锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器，其特征在于，包括：第一介质层，包括第一面和与所述第一面相背的第二面；锑-铟系化合物半导体磁阻芯片，形成于所述第一介质层的第一面；导线，形成于所述第一介质层的第一面；永磁软磁复合层，包括永磁层和软磁层，所述永磁软磁复合层在所述第一面的正投影覆盖所述锑-铟系化合物半导体磁阻芯片；其中，所述永磁层的矫顽场比所述软磁层的矫顽场大至少50％，且所述软磁层的饱和磁感应强度比所述永磁层的剩余磁感应强度大至少100％。2.根据权利要求1所述的锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器，其特征在于，还包括基片和粘接层，所述基片通过所述粘接层与所述永磁软磁复合层固定连接。3.根据权利要求1所述的锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器，其特征在于，所述永磁软磁复合层包括第一永磁软磁复合层和第二永磁软磁复合层，所述第一永磁软磁复合层朝向所述第二面设置，第二永磁软磁复合层朝向所述第一面设置；所述锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器还包括第二介质层，所述第二介质层设于所述第一面与所述第二永磁软磁复合层之间。4.根据权利要求2所述的锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器，其特征在于，所述粘接层包括ti、ta、ru中的至少一种材料和/或包括环氧型高温粘接剂。5.根据权利要求1所述的锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器，其特征在于，所述第一介质层的材料包括硅氧化物、铝氧化物、硅氮化物中的至少一种，厚度为20纳米-100纳米。6.根据权利要求1所述的锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器，其特征在于，所述软磁层的材料包括铁钴系合金和/或镍铁系合金，所述镍铁系合金中的镍占镍铁系合金的质量分数为30％～90％。7.根据权利要求1所述的锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器，其特征在于，所述永磁层的材料包括以下合金中的至少一种：co-cr-fe系合金，fe-co硬磁合金，fe-co-mo三元硬磁合金，fe-co-w三元硬磁合金，fe-ni-al合金，fe-ni-al-co合金。8.根据权利要求3所述的锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器，其特征在于，所述第一永磁软磁复合层包括软磁层-永磁层-软磁层顺序叠设形成的三层结构，或软磁层和永磁层和叠设形成的双层结构；所述第二永磁软磁复合层包括软磁层-永磁层-软磁层顺序叠设形成的三层结构，或软磁层和永磁层和叠设形成的双层结构。9.一种锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器的制造方法，其特征在于，通过mems工艺制造，所述方法包括：获取基片，所述基片包括第一面和与所述第一面相背的第二面；在所述基片的第一面形成粘接层；在所述粘接层的与所述基片相背的一面形成第一永磁软磁复合层；所述第一永磁软磁复合层包括永磁层和软磁层，所述永磁层的矫顽场比所述软磁层的矫顽场大至少50％，且所述软磁层的饱和磁感应强度比所述永磁层的剩余磁感应强度大至少100％；形成第一介质层；在所述第一介质层的一面形成导线和锑-铟系化合物半导体磁阻芯片；
其中，所述第一介质层形成于所述第二面上、所述导线和锑-铟系化合物半导体磁阻芯片形成于所述第一介质层的与所述第二面相背的一面，或所述第一介质层形成于所述第一永磁软磁复合层的与所述粘接层粘接的一面相背的一面上、所述导线和锑-铟系化合物半导体磁阻芯片形成于所述第一介质层的与所述第一永磁软磁复合层接触的一面相背的一面。10.根据权利要求9所述的锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器的制造方法，其特征在于，所述在所述粘接层的与所述基片相背的一面形成第一永磁软磁复合层的步骤采用的工艺为溅射、真空镀膜及电镀中的一种；所述在所述第一介质层的一面形成导线和锑-铟系化合物半导体磁阻芯片的步骤采用的工艺为溅射或真空蒸镀。

技术总结
本发明涉及一种锑


技术研发人员：李少平 刘红超 陈南翔
受保护的技术使用者：华润微电子控股有限公司
技术研发日：2020.07.02
技术公布日：2022/1/3