可实现光学定向隐身的PD光子晶体结构的制作方法

技术特征：
1.一种可实现光学定向隐身的pd光子晶体结构，其特征在于，包括两个序列序号n＝3的pd光子晶体，该结构整体上关于中心呈宇称-时间(parity-time：pt)对称分布，所述pt对称pd光子晶体可以表示成：hlhhhlhll'h'l'h'h'h'l'h'，其中h和h'表示具有高折射率的第一电介质层，l和l'表示具有低折射率的第二电介质层；位于pt对称pd光子晶体结构对称中心一侧的第一电介质层称之为第一损耗电介质层，通光状态下的折射率表示为n
h
；位于pt对称pd光子晶体结构对称中心另一侧的第一电介质层称之为第一增益电介质层，通光状态下的折射率表示为n
h'
；与第一增益电介质层同侧的第二电介质层称之为第二增益电介质层，通光状态下的折射率表示为n
l
；与第一损耗电介质层同侧的第二电介质层称之为第二损耗电介质层，通光状态下的折射率表示为n
l'
；n
h
＝n
h
0.01qi，n
h'
＝n
h-0.01qi，n
l
＝n
l-0.01qi，n
l'
＝n
h
0.01qi，其中i为虚数单位，q为增益-损耗因子，n
h
为第一电介质层折射率的实部，n
l
为第二电介质层折射率的实部；第一电介质层和第二电介质层的厚度均为各自折射率对应的1/4光学波长；当某波长值的入射光通过pt对称pd光子晶体结构反射后的反射光强为零时，实现该波长值的入射光的单向隐身；改变增益-损耗因子实现对可隐身入射光的波长的调整。2.根据权利要求1所述一种可实现光学定向隐身的pd光子晶体结构，其特征在于，所述第一电介质层的基质材料为二氧化硅，所述第二电介质层的基质材料为硅。

技术总结
本发明提供了一种可实现光学定向隐身的PD光子晶体结构，属于全光通讯技术领域。包括两个序列序号N＝3的PD光子晶体，该结构整体上关于中心呈宇称-时间(Parity-time：PT)对称分布，所述PT对称的PD光子晶体可以表示成：HLHHHLHLL'H'L'H'H'H'L'H'，其中H和H'表示具有高折射率的第一电介质层，L和L'表示具有低折射率的第二电介质层。本发明具有能够对特定波长进行定向隐身等优点。波长进行定向隐身等优点。波长进行定向隐身等优点。


技术研发人员：鲁屹华
受保护的技术使用者：湖北科技学院
技术研发日：2021.10.21
技术公布日：2022/1/14