一种显示面板、制作方法以及显示装置与流程

摘要: 本发明涉及显示。更具体地,涉及一种显示面板、制作方法以及显示装置。背景技术:1、硅基微显示有机发光二极管(microoled:microorganiclight...
一种显示面板、制作方法以及显示装置与流程

本发明涉及显示。更具体地,涉及一种显示面板、制作方法以及显示装置。

背景技术:

1、硅基微显示有机发光二极管(microoled:microorganic lightemitting diode)是以单晶硅为衬底的oled显示器件,具有体积小,自发光,分辨率高等优点,广泛应用于ar/vr等领域。

2、microoled采用全反射阳极和半透半反射阴极及封装层,利用光在反射层和半透半反层之间反复反射,并且经由相长干涉增强。在相关技术的结构中多采用弱微腔器件,即oled器件的腔长一定,不能保证红、绿、蓝三色光均处于干涉加强状态。强微腔器件正处于工艺验证阶段,强微腔器件采用台阶状的阳极结构,保证了红、绿、蓝三色光的最佳腔长,然而部分不良的强微腔器件构成的显示产品的发光均一性较差。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种显示面板、制作方法以及显示装置,以解决现有技术存在的问题中的至少一个。

2、为达到上述目的,本发明采用下述技术方案:

3、本发明第一方面提供一种显示面板,所述显示面板包括:

4、衬底;

5、像素界定层,所述像素界定层开设各个子像素的像素界定孔;

6、设置在所述像素界定孔内的每一子像素的第一电极;

7、位于所述第一电极远离所述衬底一侧的所述子像素的发光层;以及位于所述发光层远离所述衬底一侧的封装层,所述封装层包括:

8、对应于第一子像素位置处的第一封装层;

9、对应于第二子像素位置处的第二封装层;以及

10、对应于第三子像素位置处的第三封装层;

11、其中,所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层在所述衬底的正投影至少覆盖对应的子像素位置处的像素界定孔在所述衬底的正投影;

12、所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层的封装表面分别对应于所述像素界定孔所在位置处的各个封装层远离所述衬底一侧的表面;

13、所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层的封装表面与对应位置处的所述第一电极之间的距离逐渐增大。

14、在一个可选的实施例中,每一子像素的对应的第一电极远离所述衬底一侧的第一电极表面与所述子像素对应的封装表面之间的距离为所述子像素的腔长,

15、两个相邻子像素的腔长差qcc=h第一电极表面+h封装表面,其中,

16、h第一电极表面为所述两个相邻子像素的对应的第一电极的第一电极表面之间的高度差,

17、h封装表面为所述两个相邻子像素的对应的两个封装层的封装表面之间的封装高度差。

18、在一个可选的实施例中,至少两个相邻子像素对应的封装层的封装表面之间的封装高度差h封装表面,大于所述两个相邻子像素对应的第一电极的第一电极表面之间的高度差h第一电极表面。

19、在一个可选的实施例中,各个子像素的第一电极高度为所述子像素对应位置处的第一电极远离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的距离;

20、至少两个相邻子像素中,第一电极高度更小的子像素对应的封装表面与所述衬底之间的封装表面高度更大。

21、在一个可选的实施例中,所述第一子像素为蓝色子像素,所述第二子像素为红色子像素,所述第三子像素为绿色子像素;

22、或者

23、所述第一子像素的腔长为第一腔长,所述第二子像素的腔长为第二腔长,所述第三子像素的腔长为第三腔长,所述第一腔长小于所述第二腔长小于所述第三腔长。

24、在一个可选的实施例中,所述第一子像素的第一电极高度为第一高度,所述第二子像素的第一电极高度为第二高度,所述第三子像素的第一电极高度为第三高度,所述第一高度等于所述第二高度,且所述第一高度和所述第二高度均大于所述第三高度;

25、或者

26、所述第二高度和所述第三高度之间的高度差越小,所述第三子像素和所述第二子像素对应的封装表面之间的封装高度差越小。

27、在一个可选的实施例中,所述显示面板还包括位于所述封装层远离所述衬底一侧表面的平坦层,所述封装层的折射率大于所述平坦层的折射率。在一个可选的实施例中,所述第一电极包括:

28、设置在所述像素界定孔中的第一导电层;

29、设置在所述第一导电层远离所述衬底一侧表面的第二导电层,所述第二导电层远离所述衬底一侧的表面为所述第一电极表面;

30、设置在所述第二导电层远离所述衬底一侧表面的第三导电层。

31、在一个可选的实施例中,所述像素界定层包括:

32、位于所述衬底上的第一界定层;

33、位于所述第一界定层远离所述衬底一侧的第二界定层;

34、位于所述第二界定层远离所述衬底一侧的第三界定层,

35、所述第一界定层、所述第二界定层和所述第三界定层开设贯穿对应界定层的通孔作为所述像素界定孔;

36、所述显示面板还包括设置在相邻子像素之间的隔断结构,所述隔断结构隔断相邻子像素对应的所述发光层的电荷产生层。

37、在一个可选的实施例中,所述隔断结构包括位于所述第一子像素和所述第二子像素之间的第一隔断部,

38、所述第一隔断部包括:

39、贯穿所述第三界定层的第一隔断孔;和

40、开设在所述第二界定层对应于所述第一隔断孔位置处的第二隔断孔,所述第二隔断孔的孔径大于所述第一隔断孔的孔径;

41、在所述第一隔断孔位置处,所述第二界定层靠近所述第一子像素一侧的顶部表面和所述第二界定层靠近所述第二子像素一侧的顶部表面位于同一水平面;所述第三界定层靠近所述第一子像素一侧的顶部表面和所述第三界定层靠近所述第二子像素一侧的顶部表面位于同一水平面。

42、在一个可选的实施例中,所述隔断结构包括位于所述第二子像素和所述第三子像素之间、或位于所述第三子像素和所述第一子像素之间的第二隔断部,

43、所述第二隔断部包括:

44、贯穿所述第三界定层的第三隔断孔;和

45、开设在所述第二界定层对应于所述第三隔断孔位置处的第四隔断孔,所述第四隔断孔的孔径大于所述第三隔断孔的孔径;

46、在第三隔断孔位置处,

47、所述第一界定层靠近所述第一子像素一侧的顶部表面高于靠近所述第三子像素一侧的顶部表面;

48、所述第二界定层靠近所述第一子像素一侧的顶部表面高于所述第二界定层靠近所述第三子像素一侧的顶部表面;

49、所述第三界定层靠近所述第一子像素一侧的顶部表面高于所述第三界定层靠近所述第三子像素一侧的顶部表面。

50、本发明第二方面提供了一种显示装置,包括本发明第一方面所述的显示面板。

51、本发明第三方面提供了一种本发明第一方面所述显示面板的制作方法,所述方法包括:

52、在衬底上形成像素界定层;

53、对像素界定层进行刻蚀形成各个子像素的像素界定孔;

54、在所述像素界定孔内形成每一子像素的第一电极;

55、在所述第一电极远离所述衬底一侧的表面形成子像素的发光层;

56、在所述发光层远离所述衬底一侧的表面形成封装层;

57、其中,所述在所述发光层远离所述衬底一侧的表面形成封装层进一步包括:

58、在对应于第一子像素位置处形成第一封装层;

59、在对应于第二子像素位置处形成第二封装层;以及

60、在对应于第三子像素位置处形成第三封装层,所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层在所述衬底的正投影至少覆盖对应的子像素位置处的发光层在所述衬底的正投影,所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层的封装表面分别对应于所述像素界定孔所在位置处的各个封装层远离所述衬底一侧的表面,所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层的封装表面与对应位置处的所述第一电极之间的距离逐渐增大。

61、本发明的有益效果如下:

62、本发明实施例的显示面板采用不同厚度的台阶状封装层,不同颜色的子像素位置处形成不同厚度的第一封装层、第二封装层和第三封装层,第一封装层、第二封装层和第三封装层和对应位置处的第一电极具有不同腔长,利用微腔效应来增强不同子像素发光层的发射强度,从而提高显示面板的发光均一性。