新型荧光二氧化硅纳米球-炭疽抗体缀合物及其制备方法和应用与流程

技术特征：
1.新型荧光二氧化硅纳米球
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炭疽抗体缀合物，其特征在于：为以炭疽为抗原的荧光二氧化硅纳米球标记的荧光免疫层析试纸条结构，该试纸条为以荧光二氧化硅纳米球为信号物的三明治型夹心免疫传感器，该试纸条包括硝基纤维素(nc)膜的检测(t)线固载的炭疽包被抗体、荧光二氧化硅纳米球标记的炭疽标记抗体、以及通过抗原
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抗体间相互作用与两者分别相连的炭疽保护性抗原pa。2.新型荧光二氧化硅纳米球
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炭疽抗体缀合物的制备方法，其特征在于：包括下述步骤：1)制备nc膜的t线上固载炭疽包被抗体的试纸条；2)制备荧光二氧化硅纳米球标记的炭疽标记抗体；3)将固载炭疽包被抗体的试纸条t线和新型荧光二氧化硅纳米球标记的炭疽标记抗体与炭疽pa抗原连接。3.根据权利要求2所述的新型荧光二氧化硅纳米球
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炭疽抗体缀合物的制备方法，其特征在于：所述的步骤1)中，采用黑色底板、样品垫、包被有t线和对照(c)线的nc膜、吸水垫组合，底板上的nc膜的一端粘贴吸水垫，nc膜与吸水垫之间相互重叠1mm～2mm，在nc膜的另一端粘贴样品垫；所述nc膜t线上固载有炭疽包被抗体；所述nc膜c线上固载有羊抗鼠多克隆igg抗体；所述t线的炭疽包被抗体的浓度为0.04mg/cm2～0.07mg/cm2；所述c线的igg抗体的浓度为0.04mg/cm2～0.07mg/cm2。4.根据权利要求2所述的新型荧光二氧化硅纳米球
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炭疽抗体缀合物的制备方法，其特征在于：所述的步骤2)中，采用3
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氨基丙基三乙氧基硅烷(aptes)将荧光二氧化硅纳米球氨基化，采用丁二酸苷将氨基封端的荧光二氧化硅纳米球羧基化，采用1
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(3
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二甲氨基丙基)
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乙基碳二亚胺盐酸盐(edc)将荧光二氧化硅纳米球表面的羧基活化后与炭疽标记抗体反应，制得新型荧光二氧化硅纳米球标记的炭疽标记抗体。5.根据权利要求2所述的新型荧光二氧化硅纳米球
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炭疽抗体缀合物的制备方法，其特征在于：所述的步骤2)中，荧光二氧化硅纳米球的制备方法包括下述步骤：1)树枝状二氧化硅球体制备；2)树枝状二氧化硅球体的氨基化；3)氨基化的树枝状二氧化硅球体表面原位生长荧光碳点。6.根据权利要求2所述的新型荧光二氧化硅纳米球
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炭疽抗体缀合物的制备方法，其特征在于：所述的步骤3)中，将步骤2)制得的新型荧光二氧化硅纳米球标记的炭疽标记抗体与含有炭疽pa抗原的pbs缓冲液于室温下孵育1min～30min，pa与标记抗体形成免疫复合物，将混合液滴加在步骤1)制得的免疫层析试纸条的样品垫上，在毛细管作用力下，免疫复合物迁移至t线，余下的新型荧光二氧化硅纳米球标记的炭疽标记抗体迁移至c线；在紫外灯下观察得到炭疽pa的荧光免疫层析试纸条传感器的t线和c线。7.根据权利要求5所述的新型荧光二氧化硅纳米球
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炭疽抗体缀合物的制备方法，其特征在于：所述的步骤1)中，将浓度为0.04mg/ml～8mg/ml的三乙醇胺添加到水中，在温度80℃
±
5℃下进行搅拌，然后添加浓度为4mg/ml～40mg/ml的十六烷基溴化胺和浓度为0.4mg/ml～20mg/ml的水杨酸钠并搅拌获得溶液；向溶液中注入正硅酸四乙酯，在温度80℃
±
5℃下搅拌0.5h～6h后用乙醇稀释并通过离心收集产物，将沉淀物用乙醇洗涤若干次，将沉淀物分散在hcl/乙醇混合物中，并在温度60℃
±
5℃下进行搅拌，提取残留的有机模板，重复
萃取后获得树状二氧化硅纳米球。8.根据权利要求5所述的新型荧光二氧化硅纳米球
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炭疽抗体缀合物的制备方法，其特征在于：所述的步骤2)中，将树状二氧化硅纳米球分散于乙醇中，加入n
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β
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(氨基乙基)
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γ
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氨基丙基三甲氧基硅烷(aeaptms)，分散均匀后加入氨水，搅拌混合后分离洗涤沉淀获得表面氨基化的树枝状二氧化硅纳米球体。9.根据权利要求5所述的新型荧光二氧化硅纳米球
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炭疽抗体缀合物的制备方法，其特征在于：所述的步骤3)中，将浓度为0.1mg/ml～10mg/ml的接枝aeaptms的树枝状二氧化硅纳米球分散在dmf中，加入浓度为0.00018mg/ml～0.018mg/ml的柠檬酸或柠檬酸盐的水溶液，混合均匀后，放入高压反应釜中，在110℃～250℃的温度下完成反应，成品自然冷却，洗涤后获得新型荧光二氧化硅纳米球。10.新型荧光二氧化硅纳米球
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炭疽抗体缀合物在制备炭疽检测试剂盒上的应用，其特征在于：该新型荧光二氧化硅纳米球
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炭疽抗体缀合物如权利要求2～9中任一项制备方法得到。

技术总结
本发明公开了一种新型荧光二氧化硅纳米球


技术研发人员：丁收年 徐来弟 朱进 汪春晖
受保护的技术使用者：东南大学
技术研发日：2021.08.23
技术公布日：2021/12/14