同轴控制电路的制作方法

1.本实用新型涉及通信领域，具体而言，涉及一种同轴控制电路。


背景技术：

2.同轴供电硬盘录像机(简称poc dvr)是一种通过同轴线传输视频信号、控制信号和电源的录像机。同轴控制是指录像机通过将控制信号叠加在视频信号上，在每帧消隐行中进行传输，用于设置相机的各种参数，替代传统的控制方式。同轴供电是指将高压电源(通常使用48v电源)通过隔离电感叠加到同轴线上，通过同轴线给相机供电，节省了独立的电源线，方便工程布线。但是若下冲电压如果太严重将会被ad芯片误识别成同步信号，导致图像扭曲、花屏等异常现象。
3.针对相关技术中，同轴供电导致图像扭曲、花屏等异常现象的问题，目前尚未存在有效的解决方案。


技术实现要素：

4.本实用新型实施例提供了一种同轴控制电路，以至少解决相关技术中同轴供电导致图像扭曲、花屏等异常现象的问题。
5.根据本实用新型的一个实施例，提供了一种同轴控制电路，包括晶体管、第一电阻、第一电容和第二电容，其中，上述晶体管包括第一管脚、第二管脚和第三管脚，上述第一管脚与控制芯片连接，上述第二管脚与电源连接，上述第三管脚与上述第一电阻的第一端连接；上述第一电阻的第二端与上述控制芯片连接；上述第一电容与上述第一电阻并联，其中，上述第一电容的第一端与上述第三管脚连接，上述第一电容的第二端与上述控制芯片连接；上述第二电容的第一端与上述第一电阻的第二端连接，第二电容的第二端与目标接口连接。
6.可选地，上述电路还包括第二电阻，其中，上述第二电阻的第一端与上述第一电阻的第二端连接，上述第二电阻的第二端接地。
7.可选地，上述目标接口是视频线接口，用于连接视频线。
8.可选地，上述第一电容是瓷片电容。
9.可选地，上述第一电阻是限流电阻。
10.可选地，上述第二电阻是阻抗匹配电阻。
11.可选地，上述第二电容是高压耦合电容。
12.可选地，上述晶体管为金属氧化物场效应mos管。
13.可选地，上述晶体管为三极管。
14.根据本实用新型的又一个实施例，还提供了一种存储介质，上述存储介质中存储有计算机程序，其中，上述计算机程序被设置为运行时执行上述任一项方法实施例中的步骤。
15.根据本实用新型的又一个实施例，还提供了一种电子装置，包括存储器和处理器，
所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行上述计算机程序以执行上述任一项方法实施例中的步骤。
16.通过本实用新型，由于同轴控制电路，括晶体管、第一电阻、第一电容和第二电容，其中，晶体管包括第一管脚、第二管脚和第三管脚，第一管脚与控制芯片连接，第二管脚与电源连接，第三管脚与第一电阻的第一端连接；第一电阻的第二端与控制芯片连接；第一电容与第一电阻并联，其中，第一电容的第一端与第三管脚连接，第一电容的第二端与控制芯片连接；第二电容的第一端与第一电阻的第二端连接，第二电容的第二端与目标接口连接。因此，可以解决同轴供电导致图像扭曲、花屏等异常现象的问题，达到图像正常输出且控制距离更远的效果。
附图说明
17.此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本技术的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：
18.图1是根据本实用新型实施例的同轴控制电路示意图；
19.图2是根据本实用新型实施例的同轴控制信号波形示意图。
具体实施方式
20.下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
21.需要说明的是，本实用新型的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
22.本实用新型提供了一种同轴控制电路，如图1所示，包括：晶体管、第一电阻、第一电容和第二电容，其中，上述晶体管包括第一管脚、第二管脚和第三管脚，上述第一管脚与控制芯片连接，上述第二管脚与电源连接，上述第三管脚与上述第一电阻的第一端连接；上述第一电阻的第二端与上述控制芯片连接；上述第一电容与上述第一电阻并联，其中，上述第一电容的第一端与上述第三管脚连接，上述第一电容的第二端与上述控制芯片连接；上述第二电容的第一端与上述第一电阻的第二端连接，第二电容的第二端与目标接口连。
23.通过本实用新型，由于同轴控制电路，包括晶体管、第一电阻、第一电容和第二电容，其中，晶体管包括第一管脚、第二管脚和第三管脚，第一管脚与控制芯片连接，第二管脚与电源连接，第三管脚与第一电阻的第一端连接；第一电阻的第二端与控制芯片连接；第一电容与第一电阻并联，其中，第一电容的第一端与第三管脚连接，第一电容的第二端与控制芯片连接；第二电容的第一端与第一电阻的第二端连接，第二电容的第二端与目标接口连。因此，可以解决同轴供电导致图像扭曲、花屏等异常现象的问题，达到图像正常输出且控制距离更远的效果。
24.作为一个可选的实施方式，图1所示的同轴控制电路包括晶体管m1、第一电阻r1、第一电容c2组成的控制信号叠加电路，以及第二电阻r2、第二电容c1组成的匹配和耦合电路。在同轴控制电路的限流电阻r1上并联一个电容c2，利用电容c2的充放电作用，提高同轴控制信号的幅值，达到图像正常且控制距离更远的目的。
25.可选的，上述电路还包括第二电阻，其中，上述第二电阻的第一端与上述第一电阻的第二端连接，上述第二电阻的第二端接地。
26.作为一个可选的实施方式，目标接口对应于图1中的bnc头，用于连接视频线。
27.可选的，上述目标接口是视频线接口，用于连接视频线。
28.可选的，上述第一电容是瓷片电容。
29.可选的，上述第一电阻是限流电阻。
30.可选的，上述第二电阻是阻抗匹配电阻。
31.可选的，上述第二电容是高压耦合电容。
32.可选的，上述晶体管为金属氧化物场效应mos管。
33.可选的，上述晶体管为三极管。
34.作为一个可选的实施方式，图1所示的同轴控制模块电路图中，晶体管m1可以为mos管或者三极管，用于同轴控制信号的驱动，将控制芯片(ad芯片)发出的控制信号通过第一电阻r1和第一电容c2叠加到同轴线上。第一电阻r1为限流电阻，第一电容c2配合第一电阻r1使用，起到提高控制信号幅值的作用，第一电容c2可以是瓷片电容。第二电阻r2为阻抗匹配电阻，通常取75欧。第二电容c1为高压耦合电容，用于隔离48v直流电压和耦合视频信号。
35.控制信号为“1”的时候，晶体管m1开启，第一电容c2刚开始时电量为0(即两端电压为0)，第二电阻r2上的电压在第一电容c2充电的作用下被拉到v2，随着第一电容c2电量逐渐充满，第二电阻r2上的电压逐渐下降，直到等于第一电阻r1与第二电阻r2的分压值v1，显然v2>v1。控制信号从“1”转变为“0“的时候，第一电容c2将通过第一电阻r1放电，为下一次充电做准备。第一电容c2取适当值，保证在控制信号“持续高电平”时间内电容c2可被充满，优化后同轴控制信号波形如图2所示。在第一电容c2满足条件的情况下，“过冲信号”的幅值将只受第一电阻r1大小的影响，调节第一电阻r1值减小过冲值，保证图像不出现扭曲花屏等异常现象。由于v2大于v1，控制距离必然比无第一电容c2情况下远，达到图像正常且控制距离更远的目的。
36.显然，本领域的技术人员应该明白，上述的本实用新型的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，可选地，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而，可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行，并且在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本实用新型不限制于任何特定的硬件和软件结合。
37.以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。