非水电解质二次电池的制作方法

本公开涉及非水电解质二次电池，特别是涉及低电阻的非水电解质二次电池。

背景技术：

1、以往，作为高输出、高容量的二次电池，具备正极、负极和非水电解质，使li离子等在正极与负极之间移动而进行充放电的非水电解质二次电池被广泛利用。专利文献1中公开了通过在作为正极活性物质的锂过渡金属复合氧化物的表面形成碳质覆膜来减小非水电解质二次电池的电阻值的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：国际公开第2023/203952号

技术实现思路

1、近年来，对于非水电解质二次电池，要求日益的高输出化、高容量化。本发明人等进行了深入研究，发现通过在正极活性物质的表面形成碳质覆膜，并且使负极合剂层含有负极活性物质和硅酸盐化合物，所述负极活性物质包含含硅材料，与专利文献1中记载的技术等现有技术相比，能够特异性地减小充电时的电阻值。

2、本公开的目的在于提供一种高容量且低电阻的非水电解质二次电池。

3、作为本公开的一个方式的非水电解质二次电池的特征在于，具备：包含正极和负极的电极体、以及非水电解质，具有：正极集电体和形成于正极集电体的表面的正极合剂层，负极具有：负极集电体和形成于负极集电体的表面的负极合剂层，正极合剂层包含正极活性物质，在正极活性物质的表面形成有碳质覆膜，所述碳质覆膜含有选自由除li以外的碱金属及碱土金属组成的组中的一种以上的元素，负极合剂层包含负极活性物质和硅酸盐化合物，所述负极活性物质包含含硅材料。

4、根据作为本公开的一个方式的非水电解质二次电池，能够在为高容量的同时减小电池电阻。

1.一种非水电解质二次电池，其具备：包含正极和负极的电极体、以及非水电解质，

2.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池，其中，所述含硅材料中所含的硅元素的总质量相对于所述负极合剂层的质量的比率为20质量%以上。

3.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池，其中，所述含硅材料中所含的硅元素的总质量相对于所述负极合剂层的质量的比率为50质量%以下。

4.根据权利要求1所述的非水电解质二次电池，其中，所述含硅材料中所含的硅元素的总质量相对于所述负极合剂层的质量的比率为40质量%以下。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，所述含硅材料包含离子传导相和分散于所述离子传导相中的硅相。

6.根据权利要求5所述的非水电解质二次电池，其中，所述离子传导相是选自由硅酸盐相、碳相、硅化物相和氧化硅相组成的组中的至少一种。

7.根据权利要求1~4中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，所述硅酸盐化合物包含蒙脱石。

8.根据权利要求1~4中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，所述正极合剂层的单位面积重量为280g/m2以上。

9.根据权利要求1~4中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，所述碳质覆膜还含有s。

10.根据权利要求1~4中任一项所述的非水电解质二次电池，其中，所述碳质覆膜含有na和k中的至少一者。