双向可控硅开关电路、双向可控硅控制电路以及电子设备的制作方法

技术特征：
1.一种双向可控硅开关电路，其特征在于，包括：双向可控硅、光耦、充放电电路和第一电容；所述充放电电路的正极与所述双向可控硅的第一主端子和交流电源的火线连接；所述充放电电路的负极经由所述光耦的两个输出端与所述双向可控硅的门极连接，且所述充放电电路的负极经由所述第一电容与所述交流电源的零线连接；所述双向可控硅的第一主端子连接所述交流电源的火线，所述双向可控硅的第二主端子经由负载连接所述交流电源的零线；所述光耦的两个输入端为所述双向可控硅开关电路的触发端，且所述光耦的两个输入端连接于开关控制回路。2.根据权利要求1所述的双向可控硅开关电路，其特征在于，所述充放电电路包括储能电容和第一二极管；所述储能电容的正极与所述双向可控硅的第一主端子和所述交流电源的火线连接，所述储能电容的负极与所述第一二极管的正极连接；所述第一二极管的负极经由所述第一电容与所述交流电源的零线连接。3.根据权利要求2所述的双向可控硅开关电路，其特征在于，所述充放电电路还包括稳压管；所述稳压管的正极与所述第一二极管的负极连接；所述稳压管的负极与所述储能电容的正极连接。4.一种双向可控硅控制电路，其特征在于，包括降压斩波电路、控制器和双向可控硅开关电路；所述降压斩波电路的输入端连接交流电源，所述降压斩波电路输出端经由所述双向可控硅开关电路的触发端连接至所述控制器的开关控制信号输出端；所述双向可控硅开关电路包括：双向可控硅、光耦、充放电电路和第一电容；所述充放电电路的正极与所述双向可控硅的第一主端子和交流电源的火线连接；所述充放电电路的负极经由所述光耦的两个输出端与所述双向可控硅的门极连接，且所述充放电电路的负极经由所述第一电容与所述交流电源的零线连接；所述双向可控硅的第一主端子连接所述交流电源的火线，所述双向可控硅的第二主端子经由负载连接所述交流电源的零线；所述光耦的两个输入端为所述双向可控硅开关电路的触发端，且所述光耦的两个输入端连接于开关控制回路。5.根据权利要求4所述的双向可控硅控制电路，其特征在于，所述充放电电路包括储能电容和第一二极管；所述储能电容的正极与所述双向可控硅的第一主端子和所述交流电源的火线连接，所述储能电容的负极与所述第一二极管的正极连接；所述第一二极管的负极经由所述第一电容与所述交流电源的零线连接。6.根据权利要求5所述的双向可控硅控制电路，其特征在于，所述充放电电路还包括稳压管；所述稳压管的正极与所述第一二极管的负极连接；所述稳压管的负极与所述储能电容的正极连接。7.根据权利要求5所述的双向可控硅控制电路，其特征在于，所述降压斩波电路包括第二二极管、开关、电感、第二电容、第三电容和第三二极管；所述第二二极管的正极与所述交流电源的火线连接；所述第二二极管的负极经由所述开关与所述电感的第一连接端连接，且所述第二二极管的负极与所述第二电容的正极连接；所述第二电容的负极与所述交流电源的零线连接；所述电感的第二连接端与所述第三电容的正极连接；所述第三电容的负极与所述交流电源的零线连接，且所述第三电容的正极还经由所述光耦的两个输入端与所述控制器的开关控制信号输出端连接；所述第三二极管的正极
与所述交流电源的零线连接；所述第三二极管的负极与所述电感的第一连接端连接。8.一种电子设备，其特征在于，包括：降压斩波电路、控制器、双向可控硅开关电路以及电子设备主体；所述降压斩波电路的输入端连接交流电源，所述降压斩波电路输出端经由所述双向可控硅开关电路的触发端连接至所述控制器的开关控制信号输出端；所述双向可控硅开关电路连接于所述电子设备主体的交流供电回路；所述双向可控硅开关电路包括：双向可控硅、光耦、充放电电路和第一电容；所述充放电电路的正极与所述双向可控硅的第一主端子和交流电源的火线连接；所述充放电电路的负极经由所述光耦的两个输出端与所述双向可控硅的门极连接，且所述充放电电路的负极经由所述第一电容与所述交流电源的零线连接；所述双向可控硅的第一主端子连接所述交流电源的火线，所述双向可控硅的第二主端子经由负载连接所述交流电源的零线；所述光耦的两个输入端为所述双向可控硅开关电路的触发端，且所述光耦的两个输入端连接于开关控制回路。9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述充放电电路包括储能电容和第一二极管；所述储能电容的正极与所述双向可控硅的第一主端子和所述交流电源的火线连接，所述储能电容的负极与所述第一二极管的正极连接；所述第一二极管的负极经由所述第一电容与所述交流电源的零线连接。10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述充放电电路还包括稳压管；所述稳压管的正极与所述第一二极管的负极连接；所述稳压管的负极与所述储能电容的正极连接。

技术总结
本申请实施例提供一种双向可控硅开关电路、双向可控硅控制电路以及电子设备，双向可控硅开关电路，包括：双向可控硅、光耦、充放电电路和第一电容；充放电电路的正极与双向可控硅的第一主端子和交流电源的火线连接；充放电电路的负极经由光耦的两个输出端与双向可控硅的门极连接，且充放电电路的负极经由第一电容与交流电源的零线连接；双向可控硅的第一主端子连接交流电源的火线，双向可控硅的第二主端子经由负载连接交流电源的零线；光耦的两个输入端为双向可控硅开关电路的触发端，且光耦的两个输入端连接于开关控制回路。本申请实施例无需采用高成本的高压双向光控晶闸管隔离驱动芯片，可节省成本。可节省成本。可节省成本。


技术研发人员：尹波
受保护的技术使用者：广州视琨电子科技有限公司
技术研发日：2021.04.23
技术公布日：2022/1/11