发光显示装置的制作方法

本发明涉及发光显示装置。

背景技术：

1、近来，具有诸如薄型、轻量化、低功耗的优异特性的平板显示装置被广泛开发并应用于各种领域。

2、在平板显示装置中，配备有诸如发光二极管的发光元件的发光显示装置是当电荷注入到形成在阳极与阴极之间的发光层中并且电子和空穴配对然后湮灭时发射光的显示装置。

3、在发光显示装置中，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素可以配置有微腔结构以提高对应颜色的发光效率。然而，采用微腔结构的发光显示装置难以实现白色子像素。

技术实现思路

1、本发明的优点是提供可以实现白色子像素的具有微腔结构的发光显示装置。

2、本发明的附加特征和优点将在下面的描述中阐明，并且部分将从描述中变得明显或者可以通过实践本发明而了解。本发明的这些优点及其他优点将通过在书面描述及其权利要求以及所附附图中特别指出的结构来实现和获得。

3、为了实现这些及其他优点并且根据本发明的目的，如本文所体现和广泛描述的，发光显示装置包括：基板，该基板包括多个子像素，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素；发光二极管，该发光二极管设置在多个子像素中的每个子像素中，并且包括堆叠的第一电极、发光层和透明导电材料的第二电极；半透射板，该半透射板设置在红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素的发光二极管上；以及绝缘层，该绝缘层设置在白色子像素中的半透射板上。

4、另一方面，发光显示装置包括：基板，该基板包括多个子像素，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素；发光二极管，该发光二极管设置在多个子像素中的每个子像素中，并且包括堆叠的第一电极、发光层和第二电极，所述第二电极是透明的；半透射板，该半透射板设置在第二电极上；以及介电层，该介电层设置在白色子像素的半透射板上。

5、应当理解，前述总体描述和以下详细描述两者是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。

1.一种发光显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述第二电极具有在约10 nm至约65 nm的范围内的厚度，所述半透射板具有在约10 nm至约30 nm的范围内的厚度，并且所述绝缘层具有在约35 nm至约80 nm的范围内的厚度。

3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述半透射板包括银或者银镁合金。

4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，所述第二电极包括透明氧化物导电材料。

5.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层包括透明氧化物绝缘材料或透明氮化物绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的发光显示装置，其中，所述绝缘层包括al2o3。

7.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素的所述发光二极管各自被配置成发射白光，

8.根据权利要求7所述的发光显示装置，其中，所述第四反射板与所述第一反射板、所述第二反射板和所述第三反射板中的一个反射板设置在同一层上。

9.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括分别设置在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中的所述半透射板上的红色滤色器图案、绿色滤色器图案和蓝色滤色器图案，

10.一种发光显示装置，包括：

11.根据权利要求10所述的发光显示装置，其中，所述第二电极具有在约10 nm至约65nm的范围内的厚度，所述半透射板具有在约10 nm至约30 nm的范围内的厚度，并且所述介电层具有在约35 nm至约80 nm的范围内的厚度。

12.根据权利要求10所述的发光显示装置，其中，所述半透射板包括银或银镁合金，

13.一种发光显示装置，包括：

14.根据权利要求13所述的发光显示装置，其中，所述第一反射电极与所述第四反射电极设置在同一层上。

15.根据权利要求13所述的发光显示装置，其中，所述第二反射电极与所述第四反射电极设置在同一层上。

16.根据权利要求13所述的发光显示装置，其中，所述第三反射电极与所述第四反射电极设置在同一层上。

17.根据权利要求13所述的发光显示装置，其中：