惯性传感器、惯性测量装置的制作方法

摘要: 本发明涉及惯性传感器、具备该惯性传感器的惯性测量装置。背景技术:1、作为mems(microelectromechanicalsystems,微电子机械系统)的...
惯性传感器、惯性测量装置的制作方法

本发明涉及惯性传感器、具备该惯性传感器的惯性测量装置。

背景技术:

1、作为mems(micro electro mechanical systems,微电子机械系统)的封装的密封方法,存在专利文献1中所记载的方法。在专利文献1中公开了:具备mems晶片和盖晶片,通过将盖晶片粘接于mems晶片而形成内置传感器的腔体,之后,通过照射激光,在盖晶片上打开通向腔体的孔,在调整了腔体内的气压之后,对盖晶片的孔照射激光,使孔的周围的盖晶片熔融,从而将孔关闭。

2、专利文献1:美国专利申请公开第2018/0339900号说明书

3、由于通向腔体的孔配置于传感器上,因此由于照射激光而从盖晶片产生的飞沫(溅沫)有可能污染腔体内的传感器。另外,有可能因该污染导致可靠性降低或成品率降低。

技术实现思路

1、本申请的一方面涉及的惯性传感器具备:基体;盖体,在所述盖体与所述基体之间形成空间;静电电容元件,配置于所述空间,并包括半导体层;粘接层,设置于包围所述空间的周边区域,并将所述基体与所述盖体粘接;以及密封部,设置于所述周边区域,将所述空间与外部之间的孔密封,所述密封部设置为与所述盖体和所述基体相接,并包含所述盖体的材料和所述粘接层的材料。

2、本申请的一方面涉及的惯性测量装置具备上述的惯性传感器和控制所述惯性传感器的驱动的控制电路。

3、本申请的一方面涉及的惯性传感器的制造方法是具备基体、盖体以及静电电容元件的惯性传感器的制造方法,在所述盖体与所述基体之间形成有空间,所述静电电容元件包括配置于所述空间的半导体层,所述惯性传感器的制造方法具有以下工序:在所述盖体的第一面形成将所述空间与外部之间连通的槽;经由粘接层将所述盖体的所述第一面与所述基体粘接,形成将所述空间与所述外部之间连通并由所述槽和所述基体形成的孔;以及从所述盖体的所述第一面的相反侧的第二面朝向所述孔照射激光,通过熔融的所述盖体的材料形成密封所述孔的密封部。

4、本申请的一方面涉及的惯性传感器的制造方法是具备基体、盖体以及静电电容元件的惯性传感器的制造方法,在所述盖体与所述基体之间形成有空间,所述静电电容元件包括配置于所述空间的半导体层,所述惯性传感器的制造方法具有以下工序:在所述基体的第三面形成将所述空间与外部之间连通的槽;经由粘接层将所述盖体与所述基体的第三面粘接,形成将所述空间与所述外部之间连通并由所述槽和所述盖体形成的孔;以及从所述盖体一侧朝向所述孔照射激光,通过熔融的所述盖体的材料形成密封所述孔的密封部。

1.一种惯性传感器,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的惯性传感器,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的惯性传感器,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的惯性传感器,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的惯性传感器,其特征在于,

6.根据权利要求5所述的惯性传感器,其特征在于,

7.根据权利要求6所述的惯性传感器,其特征在于,

8.根据权利要求7所述的惯性传感器,其特征在于,

9.根据权利要求8所述的惯性传感器,其特征在于,

10.根据权利要求9所述的惯性传感器,其特征在于,

11.一种惯性测量装置,其特征在于,包括: