成像设备、用于设计电路板装置的方法和电路板装置与流程

技术特征：
1.成像设备，包括：a.在径向上围绕样品空间设置的磁体装置，所述磁体装置用于产生在所述磁体装置运行期间变化的磁场b，所述磁场具有在z方向上的磁场分量，b.在径向上设置在所述磁体装置之内的电路板装置(6；14)，所述电路板装置具有导电的导体电路(7；12)，所述导体电路被划分为多个导体电路区段(10)，其中，至少两个相互邻接的导体电路区段(10)形成一个结构区段(11a、11b；12a、12b)，该结构区段跨占一个表面(a1、a2)，其特征在于，对于每个导体电路(7；12)，每两个结构区段(11a、11b)形成一个结构区段对(11)，所述导体电路(7；12)设置在所述电路板装置(6；14)上，使得通过改变所述磁体装置的磁场b在每个结构区段对(11)的这两个结构区段(11a、11b)中感应出对称相反的电压和/或电流。2.根据权利要求1所述的成像设备，其特征在于，在每个结构区段(11a、11b)中，至少两个导体电路区段(10)关于z方向倾斜地定向，并且所述导体电路(6；14)与z轴线围成的角度的符号在所述导体电路(6；14)的走向上至少改变一次。3.根据上述权利要求中任一项所述的成像设备，其特征在于，结构区段对(11)的各结构区段(11a、11b)共同具有至少一个导体电路区段(10)。4.根据上述权利要求中任一项所述的成像设备，其特征在于，所述导体电路(6；14)锯齿状地在所述电路板装置(6；14)上延伸。5.根据上述权利要求中任一项所述的成像设备，其特征在于，结构区段(11a、11b)的导体电路区段(10)关于所述z方向成30
°
至60
°
、优选为
±
45
°
的角度地定向。6.根据上述权利要求中任一项所述的成像设备，其特征在于，由一个结构区段对(11)的结构区段(11a、11b)跨占的各表面(a1、a2)具有相同的形状和相同的面积。7.根据上述权利要求中任一项所述的成像设备，其特征在于，所述导电的导体电路(7；12)涉及用于传输电信号的信号导线(7)和/或用于电压供给的面状的供电导体电路(12)。8.根据上述权利要求中任一项所述的成像设备，其特征在于，所述电路板装置(14)是多层的，并且所述导体电路区段(10)至少部分地在多个电路板层(14a、14b)上延伸。9.根据权利要求8所述的成像设备，其特征在于，至少在所述电路板层中的一个电路板层(14b)上不仅设置有用于电压供给的面状的供电导体电路(12)而且设置有至少一个信号导线(7)。10.根据上述权利要求中任一项所述的成像设备，其特征在于，所述磁体装置是mri或mpi成像设备的梯度系统(2)。11.根据上述权利要求中任一项所述的成像设备，其特征在于，所述电路板装置(6；14)包括发射断层摄像电子器件、尤其是pet或spect电子器件。12.用于设计电路板装置(6；14)的方法，所述电路板装置用于根据上述权利要求中任一项所述的成像设备中，所述电路板装置(6；14)包括导电的导体电路(7；12)，所述导体电路被划分为多个导体电路区段(10)，其中，至少两个相互邻接的导体电路区段(10)形成一个结构区段(11a、11b)，该结构区段跨占一个表面(a1、a2)，其特征在于，选择在所述电路板装置(6；14)上的导体电路(7；12)的几何走向，使得每个导体电路
(7；12)具有分别包括两个结构区段(11a、11b)的结构区段对(11)，通过改变所述磁体装置的磁场b在所述两个结构区段中感应出对称相反的电压和电流。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，将所述导体电路区段(10)的长度和所述导体电路区段(10)相对于z方向定向的角度用作用于设计所述电路板装置(6；14)的参数。14.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于，根据所述成像设备的磁场走向和/或梯度场走向来确定由各个结构区段(11a、11b)跨占的各表面(a1、a2)的尺寸和/或几何形状。15.电路板装置，所述电路板装置按照根据权利要求12至14中任一项所述的方法设计，所述电路板装置用于在根据权利要求1至11中任一项所述的成像设备中。

技术总结
成像设备，包括：a.在径向上围绕样品空间设置的磁体装置，用于产生在所述磁体装置运行期间改变的磁场B，所述磁场具有在z方向上的磁场分量；b.在径向上设置在所述磁体装置之内的电路板装置(6；14)，所述电路板装置具有导电的导体电路(7；12)，所述导体电路被划分成多个导体电路区段(10)，其中，至少两个相互邻接的导体电路区段(10)形成一个结构区段(11a、11b；12a、12b)，该结构区段跨占一个表面(A1、A2)，其特征在于，对于每个导体电路(7；12)，每两个结构区段(11a、11b)形成一个结构区段对(11)，所述导体电路(7；12)设置在电路板装置(6；14)上，使得由所述磁体装置的磁场B的改变在每个结构区段对(11)的这两个结构区段(11a、11b)中感应出对称相反的电压和/或电流。由此，一方面涡流和另一方面所述导体电路板及其组件的干扰能通过感应出的电压和电流被避免或者至少被最小化。小化。小化。


技术研发人员：A
受保护的技术使用者：布鲁克碧奥斯平MRI有限公司
技术研发日：2020.06.05
技术公布日：2021/12/31