阵列基板和显示面板的制作方法

本申请涉及显示面板，特别是涉及一种阵列基板和显示面板。

背景技术：

1、显示面板被广泛的应用于手机、电视、笔记本电脑、台式电脑等各种消费性电子产品中，而高分辨率的显示面板因其具有较好的视觉效果，已逐渐成为显示行业的发展趋势。

2、因此，如何提高显示面板的分辨率已成为亟需解决的问题。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高分辨率的阵列基板和显示面板。

2、第一方面，本申请提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：

3、基板；

4、阵列膜层结构，设置于所述基板的一侧，包括第一晶体管的膜层结构和第二晶体管的膜层结构；所述第一晶体管为数据写入晶体管，所述第二晶体管为阈值补偿晶体管；

5、所述第一晶体管的膜层结构包括第一有源层、第一栅极层和第一源漏极层；所述第二晶体管的膜层结构包括第一顶栅层、第二有源层、第一底栅层和第二源漏极层；沿远离所述基板的方向，所述第一有源层、所述第一栅极层、所述第一底栅层、所述第二有源层和所述第一顶栅层依次层叠设置，其中，所述第一有源层在所述基板上的正投影与所述第二有源层在所述基板上的正投影至少部分重叠；所述第一源漏极层和所述第二源漏极层均设置于所述第一顶栅层远离所述基板的一侧，所述第一源漏极层通过第一过孔与所述第一有源层连接，所述第二源漏极层通过第二过孔与所述第二有源层连接。

6、在其中一个实施例中，所述第一有源层的材料包括多晶硅；所述第二有源层的材料包括金属氧化物。

7、在其中一个实施例中，所述第一栅极层和所述第一底栅层形成存储电容。

8、在其中一个实施例中，所述阵列膜层结构还包括第三晶体管的膜层结构，所述第三晶体管为驱动晶体管；

9、所述第三晶体管的膜层结构包括第三有源层、第三栅极层和第三源漏极层；沿远离所述基板的方向，所述第三有源层、所述第三栅极层和所述第三源漏极层依次层叠设置，且所述第三源漏极层通过第三过孔与所述第三有源层连接；

10、其中，所述第三有源层与所述第一有源层同层设置；所述第三栅极层和所述第一栅极层同层设置；所述第三源漏极层和所述第一源漏极层同层设置。

11、在其中一个实施例中，所述阵列膜层结构还包括第四晶体管的膜层结构，所述第四晶体管为栅极复位晶体管；

12、所述第四晶体管的膜层结构包括第二底栅层、第四有源层、第二顶栅层和第四源漏极层；沿远离所述基板的方向，所述第二底栅层、所述第四有源层、所述第二顶栅层和所述第四源漏极层依次层叠设置，且所述第四源漏极层通过第四过孔与所述第四有源层连接；

13、其中，所述第四有源层与所述第二有源层同层设置；所述第二顶栅层和所述第一顶栅层同层设置；所述第二底栅层和所述第一底栅层同层设置；所述第四源漏极层和所述第二源漏极层同层设置。

14、在其中一个实施例中，所述阵列膜层结构还包括第五晶体管的膜层结构，所述第五晶体管为发光控制晶体管；

15、所述第五晶体管的膜层结构包括第五有源层、第五栅极层和第五源漏极层；沿远离所述基板的方向，所述第五有源层、所述第五栅极层和所述第五源漏极层依次层叠设置，且所述第五源漏极层通过第五过孔与所述第五有源层连接；

16、其中，所述第五有源层与所述第一有源层同层设置；所述第五栅极层和所述第一栅极层同层设置；所述第五源漏极层和所述第一源漏极层同层设置。

17、在其中一个实施例中，所述阵列膜层结构还包括第六晶体管的膜层结构，所述第六晶体管为发光控制晶体管；

18、所述第六晶体管的膜层结构包括第六有源层、第六栅极层和第六源漏极层；沿远离所述基板的方向，所述第六有源层、所述第六栅极层和所述第六源漏极层依次层叠设置，且所述第六源漏极层通过第六过孔与所述第六有源层连接；

19、其中，所述第六有源层与所述第一有源层同层设置；所述第六栅极层和所述第一栅极层同层设置；所述第六源漏极层和所述第一源漏极层同层设置。

20、在其中一个实施例中，所述阵列膜层结构还包括第七晶体管的膜层结构，所述第七晶体管为阳极复位晶体管；

21、所述第七晶体管的膜层结构包括第七有源层、第七栅极层和第七源漏极层；沿远离所述基板的方向，所述第七有源层、所述第七栅极层和所述第七源漏极层依次层叠设置，且所述第七源漏极层通过第七过孔与所述第七有源层连接；

22、其中，所述第七有源层与所述第一有源层同层设置；所述第七栅极层和所述第一栅极层同层设置；所述第七源漏极层和所述第一源漏极层同层设置。

23、在其中一个实施例中，各晶体管的栅极层包括晶体管的栅极，各晶体管的源漏极层包括晶体管的第一极和第二极；

24、所述第一晶体管的栅极与第一扫描信号线连接，所述第一晶体管的第一极与数据信号线连接，所述第一晶体管的第二极与所述第三晶体管的第一极连接；

25、所述第二晶体管的栅极与第二扫描信号线连接，所述第二晶体管的第一极与所述存储电容的第一极连接，所述第二晶体管的第二极与所述第三晶体管的第二极连接；

26、所述第三晶体管的栅极与所述存储电容的第一极连接；

27、所述第四晶体管的栅极与第三扫描信号线连接，所述第四晶体管的第一极与所述第二晶体管的第一极或者所述第二晶体管的第二极连接，所述第四晶体管的第二极与第一复位信号线连接；

28、所述第五晶体管的栅极与发光控制信号线连接，所述第五晶体管的第一极与所述存储电容的第二极和电源信号线均连接，所述第五晶体管的第二极与所述第三晶体管的第一极连接；

29、所述第六晶体管的栅极与所述发光控制信号线连接，所述第六晶体管的第一极与所述第三晶体管的第二极连接，所述第六晶体管的第二极与发光器件连接；

30、所述第七晶体管的栅极与第四扫描信号线连接，所述第七晶体管的第一极与第二复位信号线连接，所述第七晶体管的第二极与所述发光器件连接。

31、第二方面，本申请还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述第一方面中任一项所述的阵列基板。

32、上述阵列基板中，第一晶体管（即数据写入晶体管）的第一有源层在基板上的正投影，与第二晶体管（即阈值补偿晶体管）的所述第二有源层在基板上的正投影至少部分重叠，实现了数据写入晶体管和阈值补偿晶体管的叠层设置，从而节省了空间，降低了像素电路的尺寸，进而可以提高单位面积内的像素的分布数量，提高显示面板的分辨率。另外，第一栅极层和第一底栅层叠层设置，可以形成存储电容，因此，无需额外设置存储电容，进一步节省了空间，进而可以进一步提高显示面板的分辨率。

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层的材料包括多晶硅；所述第二有源层的材料包括金属氧化物。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极层和所述第一底栅层形成存储电容。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列膜层结构还包括第三晶体管的膜层结构，所述第三晶体管为驱动晶体管；

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列膜层结构还包括第四晶体管的膜层结构，所述第四晶体管为栅极复位晶体管；

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列膜层结构还包括第五晶体管的膜层结构，所述第五晶体管为发光控制晶体管；

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列膜层结构还包括第六晶体管的膜层结构，所述第六晶体管为发光控制晶体管；

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列膜层结构还包括第七晶体管的膜层结构，所述第七晶体管为阳极复位晶体管；

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，各晶体管的栅极层包括晶体管的栅极，各晶体管的源漏极层包括晶体管的第一极和第二极；

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至9任一项所述的阵列基板。