背接触太阳能电池、光伏组件和光伏系统的制作方法

本申请涉及光伏，尤其涉及背接触太阳能电池、光伏组件和光伏系统。

背景技术：

1、背接触太阳能电池(ibc，interdigitated back contact)是一种高效率的太阳能电池技术，背接触太阳能电池的正负金属电极呈叉指状方式排列在背接触太阳能电池的背光面，这种设计使得背接触太阳能电池的前表面没有任何金属栅线遮挡，从而最大化了光照面积并减少了光学损失，提高了短路电流和整体的光电转换效率。为了避免载流子在n型掺杂区和p型掺杂区直接接触，导致载流子无法被有效收集，需要在p型掺杂区和n型掺杂区的交界处设置隔离区，随着电池尺寸的减小，n型掺杂区和p型掺杂区设置的更为紧密。

2、在背接触太阳能电池的边缘区域，因背接触太阳能电池边缘区域易被划伤及磨损产生微裂纹和缺陷，成为少数载流子（如空穴或电子）的复合中心，容易产生漏电损失，进而降低背接触太阳能电池的光电转换效率。

技术实现思路

1、本申请提供一种背接触太阳能电池、光伏组件和光伏系统，能够在降低背接触太阳能电池的边缘受损风险的同时，还能够对背接触太阳能电池的边缘进行钝化处理，降低背接触太阳能电池边缘的载流子复合，提高背接触太阳能电池的光电转换效率。

2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

3、第一方面，提供了一种背接触太阳能电池，背接触太阳能电池包括：硅基体，包括相对的第一表面和第二表面以及设置于第一表面和第二表面之间的侧面，第一表面的至少一个边缘上设有保护层，沿远离硅基体的方向，保护层包括依次设置于第一表面至少一个边缘上的第一掺杂层、绝缘层和第二掺杂层，第一掺杂层与第二掺杂层导电类型相反；硅基体的第一表面包括若干个第一区域，第一区域上设置有第一掺杂层，第一区域与第一表面的至少一个边缘的保护层对应的区域间隔设置形成间隔部。

4、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，硅基体的第一表面还包括若干个第二区域，第一区域和第二区域间隔交替设置，第一区域和第二区域一者为第一掺杂区，另一者为第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区掺杂类型相反。

5、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，至少一个侧面上设置有保护层。

6、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，保护层上的第二掺杂层上还设置有钝化层。

7、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，钝化层由氧化物层、氮化物层、氮氧化物层、碳化物层、非晶硅层中的一种或多种组成。

8、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，保护层中的第二掺杂层和绝缘层沿第一方向上的宽度小于第一掺杂层沿第一方向上的宽度，第一方向与保护层的延伸方向交叉。

9、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，第二掺杂层和绝缘层沿第一方向上的宽度相等或差值范围在1μm-10μm。

10、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，第二掺杂层和绝缘层沿第一方向上的宽度范围为10µm~200µm。

11、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，沿第一方向上，邻近侧面的第二掺杂层或绝缘层的边缘与第一掺杂层的邻近侧面的边缘之间的距离为第一距离，第一距离的范围为10µm~200µm。

12、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，沿第一方向上，邻近间隔部的第二掺杂层或绝缘层的边缘与第一掺杂层的邻近间隔部的边缘之间的距离为第二距离，第二距离的范围为10µm~200µm。

13、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，间隔部沿第一方向上的宽度范围为50µm~400µm，第一方向与保护层的延伸方向交叉。

14、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，第一掺杂层和第二掺杂层一者为包含第一掺杂源的多晶硅层或微晶硅层或者非晶硅层，另一者为包含第二掺杂源的多晶硅层或微晶硅层或者非晶硅层，第一掺杂源为n型掺杂源，第二掺杂源为p型掺杂源。

15、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，第一掺杂层包含第二掺杂源。

16、结合第一方面，在第一方面的某些实施方式中，绝缘层为含有硼掺杂源的氧化硅层。

17、第二方面，提供了一种光伏组件，光伏组件包括第一方面及其任意一种实施方式提供的背接触太阳能电池。

18、第三方面，提供了一种光伏系统，其特征在于，光伏系统包括第二方面提供的光伏组件。

19、基于本实用新型提供的背接触太阳能电池，由于硅基体第一表面的至少一个边缘上设有保护层，保护层包括依次设置于第一表面至少一个边缘上的第一掺杂层、绝缘层和第二掺杂层，因此，在背接触太阳能电池片的边缘受到外力磨擦后，第二掺杂层、绝缘层和第一掺杂层可以对硅基体的边缘进行防护，避免硅基体的边缘受到磨损，降低背接触太阳能电池的边缘受损风险，同时，第一掺杂层、绝缘层和第二掺杂层还能够对背接触太阳能电池的边缘进行钝化处理，降低背接触太阳能电池边缘的载流子复合，提高背接触太阳能电池的光电转换效率。

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，所述背接触太阳能电池包括：

2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基体的第一表面还包括若干个第二区域，所述第一区域和所述第二区域间隔交替设置，所述第一区域和所述第二区域一者为第一掺杂区，另一者为第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区掺杂类型相反。

3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述至少一个侧面上设置有所述保护层。

4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述保护层上的所述第二掺杂层上还设置有钝化层。

5.根据权利要求4所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述钝化层由氧化物层、氮化物层、氮氧化物层、碳化物层、非晶硅层中的一种或多种组成。

6.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述保护层中的所述第二掺杂层和所述绝缘层沿第一方向上的宽度小于所述第一掺杂层沿所述第一方向上的宽度，所述第一方向与所述保护层的延伸方向交叉。

7.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层和所述绝缘层沿所述第一方向上的宽度相等或差值范围在1μm-10μm。

8.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层和所述绝缘层沿所述第一方向上的宽度范围为10µm~200µm。

9.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池，其特征在于，沿所述第一方向上，邻近所述侧面的所述第二掺杂层或所述绝缘层的边缘与所述第一掺杂层的邻近所述侧面的边缘之间的距离为第一距离，所述第一距离的范围为10µm~200µm。

10.根据权利要求6所述的背接触太阳能电池，其特征在于，沿所述第一方向上，邻近所述间隔部的所述第二掺杂层或所述绝缘层的边缘与所述第一掺杂层的邻近所述间隔部的边缘之间的距离为第二距离，所述第二距离的范围为10µm~200µm。

11.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述间隔部沿第一方向上的宽度范围为50µm~400µm，所述第一方向与所述保护层的延伸方向交叉。

12.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层一者为包含第一掺杂源的多晶硅层或微晶硅层或者非晶硅层，另一者为包含第二掺杂源的多晶硅层或微晶硅层或者非晶硅层，所述第一掺杂源为n型掺杂源，所述第二掺杂源为p型掺杂源。

13.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括权利要求1-12任一项所述的背接触太阳能电池。

14.一种光伏系统，其特征在于，所述光伏系统包括权利要求13所述的光伏组件。