一种基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器
技术领域
1.本发明涉及一种基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，属于宽带吸波器技术领域。
背景技术：
2.太赫兹器件（包括太赫兹吸波器在内）在无损检测、生物医学成像和通信等许多领域都有潜在的应用。吸波器作为一种重要的电磁装置，已经得到了广泛的研究。
3.然而，太赫兹吸波器的制造需要微米级的精度，通常涉及使用复杂和昂贵的技术，包括光刻、真空沉积、纳米压印等，生产效率低、成本高。
技术实现要素：
4.本发明的目的在于，克服现有技术中存在的问题，提供一种基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，在生产中满足微米级精度的同时降低生产成本、提高生产效率。
5.本发明的一种基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，包括光学透明导电层和介电层，所述光学透明导电层包括第一光学透明导电层和第二光学透明导电层，所述介电层包括第一pet层、第二pet层和第三pet层，第一光学透明导电层、第一pet层、第二光学透明导电层、第二pet层、银网格结构和第三pet层自下而上依次叠置，所述第一光学透明导电层涂覆于第一pet层上，所述第二光学透明导电层涂覆于第二pet层上，所述银网格结构由ehd印刷技术印刷而成。
6.进一步的，所述第一光学透明导电层和第二光学透明导电层均为氧化铟锡膜，所述第一光学透明导电层的厚度为185
±
5nm、表面电阻为8ω，所述第二光学透明导电层的厚度为23
±
5nm、表面电阻为200ω。
7.进一步的，所述介电层的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯，介电常数为3。
8.进一步的，所述第一pet层的厚度为175微米，第二pet层的厚度为175微米，第三pet层的厚度为50微米。
9.进一步的，所述银网格结构与第三pet层之间的空气间隙为0
‑
100
µ
m，吸波器的中心频率为185
‑
230ghz，所述空气间隙与吸波器中心频率的线性关系为：y=ax b，a=
‑
0.4、b=230，x为空气间隙，y为吸波器的中心频率。
10.进一步的，所述银网格结构的栅格线宽与周期（1
‑ꢀ
）的比值为1:20。
11.进一步的，所述银网格结构的印刷方法设定参数如下：喷嘴与基底之间的距离为500μm，施加的电压为1.5千伏，印刷速度为1毫米/秒。
12.进一步的，银网格结构共有m
×
n个节点，所述银网格结构的表面电阻计算方法为，计算所述银网格结构两个节点间的电阻，公式如下：
式中：{m，n}是网格节点的坐标，0≤m≤m
‑
1，0≤n≤n
–
1；，r和s分别定义为x和y方向上两个相邻网格节点之间的电阻值。
13.进一步的，所述银网格结构为方形网格结构，则r=s，所述银网格结构表面电阻的计算公式为：。
14.本发明的有益效果是：1、本发明通过第一pet层、第二pet层、第三pet层之间的空气间隙来调节吸收带宽，随着空气间隙厚度的增加，吸收中心频率蓝移，带宽减小，但相对带宽几乎不变。本发明具有性价比高、效率高和微米级精度的优点。
15.2、本发明的吸收光谱几乎不随银网络结构的线宽和表面电阻而变化，这意味着在大规模生产中具有极好的制造误差容限。
附图说明
16.图1为本发明基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器的立体图；图2为本发明的主视图；图3为本发明心频率和相对带宽随气隙厚度的变化以及曲线拟合方程图；图4为本发明的网格宽度和表面电阻对吸收光谱的影响示意图，其中：（a）为表面电阻的影响，（b）为吸收光谱的线宽。
17.图中：1、第一光学透明导电层，2、第一pet层，3、第二光学透明导电层，4、第二pet层，5、银网格结构，6、第三pet层。
具体实施方式
18.现在结合附图对本发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
19.如图1和图2所示，本发明的一种基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，包括光学透明导电层和介电层，光学透明导电层包括第一光学透明导电层1和第二光学透明导电层3，介电层包括第一pet层2、第二pet层4和第三pet层6，第一光学透明导电层1、第一pet层2、第二光学透明导电层3、第二pet层4、银网格结构5和第三pet层6自下而上依次叠置，第一光学透明导电层1涂覆于第一pet层2上，第二光学透明导电层3涂覆于第二pet层4上，银网格结构5由ehd印刷技术印刷而成。
20.如下表所示：，第一光学透明导电层1和第二光学透明导电层3均为氧化铟锡膜，第一光学透明导电层1的厚度为185
±
5nm、表面电阻为8ω，第二光学透明导电层3的厚度为23
±
5nm、表面电
阻为200ω。介电层的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯，介电常数为3。第一pet层2的厚度为175微米，第二pet层4的厚度175微米，第三pet层6的厚度为50微米。
21.如图3所示，银网格结构5与第三pet层6之间的空气间隙为0
‑
100
µ
m，吸波器的中心频率为185
‑
230ghz，空气间隙与吸波器中心频率的线性关系为：y=ax b，a=
‑
0.4、b=230，x为空气间隙，y为吸波器的中心频率。随着空气间隙厚度的增加，吸波器的中心频率蓝移，带宽减小，但相对带宽不变。
22.银网格结构5的印刷方法设定参数如下：喷嘴与基底之间的距离为500μm，施加的电压为1.5千伏，印刷速度为1毫米/秒，银网格结构5的周期为400μm，银网格结构5的银线宽2为20μm，如表下所示：。
23.银网格结构共有m
×
n个网格节点，银网格结构5的表面电阻计算公式如下：式中：{m，n}是网格节点的坐标，0≤m≤m
‑
1，0≤n≤n
–
1；，r和s分别定义为x和y方向上两个相邻网格节点之间的电阻值。
24.由于银网格结构5为方形网格结构，则r=s，银网格结构5表面电阻的计算公式为：。
25.如图4所示，吸收光谱随表面电阻或银线宽变化很小，即所设计的吸波器对制造控制参数具有良好的容差性。
26.以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
技术特征：
1.一种基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，包括光学透明导电层和介电层，其特征在于：所述光学透明导电层包括第一光学透明导电层和第二光学透明导电层，所述介电层包括第一pet层、第二pet层和第三pet层，第一光学透明导电层、第一pet层、第二光学透明导电层、第二pet层、银网格结构和第三pet层自下而上依次叠置，所述第一光学透明导电层涂覆于第一pet层上，所述第二光学透明导电层涂覆于第二pet层上，所述银网格结构由ehd印刷技术印刷而成。2.根据权利要求1所述的基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，其特征在于：所述第一光学透明导电层和第二光学透明导电层均为氧化铟锡膜，所述第一光学透明导电层的厚度为185
±
5nm、表面电阻为8ω，所述第二光学透明导电层的厚度为23
±
5nm、表面电阻为200ω。3.根据权利要求1所述的基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，其特征在于：所述介电层的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯，介电常数为3。4.根据权利要求1所述的基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，其特征在于：所述第一pet层的厚度为175微米，第二pet层的厚度为175微米，第三pet层的厚度为50微米。5.根据权利要求1所述的基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，其特征在于：所述银网格结构与第三pet层之间的空气间隙为0
‑
100
µ
m，吸波器的中心频率为185
‑
230ghz，所述空气间隙与吸波器中心频率的线性关系为：y=ax b，a=
‑
0.4、b=230，x为空气间隙，y为吸波器的中心频率。6.根据权利要求4所述的基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，其特征在于：所述银网格结构的栅格线宽与周期（1
‑
）的比值为1:20。7.根据权利要求1所述的基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，其特征在于：所述银网格结构的印刷方法设定参数如下：喷嘴与基底之间的距离为500μm，施加的电压为1.5千伏，印刷速度为1毫米/秒。8.根据权利要求7所述的基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，其特征在于：银网格结构共有m
×
n个节点，所述银网格结构的表面电阻计算方法为，计算所述银网格结构两个节点间的电阻，公式如下：式中：{m，n}是网格节点的坐标，0≤m≤m
‑
1，0≤n≤n
–
1；，r和s分别定义为x和y方向上两个相邻网格节点之间的电阻值。9.根据权利要求8所述的基于ehd印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，其特征在于：所述银网格结构为方形网格结构，r=s，所述银网格结构表面电阻的计算公式为：。
技术总结
本发明涉及一种基于EHD印刷技术的高容错性太赫兹吸波器，属于吸波器技术领域。包括光学透明导电层和介电层，光学透明导电层包括第一光学透明导电层和第二光学透明导电层，介电层包括第一PET层、第二PET层和第三PET层，第一光学透明导电层、第一PET层、第二光学透明导电层、第二PET层、银网格结构和第三PET层自下而上依次叠置，第一光学透明导电层涂覆于第一PET层上，第二光学透明导电层涂覆于第二PET层上，银网格结构由EHD印刷技术印刷而成。介电层的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯，介电常数为3。第一光学透明导电层和第二光学透明导电层均为氧化铟锡膜。本发明满足微米级精度的同时降低生产成本、提高生产效率。提高生产效率。提高生产效率。
技术研发人员：陈雪 史源
受保护的技术使用者：南京微毫科技有限公司
技术研发日：2021.05.24
技术公布日：2021/11/2
再多了解一些
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