实现相干完美吸收激光点的PT对称RS光子晶体结构的制作方法

技术特征：
1.一种实现相干完美吸收激光点的pt对称rs光子晶体结构，其特征在于，包括两个rs光子晶体，所述rs光子晶体表示为：hhhlhhlh，其中字母h、l分别表示两种折射率高、低不同的第一电介质层和第二电介质层，两个rs光子晶体形成关于中心原点对称分布结构，通过调制第一电介质层和第二电介质层的折射率，使光子晶体结构满足pt对称分布，即折射率满足条件n(z)＝n*(
–
z)，其中z为位置坐标；整个结构可以表示成：hhhlhhlhh'l'h'h'l'h'h'h'。2.根据权利要求1所述一种实现相干完美吸收激光点的pt对称rs光子晶体结构，其特征在于，所述第一电介质层的基质材料为二氧化硅，第二电介质层的基质材料为硅。3.根据权利要求1或2所述一种实现相干完美吸收激光点的pt对称rs光子晶体结构，其特征在于，本实现相干完美吸收激光点的pt对称rs光子晶体结构的相干完美吸收激光点的位置通过光波入射角调控。

技术总结
本发明提供了一种实现相干完美吸收激光点的PT对称RS光子晶体结构，属于激光器技术领域。包括两个RS光子晶体，所述RS光子晶体表示为：HHHLHHLH，其中字母H、L分别表示两种折射率高、低不同的第一电介质层和第二电介质层，两个RS光子晶体形成关于中心原点对称分布结构，通过调制第一电介质层和第二电介质层的折射率，使光子晶体结构满足PT对称分布n(z)＝n*(


技术研发人员：郭晶晶
受保护的技术使用者：湖北科技学院
技术研发日：2021.10.22
技术公布日：2022/1/14