可以获得如下式
④
所示的反正切(arctan)函数表达式，因此可以相应地获得关于位置x的信息。
[0114]
④
arctan(f(x)/g(x))＝θ＊x α
[0115]
因此，由于根据式
④
获得的最终结果是基于去除由于外部环境引起的噪声a之后的测量值计算的结果，所以与使用一个传感器测量透镜的位置相比，具有更准确地检测透镜的位置的效果。
[0116]
图9是示出根据实施方式的可以设置多个传感器的位置的图。在图9中，已经将两个传感器351和352描述为参考，但不限于此，并且可以根据使用目的和使用环境在各种位置中以各种数目设置传感器350。
[0117]
第一传感器351和第二传感器352可以设置在相对于磁体400的中心线彼此对称的位置处，或者可以设置在平行于磁体400的轴线l上。
[0118]
尽管磁体400由于透镜组件的移动而一起移动，但是与其中移动之前将传感器351和传感器352设置在相对于磁体400的中心线对称的位置处或者将传感器350设置在平行于磁体400的轴线l上的情况相比，可以更准确地检测磁力的大小和方向。
[0119]
另外，如先前所描述的，如果传感器350的位置距磁体400太远或太近，则存在不能准确地检测透镜的位置的缺点，因此可以将第一传感器351和第二传感器352设置成与磁体400间隔开预设的第一距离a。
[0120]
因此，第一传感器351和第二传感器352必须被设置成与磁体400间隔开可以有效且准确地测量透镜的位置的一定距离，优选地，第一距离可以包括0.5mm或更大且2mm或更小的距离。
[0121]
当第一距离为0.5mm或更小时，所测量的磁力的大小非常强，而当距离大于2mm时，所测量的磁力的大小较弱，从而存在不能准确地检测透镜的位置的缺点，因此根据实施方式的第一传感器351和第二传感器352可以被设置成使得它们与磁体400的距离为0.5mm或更大且2mm或更小。
[0122]
另外，第一传感器351和第二传感器352可以被设置成彼此间隔开预设的第二距离。具体地，预设的第二距离可以包括1mm或更大且2mm或更小的距离。
[0123]
当第二距离为1mm或更小时，因为两个传感器的位置接近，所以测量结果相似，或者当第二距离为2mm或更大时，因为两个传感器的位置相隔太远，所以测量结果非常不同，因此存在难以使用函数表达式得出准确值的问题。因此，为了准确测量，可以将两个传感器351与352之间的距离布置成1mm至2mm或更小。
[0124]
图10是示出根据实施方式的相机模块100的一些部件的框图。
[0125]
参照图10，根据实施方式的相机模块100可以包括：检测单元500，其用于检测透镜的位置；控制单元600，其用于基于检测单元500的检测结果来检测透镜的位置或操作致动器700；存储单元800，其中存储有关相机模块100的各种信息等。
[0126]
检测单元500可以包括用于检测先前在附图中描述的磁体400的传感器350，并且传感器350可以包括霍尔传感器、陀螺仪传感器等。检测单元500可以将由传感器测量的结果发送至控制单元600。
[0127]
可以基于通过控制单元600和检测单元500接收的结果来检测透镜的位置。具体地，控制单元600可以分别基于由多个传感器测量的信息生成包括关于根据位置的磁力的大小的信息的三角函数，并且基于所生成的多个三角函数检测至少一个透镜的位置。
[0128]
另外，控制单元600基于由多个传感器测量的信息生成包括关于根据位置的磁力的大小的信息的正弦(sin)函数表达式或余弦(cos)函数表达式，并且在使用所生成的正弦函数表达式和余弦函数表达式生成正切(tan)函数表达式或反正切(arctan)函数表达式之后，可以基于所生成的函数表达式检测至少一个透镜的位置。已经通过图8详细描述了使用函数表达式检测透镜的位置的方法，因此在下文中将省略对该方法的描述。
[0129]
另外，控制单元500可以控制在包括致动器700的相机模块600中设置的各种设备。具体地，控制单元500可以控制施加到能够使透镜移动的线圈的电流的方向、大小和幅度。控制单元500可以执行相机模块的af驱动、ois驱动、af反馈控制和/或ois反馈控制。
[0130]
存储单元800可以存储关于在包括透镜和致动器700的相机模块100中设置的各种设备的信息，并且控制单元600可以基于在存储单元800中存储的信息和由检测单元500检测的结果来控制相机模块100的各种设备。
[0131]
因此，可以将存储单元800实现为以下中的至少一个：诸如缓存、只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、可擦除可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)和闪存的非易失性存储器设备，或诸诸随机存取存储器(ram)的易失性存储器设备，或诸如硬盘驱动器(hdd)和cd-rom的存储介质，但不限于此。
[0132]
另外，存储单元800可以是相对于以上提及的控制单元600被实现为单独芯片的存储器，或者可以实现为具有控制单元600的单个芯片。
[0133]
图11是示出根据实施方式的相机模块100的控制方法的序列的序列图。
[0134]
参照图11，相机模块100可以使用多个传感器来检测从附接至透镜或透镜组件的磁体400发出的磁力的方向和大小。(s10)
[0135]
此后，基于来自多个传感器350的检测结果生成包括关于相对于位置的磁力的大小的信息的函数表达式，并且然后可以在去除外部干扰的方向上转换三角函数。(s20、s30)
[0136]
具体地，基于由多个传感器500测量的信息生成包括关于根据位置的磁力的大小的信息的正弦(sin)函数表达式或余弦(cos)函数表达式，并且可以以通过使用所生成的正弦函数表达式和余弦函数表达式计算正切(tan)函数表达式或反正切(arctan)函数表达式的方式来计算去除外部干扰的影响的测量值。
[0137]
此后，可以基于所计算的值和所测量的值来检测透镜的当前位置。
[0138]
(s40)
[0139]
到目前为止，已经通过附图研究了相机模块100的各种实施方式以及控制相机模块100的方法。
[0140]
根据现有技术的相机模块，由于每个磁体设置一个传感器以检测由附接至透镜镜筒或透镜组件的磁体发出的磁力的大小和方向，由传感器测量的磁力的大小和方向是包括外部影响的噪声的测量结果。因此，存在基于此检测的透镜的位置与实际透镜的位置不一致的问题。
[0141]
然而，根据实施方式的相机模块100和相机模块100的控制方法可以通过使用多个传感器获得关于从其去除外部影响的磁力的信息来更准确地检测透镜的位置。更具体地，分别通过基于所测量的结果生成所检测的三角函数，并且使用所生成的三角函数获得其中去除包括外部影响的噪声的结果，可以使透镜的位置更准确。因此，其效果在于，与现有技术相比，可以更准确地执行ois校正。
[0142]
另外，在本发明的情况下，由于可以通过附加地仅附接传感器而无需附加地附接昂贵的设备来实现本发明，因此可以更经济地生产可以准确地检测透镜的位置的相机模块。
[0143]
尽管至此已经参照有限的实施方式和附图描述了实施方式，但本领域技术人员可以根据以上描述进行各种修改和变化。例如，如果以与所描述的方法不同的顺序来执行所描述的技术，以及/或者以与所描述的方法不同的方式来组合或结合、或者甚至由其他部件或等同物替换或替代所描述的系统、结构、设备、电路等的部件，则可以实现适当的结果。因此，权利要求的其他实施方式和等同物也落入随后描述的权利要求的范围内。