一种芯片封装结构的制作方法

技术特征：
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：封装基板；与所述封装基板的表面贴合的芯片，所述芯片与所述封装基板之间的贴合面积小于所述芯片中基底的背面面积。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片的部分背面与所述封装基板的表面贴合，且所述芯片的部分背面延伸至所述封装基板之外。3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括芯片本体和与芯片本体的背面连接的连接基板；所述连接基板的热膨胀系数小于所述封装基板的热膨胀系数且大于所述芯片本体的热膨胀系数；所述连接基板背向所述芯片本体一侧的部分表面与所述封装基板的表面贴合，所述连接基板背向所述芯片本体一侧的部分表面延伸至所述封装基板之外。4.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括芯片本体，所述芯片本体的部分背面与所述封装基板的表面贴合，所述芯片本体的部分背面延伸至所述封装基板之外。5.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片延伸至所述封装基板之外的背面面积与所述芯片和所述封装基板的贴合面积之比为1：4至4：1。6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片的至少部分侧壁与所述封装基板的表面贴合。7.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括芯片本体和与芯片本体的背面连接的连接基板；所述连接基板的热膨胀系数小于所述封装基板的热膨胀系数且大于所述芯片本体的热膨胀系数；所述连接基板的侧壁与所述封装基板的表面贴合，所述芯片本体的侧壁延伸至所述封装基板之外。8.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片仅包括芯片本体，所述芯片本体的至少部分侧壁与所述封装基板的表面贴合。9.根据权利要求6所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片和所述封装基板之间的贴合面积与所述芯片朝向所述封装基板一侧的侧壁面积之比为0.2～0.7。10.根据权利要求3、4、7或8所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片本体包括：半导体基层和功能层，所述功能层位于半导体基层的表面；所述半导体基层中设置有背腔，所述功能层横跨在所述背腔上；或者，所述半导体基层为实体结构。11.根据权利要求3或7所述的芯片封装结构，其特征在于，所述连接基板的热膨胀系数小于等于所述封装基板的热膨胀系数的55％且大于等于所述芯片本体的热膨胀系数的112％。12.根据权利要求11所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封装基板包括陶瓷基板，所述连接基板包括玻璃基板，所述芯片本体包括硅基芯片本体。13.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括碳化硅基芯片，所述封装基板包括陶瓷基板。14.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片包括mems压力传感芯片。

技术总结
一种芯片封装结构，芯片封装结构包括：封装基板；与所述封装基板的表面贴合的芯片，所述芯片与所述封装基板之间的贴合面积小于所述芯片中基底的背面面积。所述芯片封装结构中芯片的形变降低。芯片的形变降低。芯片的形变降低。


技术研发人员：聂泳忠 杨文奇 吴桂珊 李腾跃 李舜华
受保护的技术使用者：西人马联合测控（泉州）科技有限公司
技术研发日：2021.06.30
技术公布日：2021/12/14