发声装置和电子设备的制作方法

1.本实用新型涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声装置和应用该发声装置的电子设备。


背景技术：

2.应用于移动通信设备、掌上电脑、手持式游戏机、gps导航装置等便携式消费性电子产品上的电声转换器件，一般使用的是微型电磁扬声器。为了满足产品薄型化要求及高音质的要求，尽量要求微型电磁扬声器朝着薄型化方面发展。
3.扬声器一般为单个音圈结构，当扬声器采用薄型化设计时，音圈的振动空间受限，从而影响了扬声器的声学性能。
4.为解决上述问题，在相关技术中提出一种包括双音圈的扬声器结构，其球顶形成为平板结构，双音圈的顶部分别与球顶相连，上述结构虽然可以在扬声器薄型化设计的前提下在一定程度上提升其声学性能，但是不方便调整音圈在磁场中的位置，降低了磁场的利用率，影响声学性能。


技术实现要素：

5.本实用新型的主要目的是提供一种发声装置和电子设备，旨在提供一种磁场利用率较高，且有效改善失真问题的发声装置，该发声装置优化了高频性能，具有更高的高频谐振频率，从而提高了声学性能。
6.为实现上述目的，本实用新型提出一种发声装置，所述发声装置包括：
7.外壳；
8.磁路系统，所述磁路系统与所述外壳连接，所述磁路系统设有第一磁间隙和环绕所述第一磁间隙设置的第二磁间隙；及
9.振动系统，所述振动系统包括振膜、第一音圈及第二音圈，所述振膜与所述外壳连接，并与所述磁路系统相对设置，所述振膜对应所述第一音圈和/或所述第二音圈设有延伸部，所述延伸部沿所述第一音圈和所述第二音圈的振动方向延伸，所述第一音圈和/或所述第二音圈的一端通过所述延伸部与所述振膜连接，所述第一音圈的另一端悬设于所述第一磁间隙内，所述第二音圈的另一端悬设于所述第二磁间隙内。
10.在一实施例中，所述振膜包括球顶、环绕所述球顶设置的折环部以及连接于所述折环部外侧的固定部，所述固定部与所述外壳连接，所述球顶对应所述第一音圈和所述第二音圈均设有所述延伸部，所述延伸部包括对应所述第一音圈设置的第一延伸部和对应所述第一音圈设置的第二延伸部。
11.在一实施例中，所述第一延伸部和所述第二延伸部均形成为朝向所述磁路系统一侧向下凹陷的凹槽结构；
12.或，所述第一延伸部和所述第二延伸部均形成为背向所述磁路系统一侧向上凸起的凸起结构；
13.或，所述第一延伸部和所述第二延伸部中的一个形成为朝向所述磁路系统一侧向下凹陷的凹槽结构，所述第一延伸部和所述第二延伸部中的另一个形成为背向所述磁路系统一侧向上凸起的凸起结构。
14.在一实施例中，所述第一延伸部和所述第二延伸部与所述球顶为一体成型结构；
15.且/或，所述第一延伸部的截面呈v型槽、u型槽或楔形槽；
16.且/或，所述第二延伸部的截面呈v型槽、u型槽或楔形槽。
17.在一实施例中，所述球顶通过注塑形成所述第一延伸部和所述第二延伸部；
18.且/或，所述球顶的厚度大于或等于30μm。
19.在一实施例中，所述折环部远离所述固定部的一侧设有内环部，所述内环部围合形成开口，所述内环部具有相对设置的第一表面和第二表面，所述球顶盖合于所述开口，并与所述第一表面或所述第二表面连接。
20.在一实施例中，所述折环部设有加强筋结构，所述加强筋结构为设于所述折环部的凹陷或凸起结构；
21.且/或，所述折环部朝向所述磁路系统一侧凹陷，所述磁路系统对应所述折环部设有向下凹陷设置的避位槽。
22.在一实施例中，所述磁路系统包括：
23.导磁轭，所述导磁轭与所述外壳背向所述振膜的一侧连接；
24.中心磁路部，所述中心磁路部设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧；
25.第一边磁路部，所述第一边磁路部设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧，并环绕所述中心磁路部设置，所述第一边磁路部与所述中心磁路部之间形成所述第一磁间隙；及
26.第二边磁路部，所述第二边磁路部设于所述导磁轭面向所述振膜的一侧，并环绕所述第一边磁路部设置，所述第二边磁路部与所述第一边磁路部之间形成所述第二磁间隙。
27.在一实施例中，所述第一边磁路部设有连通所述第一磁间隙和所述第二磁间隙的多个第一间隙，所述第二边磁路部设有连通所述第二磁间隙的多个第二间隙，每一所述第二间隙与一所述第一间隙对应；
28.所述发声装置还包括多个定心支片，每一所述定心支片的一端与所述外壳连接，所述定心支片的另一端依次穿过一所述第二间隙和一所述第一间隙，并分别与所述第二音圈和所述第一音圈相连；
29.所述导磁轭对应每一所述定心支片的位置设有避让空间。
30.本实用新型还提出一种电子设备，包括设备壳体和上述所述的发声装置，所述发声装置设于所述设备壳体。
31.本实用新型技术方案的发声装置利用外壳实现磁路系统和振动系统的安装固定，通过在磁路系统上设置第一磁间隙和第二磁间隙，并将振动系统设置为振膜、第一音圈及第二音圈，使得第一音圈和第二音圈的一端与振膜连接，第一音圈的另一端悬设于第一磁间隙内，第二音圈的另一端悬设于第二磁间隙内，形成的双音圈结构配合，能够有效提高磁场利用率，尤其磁场面积较大时的磁场利用率，如此在未增加发声装置厚度的情况下，保证系统性能不变的情况下可以使磁路做到更薄，有助于发声装置向轻薄化发展；同时，通过在振膜对应第一音圈和/或第二音圈设置延伸部，使得第一音圈和/或第二音圈的一端通过延
伸部与振膜连接，从而利用延伸部调整第一音圈和/或第二音圈在第一磁间隙和/或第二磁间隙的位置，进而优化其声学性能，且延伸部的设置还有利于增加振膜的刚性，使得发声装置的高频得以优化，具有更高的谐振频率值。
附图说明
32.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
33.图1为本实用新型一实施例中发声装置的分解示意图；
34.图2为本实用新型一实施例中发声装置的剖面示意图；
35.图3为图2中a处的放大示意图；
36.图4为本实用新型另一实施例中发声装置的部分剖面示意图；
37.图5为本实用新型又一实施例中发声装置的部分剖面示意图；
38.图6为本实用新型再一实施例中发声装置的部分剖面示意图。
39.附图标号说明：
[0040][0041][0042]
本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0043]
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0044]
需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
[0045]
同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“a和/或b”为例，包括a方案，或b方案，或a和b同时满足的方案。
[0046]
另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
[0047]
应用于移动通信设备、掌上电脑、手持式游戏机、gps导航装置等便携式消费性电子产品上的电声转换器件，一般使用的是微型电磁扬声器。为了满足产品薄型化要求及高音质的要求，尽量要求微型电磁扬声器朝着薄型化方面发展。
[0048]
扬声器一般为单个音圈结构，当扬声器采用薄型化设计时，音圈的振动空间受限，从而影响了扬声器的声学性能。
[0049]
为解决上述问题，在相关技术中提出一种包括双音圈的扬声器结构，其球顶形成为平板结构，双音圈的顶部分别与球顶相连，上述结构虽然可以是扬声器薄型化设计的前提下在一定程度上提升其声学性能，但是不方便调整音圈在磁场中的位置，降低了磁场的利用率，影响声学性能。
[0050]
基于上述构思和问题，本实用新型提出一种发声装置100，可以理解的，该发声装置100应用于电子设备，电子设备可以是手机、音响、电脑、耳机、手表或电视等，在此不做限定。
[0051]
请结合参照图1至图6所示，在本实用新型实施例中，该发声装置100包括外壳1、磁路系统2及振动系统3，磁路系统2与外壳1连接，磁路系统2设有第一磁间隙2a和环绕第一磁间隙2a设置的第二磁间隙2b，振动系统3包括振膜31、第一音圈32及第二音圈33，振膜31与外壳1连接，并与磁路系统2相对设置，振膜31对应第一音圈32和第二音圈33和/或第二音圈33设有延伸部317，延伸部317沿第一音圈32和第二音圈33的振动方向(向上或向下)延伸，第一音圈32和第二音圈33和/或第二音圈33的一端通过延伸部317与振膜31连接，第一音圈32和第二音圈33的另一端悬设于第一磁间隙2a内，第二音圈33的另一端悬设于第二磁间隙2b内。
[0052]
在本实施例中，外壳1用于安装固定和保护磁路系统2、振动系统3以及发声装置100的其他部件，外壳1的结构可以具有容腔的壳体、盒体、箱体、安装壳、安装支架等结构，在此不做限定。可以理解的，外壳1是金属件时，磁路系统2与外壳1采用粘接固定。在另外的
实施例中，外壳1为塑料注塑成型时，磁路系统2的边导磁板先作为嵌件注塑在外壳1中，然后其他部分再粘接固定。
[0053]
可以理解的，通过在外壳1内设置容腔，并将磁路系统2设于容腔内，使得振动系统3与磁路系统2相对设置，并与外壳1连接，从而形成发声装置100的主体部分。
[0054]
在本实施例中，振动系统3包括振膜31以及驱动振膜31振动的第一音圈32和第二音圈33，第一音圈32和第二音圈33远离振膜31的一端分别悬设于磁路系统2的第一磁间隙2a和第二磁间隙2b内。当第一音圈32和第二音圈33与外部电路导通，利用第一音圈32和第二音圈33将电能传递至磁路系统2的第一磁间隙2a和第二磁间隙2b，并在第一磁间隙2a和第二磁间隙2b产生的磁力线作用下，使得第一音圈32、第二音圈33、振膜31作上下运动，也即利用磁路系统2产生的磁场将电能转换为机械能，从而使得第一音圈32和第二音圈33发生振动，并带动振动系统3的振膜31实现振动发声，进一步将机械能转换为声能。也即设置于第一磁间隙2a和第二磁间隙2b内的第一音圈32和第二音圈33接收到外部变化的交流电信号后，在磁路系统2的磁场力的驱动下做往复切割磁力线的运动，带动振动系统3的振膜31振动发声。
[0055]
在本实施例中，通过在振膜31面向第一音圈32和第二音圈33的一侧设有延伸部317，使得延伸部317沿第一音圈32和第二音圈33的振动方向延伸，从而利用延伸部317与第一音圈32和/或第二音圈33远离第一磁间隙2a和/第二磁间隙2b的一端连接，调节第一音圈32和/或第二音圈33的高度。可以理解的，振膜31对应第一音圈32设置有延伸部317，使得第一音圈32与延伸部317连接，从而调整第一音圈32的高度；或者是，振膜31对应第二音圈33设置有延伸部317，使得第二音圈33与延伸部317连接，从而调整第二音圈33的高度；又或者是，振膜31对应第一音圈32和第二音圈33设置有延伸部317，使得第一音圈32和第二音圈33分别与两个延伸部317连接，从而调整第一音圈32和第二音圈33的高度等，在此不做限定。
[0056]
可以理解的，在振膜31位置不变的情况下，通过调节延伸部317的高度可以自由调节第一音圈32和/或第二音圈33在第一磁间隙2a和/或第二磁间隙2b中的位置，使第一音圈32和/或第二音圈33结构尽量位于磁感线密集区域，提高磁场利用率特别是第一音圈32和/或第二音圈33向上振动时的磁场利用率，改善了bl曲线的对称性，使第一音圈32和/或第二音圈33上下振动时的驱动力更加趋于平衡，进而提高了振动系统3的振幅对称性，有效降低了发声装置100的失真特别是低频失真，提高了发声装置100的灵敏度，整体提升了发声装置100的声学性能。
[0057]
需要说明的是，延伸部317同样需要选择具有一定刚性，且质量轻的材料，一方面能够可靠连接振膜31与第一音圈32和/或第二音圈33，同时又不会对振动系统3的整体质量产生太大影响。因此，延伸部317适于设置在振膜31的球顶311上。
[0058]
可选地，延伸部317与振膜31一体成型，一体成型结构不会额外增加零部件及增加组装工序，制作成本低。当然可以理解的是，延伸部317也可以设置成分体件，由此可以根据实际的使用需求设置延伸部317的长度，在此不做限定。
[0059]
本实用新型的发声装置100利用外壳1实现磁路系统2和振动系统3的安装固定，通过在磁路系统2上设置第一磁间隙2a和第二磁间隙2b，并将振动系统3设置为振膜31、第一音圈32及第二音圈33，使得第一音圈32和第二音圈33的一端与振膜31连接，第一音圈32的另一端悬设于第一磁间隙2a内，第二音圈33的另一端悬设于第二磁间隙2b内，形成的双音
圈结构配合，能够有效提高磁场利用率，尤其磁场面积较大时的磁场利用率，如此在未增加发声装置100厚度的情况下，保证系统性能不变的情况下可以使磁路做到更薄，有助于发声装置100向轻薄化发展；同时，通过在振膜31对应第一音圈32和/或第二音圈33设置延伸部317，使得第一音圈32和/或第二音圈33的一端通过延伸部317与振膜31连接，从而利用延伸部317调整第一音圈32和/或第二音圈33在第一磁间隙2a和/或第二磁间隙2b的位置，进而优化其声学性能，且延伸部317的设置还有利于增加振膜31的刚性，使得发声装置100的高频得以优化，具有更高的谐振频率值。
[0060]
在一实施例中，振膜31包括球顶311、环绕球顶311设置的折环部312以及连接于折环部312外侧的固定部313，固定部313与外壳1连接，球顶311对应第一音圈32和第二音圈33均设有延伸部317，延伸部317包括对应第一音圈32设置的第一延伸部3171和对应第二音圈33设置的第二延伸部3172。
[0061]
在本实施例中，如图1和图2所示，振膜31包括球顶311、折环部312及固定部313，振膜31的固定部313与外壳1连接，球顶311和固定部313位于折环部312的两侧，振膜31的球顶311与第一音圈32和第二音圈33连接，如此第一音圈32和第二音圈33发生振动时，并带动振膜31的球顶311振动，以利用折环部312进行伸缩和振动，避免振动传递至振膜31的固定部313，使得固定部313与外壳1分离或裂开，从而影响发声装置100的性能。
[0062]
可选地，折环部312呈凸起或凹陷设置，折环部312为凹陷设置时，也即折环部312背向磁路系统2的一侧朝向磁路系统2凹陷，形成凹陷结构，此时该凹陷结构朝向磁路系统2呈凸起设置，也即折环部312朝向磁路系统2一侧凹陷形成凹陷结构；折环部312为凸起设置时，也即折环部312背向磁路系统2的一侧朝向远离磁路系统2的方向凸起，形成凸起结构，此时折环部312面向磁路系统2的一侧呈凹陷，也即折环部312朝向背向磁路系统2的一侧凸起形成凸起结构。
[0063]
可以理解的，振膜31的球顶311、折环部312及固定部313可选为一体成型设置。当然，振膜31的球顶311与折环部312也可设置为分体设置，在此不做限定。
[0064]
可选地，振膜31的固定部313可通过粘结或焊接等方式与外壳1连接，在此不做限定。在本实施例中，振膜31的固定部313通过胶水与外壳1连接，从而实现与磁路系统2相对设置的同时，实现振膜31与外壳1的连接稳定性和密封性。
[0065]
但是，采用胶水或胶粘方式固定振膜31时，振膜31与外壳1之间的胶水容易溢出，溢出的胶水挤压以后容易挤压至振膜31的折环部312上，导致振膜31偏振的变动很大，影响产品的声学性能。本实施例中，通过在固定部313面向外壳1的一侧设有容胶槽，从而利用容胶槽收集和收容振膜31与外壳1之间溢出的胶水，避免固定部313与外壳1之间的胶水溢出挤压至振膜31的折环部312上，导致振膜31偏振变动问题，从而有效提高产品的可靠性能。同时，通过将固定部313背向外壳1的一侧设置呈平面设置，从而在发声装置100装设于模组壳体内时，使得振膜31与模组壳体接触面积增大，减小因粘接不良导致的气密性不良风险，提高安装便利性和稳定性。
[0066]
在本实施例中，通过在球顶311上对应第一音圈32和第二音圈33均设有延伸部317，也即延伸部317包括对应第一音圈32设置的第一延伸部3171和对应第二音圈33设置的第二延伸部3172，从而利用第一延伸部3171和第二延伸部3172分别调整第一音圈32和第二音圈33在第一磁间隙2a和第二磁间隙2b的位置，进而优化其声学性能。
[0067]
可以理解的，球顶311和延伸部317的材质为金属材料。具体可以选择铝、铝镁合金、铝锂合金、钛合金中的一种，或者是其他可实现的公知金属材料。在球顶311为金属材料的情况下，一体成型延伸部317的工艺较为容易且可行性高，为了实现轻质量，金属材料球顶311的厚度一般很薄，较薄结构的球顶311上一体成型的延伸部317同样能够满足延伸部的性能要求。
[0068]
当然，球顶311和延伸部317的材质也可为碳纤维或复合材料等，也通过注塑方式在球顶311上形成一体成型的延伸部317等，在此不做限定。
[0069]
在一实施例中，如图1至图3所示，第一延伸部3171和第二延伸部3172均形成为朝向磁路系统2一侧向下凹陷的凹槽结构，也即第一延伸部3171和第二延伸部3172为球顶311朝向磁路系统2一侧向下凹陷形成的凹槽结构，此时球顶311面向第一音圈32和第二音圈33的一侧呈凸起设置，第一音圈32和第二音圈33的端部分别与第一延伸部3171和第二延伸部3172凸起的端部连接。
[0070]
可以理解的，球顶311背向第一音圈32和第二音圈33的一侧呈凹陷设置形成的凹槽结构，可选地，第一延伸部3171的截面呈v型槽、u型槽或楔形槽；第二延伸部3172的截面呈v型槽、u型槽或楔形槽，在此不做限定。
[0071]
在本实施例中，第二延伸部3172环绕第一延伸部3171设置，折环部312环绕第二延伸部3172设置。
[0072]
在另一实施例中，如图4所示，第一延伸部3171和第二延伸部3172均形成为背向磁路系统2一侧向上凸起的凸起结构，也即第一延伸部3171和第二延伸部3172为球顶311朝向背离磁路系统2一侧向上凸起形成的凸起结构，以使球顶311面向磁路系统2的一侧形成凹槽3173，第一音圈32和第二音圈33的一端限位于凹槽3173内。
[0073]
可以理解的，球顶311背向第一音圈32和第二音圈33的一侧呈凸起设置，球顶311面向第一音圈32和第二音圈33的一侧对应凸起的位置形成有凹槽3173，此时第一音圈32和第二音圈33的端部分别限位于第一延伸部3171和第二延伸部3172的凹槽3173内。
[0074]
可选地，凹槽3173的截面呈v型槽、u型槽或楔形槽。第二延伸部3172环绕第一延伸部3171设置，折环部312环绕第二延伸部3172设置。
[0075]
在又一实施例中，如图5和图6所示，第一延伸部3171和第二延伸部3172中的一个形成为朝向磁路系统2一侧向下凹陷的凹槽结构，第一延伸部3171和第二延伸部3172中的另一个形成为背向磁路系统2一侧向上凸起的凸起结构。
[0076]
如图5所示，第一延伸部3171形成为朝向磁路系统2一侧向下凹陷的凹槽结构，第二延伸部3172形成为背向磁路系统2一侧向上凸起的凸起结构。也即第一延伸部3171为球顶311朝向磁路系统2一侧向下凹陷形成的凹槽结构，第二延伸部3172为球顶311朝向背离磁路系统2一侧向上凸起形成的凸起结构，以使球顶311面向磁路系统2的一侧形成凹槽3173，第二音圈33的一端限位于凹槽3173内。
[0077]
在本实施例中，第一延伸部3171呈向下凹陷的凹槽结构，使得第一音圈32的端部与第一延伸部3171朝向磁路系统2一侧凸起的端部连接。第二延伸部3172呈向上凸起的凸起结构，使得球顶311面向第二音圈33的一侧对应凸起的位置形成有凹槽3173，此时第二音圈33的端部限位于第二延伸部3172的凹槽3173内。
[0078]
如图6所示，第一延伸部3171形成为背向磁路系统2一侧向上凸起的凸起结构，第
二延伸部3172形成为朝向磁路系统2一侧向下凹陷的凹槽结构。也即第一延伸部3171为球顶311朝向背离磁路系统2一侧向上凸起形成的凸起结构，以使球顶311面向磁路系统2的一侧形成凹槽3173，第一音圈32和第二音圈33的一端限位于凹槽3173内，第二延伸部3172为球顶311朝向磁路系统2一侧向下凹陷形成的凹槽结构。
[0079]
在本实施例中，第二延伸部3172呈向下凹陷的凹槽结构，使得第二音圈33的端部与第二延伸部3172朝向磁路系统2一侧凸起的端部连接。第一延伸部3171呈向上凸起的凸起结构，使得球顶311面向第一音圈32的一侧对应凸起的位置形成有凹槽3173，此时第一音圈32的端部限位于第一延伸部3171的凹槽3173内。
[0080]
需要说明的是，上述实施例的设置方式，可利用第一延伸部3171和第二延伸部3172分别调整第一音圈32和第二音圈33在第一磁间隙2a和第二磁间隙2b的位置，进而优化其声学性能；同时，通过在球顶311上设置第一延伸部3171和第二延伸部3172，从而有利于增加球顶311的刚性，使得发声装置100的高频得以优化，具有更高的谐振频率值。
[0081]
在本实施例中，第一延伸部3171和/或第二延伸部3172呈向下凹陷的凹槽结构时，该凹槽结构的开口朝向球顶311背向第一音圈32和第二音圈33的一侧，凹槽结构的深度为凹槽结构的开口至凹槽结构的底壁之间的距离，可选地，凹槽结构的深度小于0.35mm。可选地，凹槽结构的深度可以为0.2mm、0.25mm、0.3mm等。
[0082]
可以理解的，凹槽结构的截面可选为v型或u型，也即凹槽的截面形成为v型或u型，在此不做限定。
[0083]
当然，第一延伸部3171和/或第二延伸部3172呈向上凸起的凸起结构时，也即球顶311面向第一音圈32/或第二音圈33的一侧对应凸起的位置形成有凹槽3173，该凹槽3173的开口朝向球顶311面向第一音圈32和/或第二音圈33的一侧，凹槽3173的深度为凹槽3173的开口至凹槽3173的底壁之间的距离，可选地，凹槽3173的深度小于0.35mm。可选地，凹槽3173的深度可以为0.2mm、0.25mm、0.3mm等。
[0084]
可以理解的，凹槽3173的截面可选为v型或u型，也即凹槽的截面形成为v型或u型，在此不做限定。
[0085]
在一实施例中，球顶311为金属材质时，延伸部317是通过对球顶311进行冲压弯折形成。可以理解的，球顶311具有与折环部312进行固定的外边缘部；延伸部317是通过对球顶311上位于该外边缘部内侧的部分进行冲压弯折形成。该种结构，延伸部317通过两侧的弯折部分成型连接在球顶311上，整体强度较高，可以对第一音圈32/第二音圈33形成可靠支撑。
[0086]
当然，球顶311为非金属材质时，球顶311通过注塑形成第一延伸部3171和第二延伸部3172，在此不做限定。
[0087]
可选地，第一延伸部3171和第二延伸部3172与球顶311为一体成型结构。如此设置，不仅简化了球顶311的加工步骤，还提高了延伸部317与球顶311之间的连接强度。可选地，延伸部317的截面呈v型或u型。
[0088]
在一实施例中，球顶311的厚度大于或等于30μm。可以理解的，球顶311的厚度大于或等于30μm，从而确保球顶311在振动过程中不会发生断裂。可以理解的，球顶311的厚度小于0.25mm，具体可根据实际情况调整，在此不做限定。
[0089]
在本实施例中，通过将球顶311的厚度设置为超薄结构，从而可以节省更多的空
间，做到即使超薄但振动空间也足够，可达到同等的声学性能，更利于将来手机和pad以及折叠机的发展前景。
[0090]
在一实施例中，折环部312远离固定部313的一侧设有内环部314，内环部314围合形成开口315，内环部314具有相对设置的第一表面和第二表面，球顶311盖合于开口315，并与第一表面或第二表面连接。
[0091]
如图1至图6所示，在本实施例中，通过在折环部312内侧设置内环部314，使得内环部314围合形成有开口315，球顶311的周缘与内环部314连接，以遮盖开口315。
[0092]
可以理解的，振膜31的内环部314、折环部312、固定部313为一体成型结构。球顶311与内环部314可通过粘结或焊接等方式连接。可以理解的，球顶311可设置于内环部314背向磁路系统2的一侧，也可以设置于内环部314面向磁路系统2的一侧，在此不做限定。
[0093]
在本实施例中，球顶311背向磁路系统2的一侧和固定部313背向外壳1的一侧位于同一平面。内环部314围合形成有开口315，球顶311的周缘与内环部314连接，以遮盖开口315。此时内环部314具有相对设置的上侧和下侧，球顶311的周缘与内环部314的上侧或下侧连接，从而利用球顶311加强振膜31的中央部。可选地，内环部314为镂空结构。
[0094]
在另一实施例中，内环部314可以是连接为一体的平板结构，如此所述内环部314具有相对设置的上侧和下侧，此时球顶311与内环部314的上侧或下侧连接，从而利用球顶311加强振膜31的中央部。可以理解的，通过将振膜31的中央部设置为内环部314以及连接于内环部311的球顶311，从而提高振膜31中央部的结构稳定性，提升高频性能。
[0095]
在一实施例中，球顶311的中部设有朝向磁路系统2一侧凸起的凸起部，磁路系统2对应凸起部设有凹陷部。可以理解的，通过在磁路系统2上设置凹陷部，使得凹陷部对应球顶311的凸起部设置，从而使得磁路系统2上的凹陷部为凸起部提供的避让空间(也即凸起部与凹陷部)吻合，既节省了振动空间，同时可以提升fr高频。
[0096]
可选地，凸起部的横截面形状和大小与凹陷部的横截面形状和大小相适配。可以理解的，球顶311若设置为平板结构则不能发挥其高频优势，球顶311通过设置凸起部，并在磁路系统2设置避让结构，使得凸起部与磁路系统2的底部位移通常设置为最大振幅 0.12mm(振幅≤0.6时)，或0.15mm(振幅＞0.6时)，从而确保发声装置100的声学性能。
[0097]
在本实施例中，如此设置，使得发声装置100可以提升中频及高频8k之后的灵敏度，扩展高频，fr曲线更平滑，乐器播放更加丰富。发声装置100在播放高频信号时，可以减少谐波分量，有效改善thd(总谐波失真)，主观听感更加清晰。
[0098]
在一实施例中，折环部312设有加强筋结构316，加强筋结构316为设于折环部312的凹陷或凸起结构。可以理解的，通过在折环部312设置加强筋结构316，从而有效改善振膜31的振幅，还可以提高折环部312的结构强度。可选地，加强筋结构316为设于折环部312的凹陷结构或凸起结构或筋条等，在此不做限定。
[0099]
在一实施例中，沿从球顶311至固定部313的方向，折环部312的厚度不完全相同，折环部312的最小厚度大于或等于0.06mm。
[0100]
可以理解的，通过将振膜31的折环部312设置为不等厚度，例如折环部312的厚度从球顶311至固定部313可设置为由厚到薄或由薄到厚或两边薄中间厚或两边厚中间薄等不等厚设置，从而增加折环部312的形变能力，如此可增大振膜31的谐振频率，以减小偏振，如此有效提高发声装置100的振动性能和声学性能，减少发声装置100振动时的失真性。
[0101]
在一实施例中，振膜31还包括由固定部313远离折环部312的一侧朝向外壳1弯折延伸形成的弯折部，弯折部与外壳1的外侧壁连接。
[0102]
在本实施例中，弯折部连接于固定部313远离折环部312的一端，弯折部可由固定部313弯折形成，例如采用冲压弯折形成；弯折部也可以通过模具注塑挤压形成，使得弯折部与固定部313为一体成型结构。
[0103]
可以理解的，通过设置弯折部，可利用弯折部与外壳1的外侧壁连接，一方面可提高振膜31与外壳1连接的稳定性和密封性，另一方面，又可以大振膜31的有效振动面积。当然，在其他实施例中，固定部313也可以是由折环部312的外侧边向下延伸形成，也即固定部313与外壳1的外壁通过粘结等方式连接。
[0104]
在本实施例中，振膜31材料的选择中，球顶311通常采用刚性大，质地硬且密度相对较小的材料，对发声装置100的高频性能影响较大，其材料选择例如铝、铝合金、碳纤维、刚性塑料或者是上述材料与发泡材料的复合结构等等。折环部312通常采用顺性大，质地柔软且富有弹性的材料，对发声装置的中低频性能影响较大，其材料选择例如包含peek、tpu、tpee、硅胶、橡胶等的单层或者复合结构。
[0105]
在一实施例中，折环部312朝向磁路系统2一侧凹陷，磁路系统2对应折环部312设有向下凹陷设置的避位槽243。可以理解的，通过在磁路系统2上对应折环部312设置避位槽243，可利用避位槽243对折环部312的振动提供避让，且有效增大振动空间，提升产品性能。
[0106]
在一实施例中，磁路系统2包括导磁轭21、中心磁路部22、第一边磁路部23及第二边磁路部24，其中，导磁轭21与外壳1背向振膜31的一侧连接，中心磁路部22设于导磁轭21面向振膜31的一侧，第一边磁路部23设于导磁轭21面向振膜31的一侧，并环绕中心磁路部22设置，第一边磁路部23与中心磁路部22之间形成第一磁间隙2a，第二边磁路部24设于导磁轭21面向振膜31的一侧，并环绕第一边磁路部23设置，第二边磁路部24与第一边磁路部23之间形成第二磁间隙2b。
[0107]
可以理解的，导磁轭21固定于外壳1，中心磁路部22、第一边磁路部23及第二边磁路部24设于导磁轭21面向振动系统3的一侧，且第一边磁路部23环绕中心磁路部22设置，并与中心磁路部22之间形成第一磁间隙2a，第二边磁路部24环绕第一边磁路部23设置，并与第一边磁路部23之间形成第二磁间隙2b，从而方便振动系统3的第一音圈32和第二音圈33分别悬设于第一磁间隙2a和第二磁间隙2b内，也即中心磁路部22与第一边磁路部23之间以及第一边磁路部23与第二边磁路部24之间。振膜31的球顶311对应磁路系统2的中心磁路部22和第一边磁路部23设置，振膜31的折环部312对应磁路系统2的第二边磁路部24设置。
[0108]
在一实施例中，第一边磁路部23和第二边磁路部24呈环形设置，也即不做打断设计的第一边磁路部23和第二边磁路部24体积更大，使得磁场强度更高，从而提高发声装置100的声学性能。
[0109]
在另一实施例中，第一边磁路部23包括多个，第二边磁路部24包括多个，多个第一边磁路部23和多个第二边磁路部24间隔设置，并环绕中心磁路部22设置，使得每一第一边磁路部23与中心磁路部22之间形成第一磁间隙2a，每一第二边磁路部24与每一第一边磁路部23之间形成第二磁间隙2b，且相邻两个第一边磁路部23间隔设置，形成第一间隙233；相邻两个第二边磁路部24间隔设置，形成第二间隙244。
[0110]
在一实施例中，如图1至图6所示，中心磁路部22包括中心磁铁221和中心华司222，
中心磁铁221设于导磁轭21，中心华司222设于中心磁铁221背向导磁轭21的一侧，中心华司222背向中心磁铁221的一侧设有凹陷部，凹陷部为凹槽结构或通槽结构。第一边磁路部23包括第一边磁铁231和第一边华司232，第一边磁铁231设于导磁轭21，并环绕中心磁路部22设置，第一边华司232设于边磁铁231背向导磁轭21的一侧。第二边磁路部24包括第二边磁铁241和第二边华司242，第二边磁铁241设于导磁轭21，并环绕第一边磁铁231设置，第二边华司242设于第二边磁铁241背向导磁轭21的一侧，避位槽243设于第二边华司242背向第二边磁铁241的一侧。可选地，凹陷部可以设在中心磁铁221的中心位置。
[0111]
在本实施例中，中心磁铁221和中心华司222的结构轮廓相同，中心磁铁221和中心华司222可选为板状结构。第一边磁铁231和第一边华司232的结构轮廓相同，第一边磁铁231和第一边华司232的可选为环状结构或多个条形结构，在此不做限定。第二边磁铁241和第二边华司242的结构轮廓相同，第二边磁铁241和第二边华司242的可选为环状结构或多个条形结构，在此不做限定。
[0112]
可以理解的，第二边华司242可固定于导磁轭21，并与第二边磁铁241相对抵接。在本实施例中，如图1和图2所示，第二边华司242连接于外壳1，使得第二边华司242与外壳1设置为一体结构，从而简化发声装置100的加工工艺。在本实施例中，外壳1与第二边华司242的材质均为金属材料，从而有利于提高导热散热效果。
[0113]
在一实施例中，第一边磁路部23和第二边磁路部24设有连通第一磁间隙2a和第二磁间隙2b的多个第一间隙233，第二边磁路部24设有连通第二磁间隙2b的多个第二间隙244，每一第二间隙244与一第一间隙233对应；发声装置100还包括多个定心支片4，每一定心支片4的一端与外壳1连接，定心支片4的另一端依次穿过一第二间隙244和一第一间隙233，并分别与第二音圈33和第一音圈32和第二音圈33相连；导磁轭21对应每一定心支片4的位置设有避让空间211。
[0114]
可以理解的，为了避免第一音圈32和第二音圈33振动时发生左右摆动，从而带动振膜31发生左右摆动，以影响发声装置100的高频性能、输出音质及总谐波等性能。在本实施例中，发声装置100还设置有定心支片4，定心支片4包括多个，使得定心支片4的一端与外壳1连接，定心支片的另一端与第一音圈32和第二音圈33远离振膜31的一端连接，从而对第一音圈32和第二音圈33实现定心作用，有效避免第一音圈32、第二音圈33、振膜31在振动过程时发生左右摆动的情况，大大提升了发声装置100的结构牢固性能。
[0115]
在本实施例中，定心支片4包括外固定部和弹性部，外固定部通过连接部与弹性部连接。可以理解的，定心支片4的外固定部与外壳1连接，定心支片的弹性部位于第二间隙244和第一间隙233内，弹性部的端部依次穿过第二间隙244、第二磁间隙2b、第一间隙233及第一磁间隙2a，使得弹性部位于第二磁间隙2b的部分与第二音圈33连接，弹性部位于第一磁间隙2a的部分与第一音圈32连接。
[0116]
通过将定心支片4设置为外固定部和弹性部，使得外固定部和弹性部通过直线段的连接部连接，且外固定部、弹性部及连接部位于同一平面，从而使得定心支片4中的弹性部仅在环形的拐弯处有折弯，可以大大减少弹性部的折弯的数量，且环形拐弯处的弧度较大，可以有效降低弹性部工作中的应力分布，更不易发生形变，降低产品可靠性风险。
[0117]
在本实施例中，定心支片4可选为fpcb材料制成，定心支片4的弹性部设有焊盘，如此方便第一音圈32和第二音圈33的引线与弹性部的焊盘连接，使得第一音圈32和第二音圈
33通过定心支片4与外部电路实现电连接和电路导通。同时，有效保护了第一音圈32和第二音圈33的引线，避免引线在第一音圈32和第二音圈33振动过程中发生断裂等现象。
[0118]
可以理解的，通过在导磁轭21对应定心支片4的弹性部的位置设有避让空间211，从而可以增大定心支片4上下振动的幅度，进而可以增大振动系统3的振幅。可选地，避让空间211可以凹槽或通槽结构，在此不做限定。
[0119]
在一实施例中，发声装置100还包括钢网，导磁轭21背向振膜31一侧设有限位槽，避让空间211贯穿限位槽的底壁，至少部分钢网限位于限位槽内，并遮盖避让空间211，钢网对应避让空间211设有透气孔。
[0120]
在本实施例中，通过设置钢网，利用钢网遮盖避让空间211，在发声装置100装设于模组壳体内时，可利用钢网阻隔吸音颗粒等进入发声装置100内，以可实现模组壳体内的吸音颗粒的全灌装设计，实现后腔虚拟体积的最大化，提高发声装置的低音性能。
[0121]
可以理解的，导磁轭21背向振膜31一侧设有限位槽，避让空间211贯穿限位槽的底壁，从而利用限位槽限位安装钢网。通过在钢网设置透气孔，可利用透气孔实现出音和透气功能。
[0122]
本实用新型还提出一种电子设备，该电子设备包括设备壳体和上述的发声装置100，发声装置100设于设备壳体。该发声装置100的具体结构参照前述实施例，由于本电子设备采用了前述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有前述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
[0123]
在本实施例中，设备壳体内设有腔体，发声装置100设于腔体内。可以理解的，电子设备可以是手机、音响、电脑、耳机、手表、电视或平板电脑等，在此不做限定。
[0124]
以上所述仅为本实用新型的可选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。