空气脉冲产生装置、半导体装置与半导体装置的制造方法与流程

本发明涉及一种空气脉冲产生装置、半导体装置与半导体装置的制造方法，尤其涉及能够在操作期间降低非期望回流(unwanted backflow)的一种空气脉冲产生装置与一种半导体装置，以及此半导体装置的制造方法。

背景技术：

1、现今半导体装置可被广泛应用于各式电子装置中，以实现多种不同功能。举例而言，某些半导体装置（如，声学装置(acoustic device)，如扬声器(speaker)或空气脉冲产生装置）可用以产生声音，某些半导体装置（如，空气脉冲产生装置或气流产生装置(airflow generating device)）可用以产生气流，某些半导体装置（如，通气装置(ventingdevice)）可用以控制其阀的开启或关闭。

2、然而，在上述半导体装置的操作过程中，往往会产生非期望回流或泄漏的情形，进而对这些半导体装置原本欲达成的功能造成不利影响。因此，需要改善此些半导体装置，以降低或避免操作过程中的非期望回流或泄漏。

技术实现思路

1、因此，本发明的主要目的是提供一种空气脉冲产生装置与一种半导体装置，其具有邻近设置于膜结构的自由边缘的突起结构，以降低操作过程中的非期望回流。另外，本发明还提供此半导体装置的制造方法。

2、本发明实施例提供一种空气脉冲产生装置，其包括膜结构与突起结构。突起结构形成在膜结构的一部分的自由边缘上，突起结构用以提升自由边缘在剖面上的厚度。

3、本发明实施例提供一种半导体装置，其包括膜结构与突起结构。突起结构形成在膜结构的一部分的自由边缘上，突起结构用以提升自由边缘在剖面上的厚度。

4、本发明实施例提供一种半导体装置的制造方法，其包括：提供晶圆；在晶圆上形成狭缝，其中狭缝界定膜结构的自由边缘；以及在膜结构的自由边缘上形成突起结构，其中突起结构用以提升自由边缘在剖面上的厚度。

5、在阅读了下文示出有各种附图的实施例的详细描述之后，对于所属领域的普通技术人员来说，应可清楚明了本发明的目的。

1.一种空气脉冲产生装置，包括：

2.如权利要求1所述的空气脉冲产生装置，其中所述膜结构包括一瓣片对，所述瓣片对包括一第一瓣片与一第二瓣片，所述空气脉冲产生装置包括：

3.如权利要求2所述的空气脉冲产生装置，其中所述第一突起结构与所述第二突起结构设置在所述膜结构的同一侧。

4.如权利要求2所述的空气脉冲产生装置，其中所述瓣片对在所述第一瓣片与所述第二瓣片之间具有一初始偏转差或展现一平均位移差。

5.如权利要求2所述的空气脉冲产生装置，其中所述瓣片对执行一差模运动，以一阀开启频率形成一虚拟阀。

6.如权利要求5所述的空气脉冲产生装置，其中所述瓣片对执行一共模运动，以形成一空气压力变化。

7.如权利要求6所述的空气脉冲产生装置，其中对应于所述共模运动的一压力变化频率相同于对应于所述差模运动的阀开启频率。

8.如权利要求5所述的空气脉冲产生装置，其中当所述第一瓣片位于一第一反转点且所述第二瓣片位于一第二反转点时，所述虚拟阀被关闭。

9.如权利要求2所述的空气脉冲产生装置，其中所述第一瓣片被致动而朝一第一方向弯折，且所述第二瓣片被致动而朝一第二方向弯折，所述第一方向相反于所述第二方向。

10.如权利要求1所述的空气脉冲产生装置，

11.如权利要求10所述的空气脉冲产生装置，其中所述第一阀驱动信号具有相对于所述第一偏压的一第一极性，所述第二阀驱动信号具有相对于所述第二偏压的一第二极性，且所述第一极性与所述第二极性彼此相反。

12.如权利要求10所述的空气脉冲产生装置，其中所述第一瓣片与所述第二瓣片由一压力驱动信号所驱动，以执行一共模运动并形成一空气压力变化。

13.一种半导体装置，包括：

14.如权利要求13所述的半导体装置，其中所述膜结构包括一瓣片对，所述瓣片对包括一第一瓣片与一第二瓣片，所述半导体装置包括：

15.如权利要求14所述的半导体装置，其中所述第一突起结构与所述第二突起结构设置在所述膜结构的上方。

16.如权利要求14所述的半导体装置，其中所述第一突起结构与所述第二突起结构设置在所述膜结构的下方。

17.如权利要求13所述的半导体装置，其中所述膜结构于一时间区段内被致动以形成一虚拟阀，一气流在所述时间区段内通过所述虚拟阀。

18.如权利要求13所述的半导体装置，其中所述半导体装置为一扬声器、一空气脉冲产生装置、一气流产生装置或一通气装置。

19.一种半导体装置的制造方法，包括：

20.如权利要求19所述的制造方法，其中所述晶圆包括一第一层与一第二层，且所述制造方法包括：

21.如权利要求19所述的制造方法，其中所述晶圆包括一第一层与一第二层，且所述制造方法包括：

22.如权利要求21所述的制造方法，其中所述第一突起结构与所述第二突起结构通过以下步骤形成：

23.如权利要求21所述的制造方法，其中所述第一突起结构与所述第二突起结构通过以下步骤形成：