一种平面型直热式阴极结构

本技术涉及直热式阴极热发射能力精确测量领域，具体涉及一种平面型直热式阴极结构。

背景技术：

1、随着微波通信、雷达及高能物理实验的需求增长，传统间热式阴极因热惯性大、响应速度慢等缺陷逐渐无法满足高频、高功率器件的需求。在此背景下，直热式阴极因其直接加热发射体的特性，成为解决热传导延迟问题的关键突破方向。

2、传统的直热式阴极热发射测试方法为，在圆柱形w丝或者re-w丝表面涂敷上电子发射活性物质，将圆柱形w丝或者re-w丝穿过钼筒，然后通电加热进行热发射测试。存在的问题是，由于无法准确测量涂敷上活性物质之后的丝径，因此也无法准确的计算阴极的发射面积，从而无法精确测量电子发射活性物质的热发射能力，并且很难保证阴极丝位于钼筒的中心线上。虽然后来有人将圆柱形w丝或者re-w丝制作成圆饼形直热式阴极，以圆饼形的投影面积来估算其热发射面积，采用这种方法仍然无法准确计算实际阴极的热发射面积。

技术实现思路

1、基于此，本实用新型的目的是提供一种平面型直热式阴极结构，旨在解决目前传统的直热式阴极热发射测试中无法计算实际阴极的热发射面积的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型通过如下技术方案来实现：一种平面型直热式阴极结构，其特征在于，所述平面型直热式阴极结构包括阴极主体，设于所述阴极主体上的接口组件，和连接所述接口组件的若干导电组件；

3、接口组件，包括相对设置于所述阴极主体两端的第一接口和第二接口；

4、导电组件，包括设于所述阴极至主体边缘的导电沟槽，和分别设于所述导电沟槽的两端的导电带；

5、其中，任意所述导电沟槽的至少一端与所述阴极主体的边缘相交，设于所述阴极主体两端的导电沟槽交错设置，并通过所述导电带连接。

6、根据上述技术方案的一方面，所述第一接口和所述第二接口与所述阴极主体的弧线的相交点之间的距离等于所述阴极主体的直径大小。

7、根据上述技术方案的一方面，所述第一接口和所述第二接口之间的距离范围为25mm-50mm。

8、根据上述技术方案的一方面，所述第一接口和所述第二接口的长度相等。

9、根据上述技术方案的一方面，所述阴极主体上的所有导电沟槽长度相等，且均平行设置 。

10、根据上述技术方案的一方面，所述导电沟槽的长度范围为2mm-4mm。

11、根据上述技术方案的一方面，所述阴极主体上的所有导电带的宽度相等，且平行设置。

12、根据上述技术方案的一方面，所述导电带与相连的所述导电沟槽垂直设置。

13、根据上述技术方案的一方面，所述第一接口、所述第二接口、所述导电沟槽、以及所述导电带均设于所述阴极主体的投影面积之内。

14、根据上述技术方案的一方面，阴极主体为圆形。

15、综上，根据本实用新型提出的一种平面型直热式阴极结构，通过将阴极主体设计为圆形，并将导电沟槽的至少一端与阴极主体相交，同时将导电带与导电沟槽垂直设置，通过计算导电沟槽、导电带、第一接口和第二接口在阴极主体上的投影面积，进而可以计算出热发射面积，用于精确测量热发射能力较弱的活性物质的热发射能力。本实用新型通过在圆形阴极主体上设置规则形状的导电沟槽、导电带、第一接口和第二接口，通过计算其面积进而准确计算实际阴极的热发射面积，用于精确测量热发射能力较弱的活性物质的热发射能力。

16、本实用新型的附加方面与优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

1.一种平面型直热式阴极结构，其特征在于，所述平面型直热式阴极结构包括阴极主体，设于所述阴极主体上的接口组件，和连接所述接口组件的若干导电组件；

2.根据权利要求1所述的平面型直热式阴极结构，其特征在于，所述第一接口和所述第二接口与所述阴极主体的弧线的相交点之间的距离等于所述阴极主体的直径大小。

3.根据权利要求2所述的平面型直热式阴极结构，其特征在于，所述第一接口和所述第二接口之间的距离范围为25mm-50mm。

4.根据权利要求3所述的平面型直热式阴极结构，其特征在于，所述第一接口和所述第二接口的长度相等。

5.根据权利要求1所述的平面型直热式阴极结构，其特征在于，所述阴极主体上的所有导电沟槽长度相等，且均平行设置 。

6.根据权利要求5所述的平面型直热式阴极结构，其特征在于，所述导电沟槽的长度范围为2mm-4mm。

7.根据权利要求1所述的平面型直热式阴极结构，其特征在于，所述阴极主体上的所有导电带的宽度相等，且平行设置。

8.根据权利要求7所述的平面型直热式阴极结构，其特征在于，所述导电带与相连的所述导电沟槽垂直设置。

9.根据权利要求1所述的平面型直热式阴极结构，其特征在于，所述第一接口、所述第二接口、所述导电沟槽、以及所述导电带均设于所述阴极主体的投影面积之内。

10.根据权利要求1所述的平面型直热式阴极结构，其特征在于，阴极主体为圆形。