用于控制聚酰胺沉淀过程中粒度分布的混合搅拌器的制作方法
本发明涉及化学加工领域,具体涉及用于沉淀过程的混合设备。更具体地说,它涉及一种促进受控成核和聚合的搅拌器设计,降低沉淀过程生成的聚酰胺沉淀物的粒径分布。
背景技术:
1、聚酰胺,如尼龙66和尼龙6,是各种应用中广泛使用的聚合物,包括纺织品、汽车零部件和工程塑料。聚酰胺的再生涉及从溶液中回收聚合物的沉淀过程。沉淀过程生成的聚酰胺的形态和粒度分布显著影响其下游加工(如过滤、干燥)和最终产品的性能(如机械强度、外观)。
2、传统的混合设备,如拉什顿涡轮叶轮或螺旋桨式叶轮,通常会导致粒径分布较宽,形成巨大的、不理想的聚集体。这些大型聚集体可能会导致过滤和洗涤困难、干燥不均匀、最终产品的机械性能降低以及工艺设备堵塞的问题。
3、因此,需要一种改进的混合搅拌装置,可以促进均匀混合,控制成核和聚合速率,并防止聚酰胺沉淀聚合过程中形成巨大的聚集体,从而形成较小而可控的粒度分布。
技术实现思路
1、本发明提供了一种混合搅拌器,用于解决聚酰胺沉淀过程中传统搅拌器的局限性。
2、本发明一方面提供一种用于聚酰胺沉淀工艺的混合搅拌器,包括:轴;u形锚架,连接于所述轴底端;底部封堵板,设置于所述u形锚架内部,连接于所述u形锚架侧壁;以及门式叶片,设置于所述u形锚架上部,与所述u形锚架连接,其外缘基本与所述u形锚架外缘齐平。
3、根据本发明一实施方式,所述底部封堵板为连接所述u形锚架侧壁的板。
4、根据本发明另一实施方式,所述门式叶片包括连接到所述轴且与所述轴平行的多个垂直杆;优选包括3-5个垂直杆。
5、根据本发明另一实施方式,所述多个垂直杆在所述u形锚架内等距分布。
6、根据本发明另一实施方式,所述门式叶片还包括将所述多个垂直杆连接到所述轴的水平杆。
7、根据本发明另一实施方式,所述门形叶片的高度为所述搅拌器直径的1.3-2倍之间。
8、根据本发明另一实施方式,所述u形锚架包括水平的底部。
9、根据本发明另一实施方式,所述u形锚架具有所述搅拌器直径至少一半的高度。
10、本发明另一方面还提供一种沉淀聚酰胺的方法,包括:在聚酰胺的沉淀工序采用上述的混合搅拌器搅拌溶液以诱导沉淀。
11、根据本发明一实施方式,所述混合搅拌器以50-500r/min速度旋转搅拌所述溶液。
12、根据本发明另一实施方式,所述溶液的固体负载量在总重量的0.1%至50%之间。
13、根据本发明另一实施方式,所述溶液在沉淀过程中保持在10℃至100℃之间的温度。
14、根据本发明另一实施方式,所述聚酰胺的沉淀工序得到的聚酰胺粒子的粒径分布在1μm至5mm之间。
15、根据本发明另一实施方式,所述混合搅拌器被配置在反应器内使用,所述反应器直径与所述混合搅拌器直径的比在1.2-2.5:1之间。
16、根据本发明另一实施方式,所述混合搅拌器被配置在反应器内使用,所述混合搅拌器位于距离所述反应器底部5mm至50mm之间。
17、本发明的混合搅拌器将u形锚架与u形内的门式叶片相结合,提供了一种独特的混合轮廓,促进受控的成核和生长,从而形成窄的粒径分布,并最大限度地减少了大聚集体的形成。
1.一种用于聚酰胺沉淀工艺的混合搅拌器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的混合搅拌器,其特征在于,所述底部封堵板为连接所述u形锚架侧壁的板。
3.根据权利要求1所述的混合搅拌器,其特征在于,所述门式叶片包括连接到所述轴且与所述轴平行的多个垂直杆;优选包括3-5个垂直杆。
4.根据权利要求3所述的混合搅拌器,其特征在于,所述多个垂直杆在所述u形锚架内等距分布。
5.根据权利要求3所述的混合搅拌器,其特征在于,所述门式叶片还包括将所述多个垂直杆连接到所述轴的水平杆。
6.根据权利要求1所述的混合搅拌器,其特征在于,所述门形叶片的高度为所述搅拌器直径的1.3-2倍之间。
7.根据权利要求1所述的混合搅拌器,其特征在于,所述u形锚架包括水平的底部。
8.根据权利要求6所述的叶混合轮,其特征在于,所述u形锚架具有所述搅拌器直径至少一半的高度。
9.一种沉淀聚酰胺的方法,其特征在于,包括:
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述混合搅拌器以10-1000r/min速度旋转搅拌所述溶液。
11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述溶液的固体负载量为总重量的0.1%至50%之间。
12.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述溶液在沉淀过程中保持在10℃至100℃之间的温度。
13.通过权利要求9所述的方法,其特征在于,所述聚酰胺的沉淀工序得到的聚酰胺粒子的粒径分布在1μm至5mm之间。
14.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述混合搅拌器被配置在反应器内使用,所述反应器直径与所述混合搅拌器直径的比在1.2-2.5:1之间。
15.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述混合搅拌器被配置在反应器内使用,所述混合搅拌器位于距离所述反应器底部5mm至50cm之间。
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