一种热阱装置及薄膜沉积设备的制作方法

本发明涉及半导体，尤其涉及一种热阱装置及薄膜沉积设备。

背景技术：

1、在半导体薄膜沉积制造领域，原子层沉积（ald）技术凭借其优异的台阶覆盖能力及亚纳米级膜厚控制精度，已成为动态随机存取存储器（dram）先进制程中制备高介电常数介质层及金属电极的关键工艺。随着dram存储单元持续微缩，工艺制程对薄膜均匀性、致密性及颗粒污染的控制要求日趋严苛，这直接促使半导体制造商对工艺设备的机台稼动率（uptime）提出了更高的要求。

2、在ald设备的尾气处理系统中，为捕集未反应的前驱体及反应副产物，防止其进入并损坏真空泵组，通常需在工艺腔室与真空泵之间的排气线路上设置热阱（hot trap）装置。

3、目前，受限于集成设计及抽气路径最短化原则，现有ald设备中的热阱大多数直接布置于机台端。然而，随着机台外围配套设备（如多路气体管路、射频匹配器、温控冷却单元等）的不断增多，机台端的可用操作空间已极为狭窄。同时，为满足高温耐热及足够的捕集效率，该热阱往往被设计为体积庞大、重量较重的厚重结构。上述缺陷导致在后续维护过程中，维护人员在空间受限的环境下对热阱进行拆卸、搬运及重新安装操作极为困难，不仅耗费大量人力与时间成本，更显著延长了设备非生产性停机时间，严重制约了机台稼动率的进一步提升。

技术实现思路

1、本发明实施例提供了一种热阱装置及薄膜沉积设备，解决现有热阱装置维护困难、机台稼动率低的问题。

2、本发明提供了一种热阱装置，其包括：

3、机架，位于真空泵外侧，其安装面位于所述真空泵上方；

4、热阱，可拆卸安装在所述安装面上，所述热阱的一端通过第一管道与工艺腔体连接，另一端通过第二管道与所述真空泵连接，所述第一管道上设有第一阀门，所述第二管道上设有第二阀门。

5、在本发明提供的热阱装置中，所述热阱装置还包括旁抽管道，所述旁抽管道的一端与所述第一管道连接，另一端与所述第二管道连接，且所述旁抽管道上设有旁抽阀门。

6、在本发明提供的热阱装置中，所述热阱装置还包括水冷组件，所述水冷组件安装在所述热阱外侧以对所述热阱散热。

7、在本发明提供的热阱装置中，所述水冷组件包括出水管道，所述出水管道与所述热阱的出水口连接，所述出水管道设有流量计，所述流量计与机台控制器信号连接。

8、在本发明提供的热阱装置中，所述水冷组件还包括进水管道，所述进水管道与所述热阱的进水口连接，所述进水管道设有控制阀，所述控制阀用于根据所述流量计的检测结果自动控制所述进水管道的通断。

9、在本发明提供的热阱装置中，所述进水管道还设有手阀，用于手动控制所述进水管道的通断。

10、在本发明提供的热阱装置中，所述安装面与所述真空泵顶端之间设有安装空间，所述安装空间安装有接液盘，所述接液盘位于所述水冷组件的下方。

11、在本发明提供的热阱装置中，所述接液盘内固设有漏水检测传感器，所述漏水检测传感器与机台控制器电连接。

12、在本发明提供的热阱装置中，所述热阱装置还包括热阱控制器，所述热阱控制器安装在所述安装面上。

13、本发明还提供一种薄膜沉积设备，其包括：

14、工艺腔体和真空泵；

15、热阱装置，所述热阱装置为上述热阱装置，所述热阱的一端通过所述第一管道与所述工艺腔体连接，另一端通过所述第二管道与所述真空泵连接。

16、本申请通过以将所述热阱从空间狭窄的机台端转移至sub-fab层，并利用所述机架横跨在所述真空泵上方进行架空安装的竖向空间复用的布局方式，使得所述热阱无需单独占用平面布置空间，优化了厂区设备排布密度，节省场地建设成本；同时，所述热阱脱离机台端狭小空间后，拆装、搬运与清洁维护均可在开阔空间内开展，操作难度大幅降低，可显著缩短单次维护的停机时长，提高维护效率，从而提升机台稼动率。

1.一种热阱装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的热阱装置，其特征在于，所述热阱装置还包括旁抽管道，所述旁抽管道的一端与所述第一管道连接，另一端与所述第二管道连接，且所述旁抽管道上设有旁抽阀门。

3.根据权利要求1所述的热阱装置，其特征在于，所述热阱装置还包括水冷组件，所述水冷组件安装在所述热阱外侧以对所述热阱散热。

4.根据权利要求3所述的热阱装置，其特征在于，所述水冷组件包括出水管道，所述出水管道与所述热阱的出水口连接，所述出水管道设有流量计，所述流量计与机台控制器信号连接。

5.根据权利要求4所述的热阱装置，其特征在于，所述水冷组件还包括进水管道，所述进水管道与所述热阱的进水口连接，所述进水管道设有控制阀，所述控制阀用于根据所述流量计的检测结果自动控制所述进水管道的通断。

6.根据权利要求5所述的热阱装置，其特征在于，所述进水管道还设有手阀，用于手动控制所述进水管道的通断。

7.根据权利要求3所述的热阱装置，其特征在于，所述安装面与所述真空泵顶端之间设有安装空间，所述安装空间安装有接液盘，所述接液盘位于所述水冷组件的下方。

8.根据权利要求7所述的热阱装置，其特征在于，所述接液盘内固设有漏水检测传感器，所述漏水检测传感器与机台控制器电连接。

9.根据权利要求1所述的热阱装置，其特征在于，所述热阱装置还包括热阱控制器，所述热阱控制器安装在所述安装面上。

10.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：