半导体器件的应力测量装置以及方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的应力测量装置，其特征在于，包括：基台，包括相对设置的第一台座和第二台座；第一承接件，活动装配在所述第一台座上，可相对于所述第一台座靠近或远离，所述第一承接件上活动装配有至少两个第一滚轴；第二承接件，活动装配在所述第二台座上，可相对于所述第二台座靠近或远离，所述第二承接件上活动装配有至少两个第二滚轴；两个所述第一滚轴相互平行并构成第一平面，两个所述第二滚轴相互平行并构成第二平面，所述第一平面与所述第二平面相互平行，所述第一承接件的移动轨迹与所述第一平面垂直，所述第二承接件的移动轨迹与所述第二平面垂直。2.根据权利要求1所述的应力测量装置，其特征在于，所述第一承接件为第一压板，所述第二承接件为第二压板，所述第一压板和所述第二压板相互平行。3.根据权利要求2所述的应力测量装置，其特征在于，所述第一压板和所述第二压板的相对两个表面分别开设有多个第一滚轴槽和多个第二滚轴槽，所述第一滚轴槽用于安装所述第一滚轴，所述第二滚轴槽用于安装所述第二滚轴。4.根据权利要求2所述的应力测量装置，其特征在于，所述第一滚轴槽和所述第二滚轴槽均为半圆柱形，所述第一滚轴槽与所述第一滚轴平行，所述第二滚轴槽与所述第二滚轴平行。5.根据权利要求2所述的应力测量装置，其特征在于，还包括：第一伸缩件，两端分别连接所述第一台座和第一压板，且所述第一伸缩杆与所述第一压板相互垂直；和/或，第二伸缩件，两端分别连接所述第二台座和第二压板，且所述第二伸缩杆与所述第二压板相互垂直。6.根据权利要求1所述的应力测量装置，其特征在于，所述基台还包括立柱，所述第一台座和所述第二台座上下相对设置，所述立柱连接在所述第一台座和所述第二台座的一侧，并共同构成倒n形。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的应力测量装置，其特征在于，还包括：性能检测装置，用于电连接晶圆试样的栅极、源极、漏极和衬底，并施加电压激励信号。8.根据权利要求1
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6中任一项所述的应力测量装置，其特征在于，还包括：千分表，设置在所述基台上，用于测量所述第一承接件和/或所述第二承接件的移动距离。9.一种半导体器件的应力测量方法，根据权利要求1
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8中任一项所述的应力测量装置，其特征在于，包括如下步骤：调整两个所述第一滚轴和两个所述第二滚轴的相对位置；将带有半导体器件的晶圆试样放在所述第一滚轴和所述第二滚轴之间，并使所述晶圆试样与所述第一平面和所述第二平面保持平行；控制所述第一承接件和/或所述第二承接件移动，进而调整所述第一平面和所述第二平面之间的距离，利用所述第一滚轴和所述第二滚轴向所述晶圆试样的两侧施加压力。10.根据权利要求9所述的应力测量方法，其特征在于，所述晶圆试样包括三个层叠设置的晶圆，其中最顶层的所述晶圆带有所述半导体器件。

技术总结
本发明提供的一种半导体器件的应力测量装置以及应力测量方法，涉及半导体技术领域，包括：基台包括相对设置的第一台座和第二台座；第一承接件活动装配在第一台座上，第一承接件上活动装配有至少两个第一滚轴；第二承接件活动装配在第二台座上，第二承接件上活动装配有至少两个第二滚轴；两个第一滚轴相互平行并构成第一平面，两个第二滚轴相互平行并构成第二平面，第一平面与第二平面相互平行，第一承接件的移动轨迹与第一平面垂直，第二承接件的移动轨迹与第二平面垂直。在上述技术方案中，滚轴可以使晶圆试样内的半导体器件内部受到均匀的单轴应力，避免晶圆由于施加外力不当而断裂。而断裂。而断裂。


技术研发人员：李恋恋 都安彦 杨红 王文武
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2021.08.05
技术公布日：2021/12/13