一种用于异质结太阳能电池的载板的制作方法

1.本实用新型涉及太阳能电池加工技术领域，具体涉及一种用于异质结太阳能电池的载板。


背景技术：

2.异质结太阳能电池是一种利用晶体硅和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。异质结太阳能电池制造方法通常为：利用pecvd在表面织构化后的n型晶体硅片的正面沉积很薄的i型本征非晶硅薄膜和p型非晶硅薄膜，然后在晶体硅片的背面沉积薄的i型本征非晶硅薄膜和n型非晶硅薄膜；利用溅射技术在电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜，然后在透明氧化物导电薄膜上制作金属电极。异质结太阳能电池结合了晶体硅电池和硅基薄膜电池的优点，具有制造流程短、工艺温度低、转换效率高和发电量多等优点。
3.现有技术中，异质结太阳能电池利用pecvd设备进行镀膜时，需要将硅片放置在载板上，并将载板传送至pecvd成膜腔室内进行成膜，在成膜工艺完成后镀膜载板被传出pecvd设备，完成镀膜工艺。而现有技术的用于异质结太阳能电池的载板通常设置有用于放置硅片的凹槽，在进行异质结电池片的生产时，硅片放置在载板的凹槽内。由于载板与硅片的接触面积大，易导致硅片表面较多划伤，且载板易被硅片磨损，造成粉尘对硅片的污染，从而影响异质结太阳能电池的品质以及光电转换效率。


技术实现要素：

4.本实用新型提供一种用于异质结太阳能电池的载板，旨在解决现有技术中的用于异质结太阳能电池的载板存在易导致硅片表面较多划伤，且载板易被硅片磨损，造成粉尘对硅片的污染，从而影响异质结太阳能电池的品质以及光电转换效率的问题。
5.本实用新型是这样实现的，提供一种用于异质结太阳能电池的载板，包括：
6.框架，所述框架的正面设置有至少一个凹槽，所述凹槽的底面凸起形成用于支撑硅片的支撑台阶，所述支撑台阶开设有连通所述凹槽与外界的排气孔；以及
7.涂设于所述框架的正面的氧化钇涂层，所述氧化钇涂层同时覆盖所述支撑台阶的外表面及所述凹槽的内表面。
8.优选的，所述支撑台阶相对所述凹槽的底面的高度为0.3-0.6mm。
9.优选的，所述支撑台阶的宽度为3-5mm。
10.优选的，所述支撑台阶环绕所述凹槽的内侧边缘设置。
11.优选的，所述支撑台阶均匀间隔设置有多个所述排气孔。
12.优选的，所述支撑台阶为方形，所述支撑台阶的四个角位置或四条边的中心位置分别设置有所述排气孔。
13.优选的，所述框架为一体式结构。
14.优选的，所述框架为拼接式结构。
15.优选的，所述框架设置有多个所述凹槽，多个所述凹槽均匀间隔分布。
16.优选的，所述框架为石墨框架或碳纤维框架。
17.本实用新型提供的一种用于异质结太阳能电池的载板通过在凹槽的底面设置用于支撑硅片的支撑台阶，并在支撑台阶开设有连通凹槽与外界的排气孔，硅片装载在载板的凹槽内时，硅片只与支撑台阶接触，减小了硅片与载板的接触面积，避免硅片大面积被载板划伤，降低了硅片被载板划伤的可能；而且，凹槽内的空气利用排气孔进行排出，使得硅片装载在载板上的过程更为平稳；同时，通过在框架的正面涂设氧化钇涂层，氧化钇涂层同时覆盖支撑台阶的外表面及凹槽的内表面，这样使载板的正面覆盖一层氧化钇涂层，利用氧化钇涂层对载板进行保护，防止载板被硅片磨损，可以有效地降低载板的耗损，降低载板更换的频率，降低生产成本，且减少停机时间增加产量；而且，可以防止因载板磨损造成粉尘对硅片的污染，减少硅片表面的颗粒物，从而提升异质结太阳能电池的品质以及光电转换效率。
附图说明
18.图1为本实用新型实施例提供的一种用于异质结太阳能电池的载板的结构示意图；
19.图2为本实用新型实施例提供的一种用于异质结太阳能电池的载板的部分结构示意图；
20.图3为沿图2中a-a方向的剖面结构示意图；
21.图4为本实用新型实施例提供的一种用于异质结太阳能电池的载板装载硅片时的结构示意图；
22.图5为本实用新型实施例提供的另一种用于异质结太阳能电池的载板的结构示意图。
具体实施方式
23.为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
24.本实用新型实施例提供的一种用于异质结太阳能电池的载板通过在凹槽的底面设置用于支撑硅片的支撑台阶，并在支撑台阶开设连通凹槽与外界的排气孔，异质结太阳能电池的硅片装载在载板上时，硅片只与支撑台阶接触，减小了硅片与载板的接触面积，避免硅片大面积被载板划伤，降低了硅片被载板划伤的可能；而且，凹槽内的空气利用排气孔进行排出，使得硅片装载在载板上的过程更为平稳；同时，通过在框架的正面涂设氧化钇涂层，氧化钇涂层同时覆盖支撑台阶的外表面及凹槽的内表面，这样使载板的正面覆盖一层氧化钇涂层，利用氧化钇涂层对载板进行保护，防止载板被硅片磨损，可以有效地降低载板的耗损，降低载板更换的频率，降低生产成本，且减少停机时间增加产量；而且，可以防止因载板磨损造成粉尘对硅片的污染，减少硅片表面的颗粒物，从而提升电池的品质以及光电转换效率。
25.请参照图1-图4，本实用新型实施例提供一种用于异质结太阳能电池的载板，包括：
26.框架1，框架1的正面设置有至少一个凹槽2，凹槽2的底面凸起形成用于支撑硅片的支撑台阶3，支撑台阶3开设有连通凹槽2与外界的排气孔4；以及
27.涂设于框架1的正面的氧化钇涂层5，氧化钇涂层5同时覆盖支撑台阶3的外表面及凹槽2的内表面。
28.本实用新型实施例中，框架1为石墨框架1或碳纤维框架1，即框架1由石墨或碳纤维制成，利用石墨或碳纤维的高稳定性，使框架1具有较好的稳定性和耐磨性。
29.本实用新型实施例中，框架1设置有多个凹槽2，多个凹槽2均匀间隔分布。其中，且多个凹槽2在框架1上呈多行多列排布。本实施例中，图1示出的凹槽2的数量为25个，25个凹槽2呈五行五列排布。其中，凹槽2的形状尺寸与异质结太阳能电池的硅片的形状尺寸相配合。本实施例中，图1示出的凹槽2的形状为方形。
30.如图4所示，本实用新型实施例中，通过在凹槽2的底面设置用于支撑硅片的支撑台阶3，该用于异质结太阳能电池的载板在装载异质结太阳能电池的硅片200时，硅片200只与支撑台阶3接触，避免硅片200的整个下表面与载板的接触，从而减小了硅片与载板的接触面积，避免硅片大面积被载板划伤，降低了硅片被载板划伤的可能。其中，支撑台阶3为相对凹槽2的底面凸起的凸台结构。支撑台阶3的上表面为平面结构，确保硅片与支撑台阶3稳定接触。
31.作为本实用新型的一个实施例，支撑台阶3相对凹槽2的底面的高度为0.3-0.6mm，在硅片200放置在支撑台阶3上时，可以确保硅片200与凹槽2的底面留有足够的空隙，便于硅片的放置。
32.作为本实用新型的一个实施例，支撑台阶3的宽度为3-5mm，确保硅片稳定支撑在支撑台阶3上。
33.作为本实用新型的一个实施例，支撑台阶3环绕凹槽2的内侧边缘设置，即支撑台阶3整体为连续分布的环形，当硅片200放置在载板上时，硅片200的边缘均与支撑台阶3接触，使硅片200稳定支撑在支撑台阶3上。本实施例中，支撑台阶3具体为方形。除本实施例外，支撑台阶3也可以环绕凹槽2的内侧边缘呈断点式设置。
34.本实用新型实施例中，通过在并在支撑台阶3开设连通凹槽2与外界的排气孔4，凹槽2内的空气利用排气孔4进行排出，可以减少硅片吸片时产生的压力差，使得硅片装载在载板上的过程更为平稳。
35.作为本实用新型的一个实施例，支撑台阶3均匀间隔设置有多个排气孔4，使凹槽2内的空气利用多个排气孔4进行均匀排气，进一步确保硅片装载在载板上的平稳性。
36.作为本实用新型的一个实施例，支撑台阶3为方形，支撑台阶3的四个角位置处或四条边的中心位置分别设置有排气孔4。
37.请参照图4，作为本实用新型的一个实施例，框架1为一体式结构，即框架1一体成型制成，此结构的载板的优点是稳定性强，载板在移动过程中更加平稳，且可以节省框架1的组装工序。
38.请参照图5，作为本实用新型的另一个实施例，框架1为拼接式结构。本实施例中，该用于异质结太阳能电池的载板由分体的多列框架拼接组装而成，此结构的载板的优点是维修方便，更换一列框架的成本低，便于该用于异质结太阳能电池的载板的后期维修。
39.本实用新型实施例中，通过在框架1的正面涂设氧化钇涂层5，氧化钇涂层5同时覆
盖支撑台阶3的外表面及凹槽2的内表面，使载板的正面完全覆盖一层氧化钇涂层5，利用氧化钇涂层5对载板进行保护，利用氧化钇良好的耐高温、耐腐蚀及耐磨性能，防止载板被硅片磨损，可以有效地降低载板的耗损，降低载板更换的频率，降低生产成本，且减少停机时间增加产量；而且，可以防止因载板磨损造成粉尘对硅片的污染，减少硅片表面的颗粒物，从而提升电池的品质以及光电转换效率。优选的，氧化钇涂层5的厚度为0.1～0.3mm。
40.本实用新型实施例提供的一种用于异质结太阳能电池的载板通过在凹槽的底面设置用于支撑硅片的支撑台阶，并在支撑台阶开设连通凹槽与外界的排气孔，硅片放置在载板上时，硅片只与支撑台阶接触，减小了硅片与载板的接触面积，避免硅片大面积被载板划伤，降低了硅片被载板划伤的可能；而且，凹槽内的空气利用排气孔进行排出，使得硅片装载在载板上的过程更为平稳；同时，通过在框架的正面涂设氧化钇涂层，氧化钇涂层同时覆盖支撑台阶的外表面及凹槽的内表面，这样使载板的正面覆盖一层氧化钇涂层，利用氧化钇涂层对载板进行保护，防止载板被硅片磨损，可以有效地降低载板的耗损，降低载板更换的频率，降低生产成本，且减少停机时间增加产量；而且，可以防止因载板磨损造成粉尘对硅片的污染，减少硅片表面的颗粒物，从而提升异质结太阳能电池的品质以及光电转换效率。
41.以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。