一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法与流程

摘要: 本发明涉及陶瓷基板表面加工的,具体为一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法。背景技术:1、陶瓷材料(如氧化铝、氮化铝、氧化铍等)因其优异的绝缘性、高导热性和...
一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法与流程

本发明涉及陶瓷基板表面加工的,具体为一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法。

背景技术:

1、陶瓷材料(如氧化铝、氮化铝、氧化铍等)因其优异的绝缘性、高导热性和机械强度,被广泛应用于功率电子、led封装、射频器件等领域。然而,陶瓷本身硬度高、脆性大,传统机械加工(如切割、钻孔、磨削)存在刀具磨损快、加工效率极低、成本高昂、且易产生微裂纹导致良率下降等痛点。

2、存在上述问题和缺点的原因主要在于陶瓷的高硬度和脆性,使得机械加工时切削阻力大、刀具损耗严重,且加工参数必须设置得很保守,导致单件加工耗时漫长。解决这些问题时曾遇到的困难包括:特种加工(如激光、超声辅助)设备投入巨大,且仍难以完全避免热影响区或表面改性层的问题。

技术实现思路

1、针对上述问题,本发明提供了一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法,其显著降低加工阻力,缩短整体加工时间,提高加工精度和良率。

2、一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法,其特征在于:其在陶瓷基板表面预先形成一层金属层,将难加工的陶瓷基板表面转化为易加工的金属表面,之后再对金属表面进行高精度打磨和/或机加工作业。

3、其进一步特征在于:

4、其包括如下加工步骤:

5、s1,提供一陶瓷基板;

6、s2,在所述陶瓷基板表面通过物理或化学沉积方式形成金属层;

7、s3,形成有金属层的陶瓷基板进行高精度打磨和/或机加工作业。

8、其更进一步特征在于:

9、其还包括有步骤s4,根据产品需求,可保留未加工的金属层作为导电层或散热层,或通过化学蚀刻、机械打磨去除未加工的金属层。

10、其再进一步特征在于:

11、步骤s1中,陶瓷基板的材料为氧化铝、氮化铝、氧化铍或氮化硅,陶瓷基板的厚度为0.2mm~10mm,并对陶瓷基板进行清洗处理;

12、步骤s2中,金属层的为铜、铜合金、镍、或银;

13、步骤s2中,所述金属层的形成方式包含但不限于:物理气相沉积镀铜、电镀铜、溅射铜;所述金属层的厚度范围1μm~500μm;

14、优选地,所述金属层的厚度为20μm~200μm;

15、所述打磨和/或机加工作业包括磨削、切削、钻孔、切割、抛光等,所述打磨和/或机加工作业的加工精度达±0.01mm以内,表面粗糙度ra达0.1μm以下;由于金属层质地较软、延展性好,在加工中起到吸收应力、防止微裂纹、降低刀具磨损的作用;

16、所述打磨和/或机加工作业的厚度不大于金属层的厚度,确保不会加工到陶瓷基材。

17、采用本发明后,其具备如下有益效果:

18、a加工效率大幅提升:金属层将陶瓷表面的加工特性从“硬脆”转变为“韧软”,可采用常规金属加工参数高速切削,整体加工时间较传统直接加工陶瓷缩短30%~70%;

19、b刀具寿命显著延长:刀具主要接触金属层,避免与高硬度陶瓷直接摩擦,刀具寿命可延长3~10倍;

20、c产品良率提高:金属层的缓冲作用有效抑制陶瓷崩边和微裂纹,良率可提升至95%以上;

21、d加工精度更高:金属层可加工性优于陶瓷,配合高精度机床可实现微米级尺寸控制和镜面级表面质量;

22、e工艺兼容性强:涵盖pvd镀铜、电镀铜、溅射铜等多种镀层方式,适用于多种陶瓷基材,易于在现有产线集成;

23、f附加价值:保留的金属层可直接作为电子器件的导电线路、散热通道或封装载体,实现“加工-功能一体化”。

1.一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法,其特征在于:其在陶瓷基板表面预先形成一层金属层,将难加工的陶瓷基板表面转化为易加工的金属表面,之后再对金属表面进行高精度打磨和/或机加工作业。

2.根据权利要求1所述的一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法,其特征在于,其包括如下加工步骤:

3.根据权利要求2所述的一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法,其特征在于:其还包括有步骤s4,根据产品需求,可保留未加工的金属层作为导电层或散热层,或通过化学蚀刻、机械打磨去除未加工的金属层。

4.根据权利要求2或3所述的一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法,其特征在于:步骤s1中,陶瓷基板的材料为氧化铝、氮化铝、氧化铍或氮化硅,陶瓷基板的厚度为0.2mm~10mm,并对陶瓷基板进行清洗处理。

5.根据权利要求2或3所述的一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法,其特征在于:步骤s2中,金属层的为铜、铜合金、镍、或银。

6.根据权利要求5所述的一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法,其特征在于:步骤s2中,所述金属层的形成方式包含但不限于:物理气相沉积镀铜、电镀铜、溅射铜;所述金属层的厚度范围1μm~500μm。

7.根据权利要求6所述的一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法,其特征在于:所述金属层的厚度为20μm~200μm。

8.根据权利要求2或3所述的一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法,其特征在于:所述打磨和/或机加工作业包括磨削、切削、钻孔、切割、抛光等,所述打磨和/或机加工作业的加工精度达±0.01mm以内,表面粗糙度ra达0.1μm以下。

9.根据权利要求8所述的一种在陶瓷基板表面进行高精度加工的制备方法,其特征在于:所述打磨和/或机加工作业的厚度不大于金属层的厚度,确保不会加工到陶瓷基材。