电容器结构的制作方法

本发明实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种电容器结构。

背景技术：

1、金属-氧化物-金属(metal-oxdie-metal，mom)电容器是许多混合信号射频集成电路(rfic)中，例如类比频率调谐电路、交换式电容器电路(switched capacitorcircuits)、滤波器、共振器(resonator)、上调变(up-conversion)与下调变(down-conversion)混合器以及类比/数位转换器(a/d converters)等等，为相当关键的元件，起到内部匹配(inter-matching)作用，可以大大优化rfic的性能。

2、但是，金属-氧化物-金属(metal-oxdie-metal，mom)电容器结构的耦合面积仍有待增大。

技术实现思路

1、本发明实施例解决的问题是提供一种电容器结构，有利于进一步提高电容器结构的性能。

2、为解决上述问题，本发明实施例提供一种电容器结构，包括：基底，所述基底包括电容区；第一金属层，位于所述电容区的基底上方，且所述第一金属层沿第一方向延伸并沿第二方向间隔平行排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；第二金属层，位于所述第一金属层的顶部，所述第二金属层沿所述第一方向和第二方向呈矩阵间隔平行排布，且在所述第二方向上，所述第二金属层包括奇数行的第二金属层和偶数行的第二金属层，奇数行的第二金属层与所述第一金属层电连接；第三金属层，位于所述第二金属层的顶部，且所述第三金属层沿第一方向延伸并沿第二方向间隔平行排布，所述偶数行的第二金属层与所述第三金属层电连接。

3、可选的，所述电容器结构还包括：第一互连通孔结构，位于所述第一金属层与所述奇数行的第二金属层之间，且所述第一金属层通过所述第一互连通孔结构与所述奇数行的第二金属层电连接；所述电容器结构还包括：第二互连通孔结构，位于所述第三金属层与所述偶数行的第二金属层之间，且所述第三金属层与所述偶数行的第二金属层电连接。

4、可选的，所述第一互连通孔结构的材料包括铝、铜、氮化钛、钴和氮化钽中的一种或多种；所述第二互连通孔结构的材料包括铝、铜、氮化钛、钴和氮化钽中的一种或多种。

5、可选的，在所述第一方向上，所述第一金属层包括奇数列的第一金属层和偶数列的第一金属层；在所述第一方向上，所述第三金属层包括奇数列的第三金属层和偶数列的第三金属层，且所述奇数列的第三金属层位于所述奇数列的第一金属层的上方，所述偶数列的第三金属层位于所述偶数列的第一金属层的上方；所述电容器结构还包括：第一电压信号加载线，位于所述第二金属层侧部的基底上方，且所述第一电压信号加载线与所述偶数列的第一金属层和所述奇数列的第三金属层电连接；所述电容器结构还包括：第二电压信号加载线，位于所述第二金属层侧部的基底上方且与所述第一电压信号加载线相背离，所述第二电压信号加载端与所述奇数列的第一金属层和所述偶数列的第三金属层电连接。

6、可选的，所述第一电压信号加载线与所述第二金属层处于同一层；所述第二电压信号加载线与所述第二金属层处于同一层。

7、可选的，所述电容器结构还包括：第三互连通孔结构，位于所述第一电压信号加载线与所述偶数列的第一金属层之间，以及所述第一电压信号加载线与所述奇数列的第三金属层之间，且所述偶数列的第一金属层和所述奇数列的第三金属层通过所述第三互连通孔结构与第一电压信号加载线电连接。

8、可选的，所述电容器结构还包括：第四互连通孔结构，位于所述第二电压信号加载线与所述奇数列的第一金属层之间，以及所述第一电压信号加载线与所述偶数列的第三金属层之间，且所述偶数列的第三金属层和所述奇数列的第一金属层通过所述第四互连通孔结构与第二电压信号加载线电连接。

9、可选的，所述第二金属层在所述第二方向上的宽度大于相邻所述第二金属层在第二方向上相间隔的距离；所述第二金属层在所述第一方向上的宽度大于相邻所述第二金属层在第一方向上相间隔的距离。

10、可选的，所述第二金属层的形状包括矩形或正方形。

11、可选的，所述第一金属层在第二方向的宽度、所述第二金属层在第二方向上的宽度和所述第三金属层在第二方向上的宽度均两两相等。

12、可选的，相邻所述第二金属层在所述第二方向上相间隔的距离不小于16纳米；相邻所述第二金属层在所述第一方向上相间隔的距离不小于16纳米。

13、可选的，所述电容器结构还包括：介电层，位于所述第一金属层、第二金属层和第三金属层露出的所述基底上，且位于相邻所第一金属层之间、相邻所述第二金属层之间以及相邻所述第三金属层之间。

14、可选的，所述第一金属层的材料包括铜和银中的一种或两种；所述第二金属层的材料包括铜和银中的一种或两种；所述第三金属层的材料包括铜和银中的一种或两种。

15、与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下优点：

16、本发明实施例提供一种电容器结构，第二金属层位于第一金属层的顶部，所述第二金属层沿所述第一方向和第二方向呈矩阵间隔平行排布，且在所述第二方向上，所述第二金属层包括奇数行的第二金属层和偶数行的第二金属层，奇数行的第二金属层与所述第一金属层电连接。相较于现有相邻第二金属层相正对的耦合面仅沿同一方向延伸的方案，本发明实施例中第二金属层沿所述第一方向和第二方向呈矩阵间隔平行排布，使第二金属层不仅露出第二方向上的侧面，还露出了第一方向上的侧面，相应的，也就使相邻第二金属层相正对的耦合面不仅沿第一方向延伸，还使相邻第二金属层相正对的耦合面沿第二方向延伸，从而增大了相邻第二金属层相正对的耦合面的面积，相邻第二金属层相正对的耦合面的面积与电容值呈正相关，由于相邻第二金属层相正对的耦合面的面积得到了增加，也就使相邻第二金属层之间的电容值得到增加，也就意味着，在单位面积一定的情况下，电容器结构的电容值得到进一步增大，从而提高了电容器结构的性能。

1.一种电容器结构，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述电容器结构还包括：第一互连通孔结构，位于所述第一金属层与所述奇数行的第二金属层之间，且所述第一金属层通过所述第一互连通孔结构与所述奇数行的第二金属层电连接；

3.如权利要求2所述的电容器结构，其特征在于，所述第一互连通孔结构的材料包括铝、铜、氮化钛、钴和氮化钽中的一种或多种；

4.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一金属层包括奇数列的第一金属层和偶数列的第一金属层；

5.如权利要求4所述的电容器结构，其特征在于，所述第一电压信号加载线与所述第二金属层处于同一层；

6.如权利要求4所述的电容器结构，其特征在于，所述电容器结构还包括：第三互连通孔结构，位于所述第一电压信号加载线与所述偶数列的第一金属层之间，以及所述第一电压信号加载线与所述奇数列的第三金属层之间，且所述偶数列的第一金属层和所述奇数列的第三金属层通过所述第三互连通孔结构与第一电压信号加载线电连接。

7.如权利要求4所述的电容器结构，其特征在于，所述电容器结构还包括：第四互连通孔结构，位于所述第二电压信号加载线与所述奇数列的第一金属层之间，以及所述第一电压信号加载线与所述偶数列的第三金属层之间，且所述偶数列的第三金属层和所述奇数列的第一金属层通过所述第四互连通孔结构与第二电压信号加载线电连接。

8.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述第二金属层在所述第二方向上的宽度大于相邻所述第二金属层在第二方向上相间隔的距离；

9.如权利要求4所述的电容器结构，其特征在于，所述第二金属层的形状包括矩形或正方形。

10.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述第一金属层在第二方向的宽度、所述第二金属层在第二方向上的宽度和所述第三金属层在第二方向上的宽度均两两相等。

11.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，相邻所述第二金属层在所述第二方向上相间隔的距离不小于16纳米；

12.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述电容器结构还包括：介电层，位于所述第一金属层、第二金属层和第三金属层露出的所述基底上，且位于相邻所第一金属层之间、相邻所述第二金属层之间以及相邻所述第三金属层之间。

13.如权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，所述第一金属层的材料包括铜和银中的一种或两种；