一种电场增强的三维螺旋结构基底的制作方法

技术特征：
1.一种电场增强的三维螺旋结构基底，其特征在于，所述三维螺旋结构基底包括多个三维螺旋结构单元，所述三维螺旋结构单元服从以下关系：f(x,y,z)＝sinxcosy sinycosz sinzcosx＝t(-1.5≤t≤1.5)；其中x＝2πx/a，y＝2πy/a，z＝2πz/a；x、y、z∈(0，a)；a为所述三维螺旋结构单元的周期；a＝200-500纳米；t调节所述三维螺旋结构单元的形貌；所述三维螺旋结构基底的材质为贵金属。2.如权利要求1所述的电场增强的三维螺旋结构基底，其特征在于，所述三维螺旋结构基底的材质为金。3.如权利要求1所述的电场增强的三维螺旋结构基底，其特征在于，所述三维螺旋结构基底的厚度为35-500微米。4.如权利要求1所述的电场增强的三维螺旋结构基底，其特征在于，所述三维螺旋结构单元的占空比为50-80％。5.如权利要求1所述的电场增强的三维螺旋结构基底，其特征在于，所述三维螺旋结构单元的周期a＝300-400纳米。6.如权利要求5所述的电场增强的三维螺旋结构基底，其特征在于，所述三维螺旋结构单元的周期a＝350纳米。7.如权利要求1所述的电场增强的三维螺旋结构基底，其特征在于，由双光子三维光刻机制得。8.如权利要求7所述的电场增强的三维螺旋结构基底，其特征在于，采用的激光光源为fs脉冲激光束。9.如权利要求8所述的电场增强的三维螺旋结构基底，其特征在于，所述激光光源的频率为1-3khz，脉冲宽度为80-150fs，波长为600-1000nm。10.如权利要求9所述的电场增强的三维螺旋结构基底，其特征在于，所述激光光源的频率为1khz，脉冲宽度为110fs，波长为800nm。

技术总结
本发明公开了一种电场增强的三维螺旋结构基底，涉及等离子体响应技术领域。所述三维螺旋结构基底包括多个三维螺旋结构单元，所述三维螺旋结构单元服从以下关系：f(x,y,z)＝sinxcosy sinycosz sinzcosx＝t(


技术研发人员：汪万林
受保护的技术使用者：深圳大学
技术研发日：2020.07.03
技术公布日：2022/1/3