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芯片、芯片压力测试方法、装置、电子设备及存储介质与流程

2022-02-19 12:10:22 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种芯片压力测试方法,其特征在于,包括:获取待测图像和卷积核;基于所述待测图像和所述卷积核,控制待测芯片中的线程模块连续执行多次卷积运算,得到每次卷积运算对应的运算结果;通过将得到的各个所述运算结果与对应的正确结果进行比对,确定所述待测芯片的运算性能。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述待测图像和所述卷积核,控制待测芯片中的线程模块连续执行多次卷积运算,得到每次卷积运算对应的运算结果,包括:基于所述待测图像和所述卷积核,控制待测芯片中的线程模块连续执行多次卷积运算,直至多次卷积运算的持续时长大于或等于设置的目标运行时长,或者,直至多次卷积运算的执行次数等于设置的目标次数,得到每次卷积运算对应的运算结果。3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述基于所述待测图像和所述卷积核,控制待测芯片中的线程模块连续执行多次卷积运算,得到每次卷积运算对应的运算结果,包括:基于所述待测芯片对应的工作温度范围,确定多个待测温度;其中,所述待测温度中包括所述工作温度范围指示的边界温度;基于所述待测图像和所述卷积核,控制待测芯片中的线程模块分别在所述多个待测温度中的每个待测温度下,连续执行多次卷积运算,得到每次卷积运算对应的运算结果。4.根据权利要求1~3任一所述的方法,其特征在于,所述基于所述待测图像和所述卷积核,控制待测芯片中的线程模块连续执行多次卷积运算,得到每次卷积运算对应的运算结果,包括:基于所述待测图像和所述卷积核,控制待测芯片中的多个线程模块并行连续执行多次卷积运算,得到每个线程模块的卷积运算对应的运算结果。5.根据权利要求1~4任一所述的方法,其特征在于,在获取待测图像和卷积核之后,在基于所述待测图像和所述卷积核,控制待测芯片中的线程模块连续执行多次卷积运算,得到每次卷积运算对应的运算结果之前,所述方法还包括:将所述待测图像中包括的每个像素特征值转换为目标数据类型下的值,得到转换后的待测图像;和/或,将所述卷积核中包括的每个卷积特征值转换为目标数据类型下的值,得到转换后的卷积核。6.根据权利要求1~5任一所述的方法,其特征在于,所述通过将得到的各个所述运算结果与对应的正确结果进行比对,确定所述待测芯片的运算性能,包括:通过将得到的各个所述运算结果与对应的正确结果进行比对,确定所述待测芯片中线程模块连续执行多次卷积运算的错误率;所述错误率用于评价所述待测芯片的运算性能。7.根据权利要求1~6任一所述的方法,其特征在于,所述通过将得到的各个所述运算结果与对应的正确结果进行比对,确定所述待测芯片的运算性能,包括:通过将得到的各个所述运算结果与对应的正确结果进行比对,确定所述待测芯片中线程模块在多个时间段中的每个时间段内连续执行多次卷积运算的第一错误率;基于所述第一错误率,生成表征执行时间段与第一错误率之间关系的第一关系曲线;
所述第一关系曲线用于评价所述待测芯片的运算性能。8.根据权利要求1~7任一所述的方法,其特征在于,在所述待测芯片中的多个线程模块并行执行卷积运算的情况下,所述通过将得到的各个所述运算结果与对应的正确结果进行比对,确定所述待测芯片的运算性能,包括:通过将得到的各个所述运算结果与对应的正确结果进行比对,确定所述多个线程模块在每个时间段内执行卷积运算的平均错误率;基于所述平均错误率,生成表征所述多个线程模块的执行时间段与所述平均错误率之间关系的第二关系曲线;所述第二关系曲线用于评价所述待测芯片的运算性能。9.根据权利要求1~8任一所述的方法,其特征在于,在确定所述待测芯片的运算性能之后,所述方法还包括:根据同一批次生成的多个待测芯片中每个待测芯片的运算性能,从所述多个待测芯片中,确定执行神经网络训练和/或神经网络推理的目标芯片。10.一种芯片,其特征在于,包括:至少一个线程模块,所述线程模块用于基于待测图像和卷积核执行卷积运算,得到卷积运算对应的运算结果。11.一种芯片压力测试装置,其特征在于,包括:获取模块,用于获取待测图像和卷积核;控制模块,用于基于所述待测图像和所述卷积核,控制待测芯片中的线程模块连续执行多次卷积运算,得到每次卷积运算对应的运算结果;确定模块,用于通过将得到的各个所述运算结果与对应的正确结果进行比对,确定所述待测芯片的运算性能。12.一种电子设备,其特征在于,包括:处理器、存储器和总线,所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令,当电子设备运行时,所述处理器与所述存储器之间通过总线通信,所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如权利要求1至9任一所述的芯片压力测试方法的步骤。13.一种计算机可读存储介质,其特征在于,该计算机可读存储介质上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至9任一所述的芯片压力测试方法的步骤。

技术总结
本公开提供了一种芯片、芯片压力测试方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取待测图像和卷积核;基于所述待测图像和所述卷积核,控制待测芯片中的线程模块连续执行多次卷积运算,得到每次卷积运算对应的运算结果;通过将得到的各个所述运算结果与对应的正确结果进行比对,确定所述待测芯片的运算性能。能。能。


技术研发人员:丁雨 刘庚路 黄海峰 徐宁仪
受保护的技术使用者:上海阵量智能科技有限公司
技术研发日:2021.09.29
技术公布日:2022/1/4
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