半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：势垒层；介电层，其安置于所述势垒层上并且界定第一凹部；第一间隔件，其安置于所述第一凹部内；第二间隔件，其安置于所述第一凹部内，并与所述第一间隔件分隔开；第一保护层，其中所述第一保护层包括介于所述第一间隔件与所述介电层之间的第一部分，且所述第一保护层包括介于所述第一间隔件与所述势垒层之间的第二部分，其中所述第一保护层的所述第一部分包含位于所述第一间隔件与所述介电层之间的弯曲表面；以及栅极，其安置于所述第一间隔件与所述第二间隔件之间，其中所述栅极界定栅极凹部，且所述栅极还从所述第一间隔件与所述第二间隔件之间延伸至所述第一保护层的所述第一部分的所述弯曲表面之上，并还延伸至所述介电层之上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极的宽度大于所述第一间隔件与所述第二间隔件之间的最大距离。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极凹部由所述栅极的一对凸表面界定。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极的一部分共形地安置于所述第一间隔件与所述第二间隔件的上表面上，以形成所述栅极的所述一对凸表面。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一间隔件与所述第二间隔件各自的所述上表面为曲面。6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第一间隔件的所述上表面连接所述第一保护层的所述第一部分的所述弯曲表面。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述介电层的上表面相对所述势垒层的高度大于所述第一间隔件及所述第二间隔件相对所述势垒层的最大高度。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极与所述介电层的界面位置相对所述势垒层的高度大于所述第一间隔件及所述第二间隔件相对所述势垒层的最大高度。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述介电层的上表面相对所述势垒层的高度小于所述第一间隔件及所述第二间隔件相对所述势垒层的最大高度。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极与所述介电层的界面位置相对所述势垒层的高度小于所述第一间隔件及所述第二间隔件相对所述势垒层的最大高度。11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极与所述介电层的界面位置相对所述势垒层的高度小于所述第一保护层的所述第一部分的所述弯曲表面的最大高度。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极包括底部，所述底部与所述势垒层形成界面，且所述界面为平坦表面。13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述第一保护层和所述势垒层之间的界面与所述栅极和所述势垒层之间的所述界面为共面。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第二保护层，其中所述第二保护层包括介于所述第二间隔件与所述介电层之间的第一部分，且所述第二保护层包括介于所述第二间隔件与所述势垒层之间的第二部分，其中所述第二保护层的所述第一部分包含位于所述第二间隔件与所述介电层之间的弯曲表面，且所述栅极还从所述第一间隔件与所述第二间隔件之间延伸至所述第二保护层的所述第一部分的所述弯曲表面之上，并还延伸至所述介电层之上。15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，所述第一保护层和所述势垒层之间的界面与所述栅极和所述势垒层之间的所述界面为共面。16.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一间隔件的侧表面连接所述第一保护层的所述第一部份。17.根据权利要求16所述的半导体装置，其特征在于，所述第一间隔件的下表面连接所述第一保护层的所述第二部份。18.根据权利要求17所述的半导体装置，其特征在于，所述第一间隔件被所述栅极与所述第一保护层包覆。19.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一间隔件的最顶部部份与所述介电层的上表面为非共面的。20.一种半导体装置，其特征在于，包括：势垒层；介电层，其安置于所述势垒层上并且界定第一凹部；第一保护层，其安置于所述第一凹部内；间隔件，其安置于所述第一凹部内，且通过所述保护层与所述势垒层隔开以及与所述介电层隔开；以及栅极，自所述第一凹部延伸至所述第一保护层，并还延伸至所述介电层之上，使得所述栅极的宽度大于所述第一凹部的宽度。

技术总结
半导体装置包含势垒层、介电层、第一间隔件、第二间隔件、第一保护层以及栅极。介电层安置于势垒层上并且界定第一凹部。第一间隔件安置于第一凹部内。第二间隔件安置于第一凹部内，并与第一间隔件分隔开。第一保护层包括介于第一间隔件与介电层之间的第一部分，且第一保护层包括介于第一间隔件与势垒层之间的第二部分，其中第一保护层的第一部分包含位于第一间隔件与介电层之间的弯曲表面。栅极安置于第一间隔件与第二间隔件之间，其中栅极界定栅极凹部，且栅极还从第一间隔件与第二间隔件之间延伸至第一保护层的第一部分的弯曲表面之上，并还延伸至介电层之上。并还延伸至介电层之上。并还延伸至介电层之上。


技术研发人员：黄敬源
受保护的技术使用者：英诺赛科（珠海）科技有限公司
技术研发日：2020.03.25
技术公布日：2022/1/4