一种吸附孔电极耦合结构及等离子处理设备的制作方法

本发明涉及板级封装设备，具体涉及一种应用于板级封装去胶工序的吸附孔电极耦合结构及等离子处理设备，尤其适用于大尺寸超薄面板的等离子去胶场景。

背景技术：

1、板级封装（foplp）是半导体先进封装主流发展方向，相较于传统晶圆级封装，面积利用率从85%提升至95%以上，具备高效、低成本优势，可广泛替代传统封装工艺。

2、面板级封装采用600×600mm、510×515mm等大尺寸超薄树脂或玻璃面板基材，基材厚度薄、刚性弱、易翘曲，且面板表面制备有微米级rdl再布线线路、微型sap微孔、ubm焊盘等精密结构，对制程处理均匀性、精度及无损伤性要求极高。

3、传统面板等离子处理设备多采用固定接地载台结构，搭配低功率射频供电方案，存在以下技术缺陷：

4、（1）传统设备仅依靠上部电极激发等离子体，载板无射频偏置功能，无法形成定向离子轰击效果，仅能依靠气体自由基实现简易化学清洗，难以彻底去除微孔底部、线路侧壁的碳化残胶与有机残渣。

5、（2）大尺寸面板电极容性负载大，传统小功率射频电源输出能量不足，导致整张面板等离子体密度分布不均，存在边缘放电微弱、板面处理一致性差的问题。

6、（3）传统结构无法导出等离子轰击产生的表面积聚电荷，易产生静电损伤微纳线路。

7、（4）等离子处理过程中，基板表面刻蚀、改性等工艺产生的副产物颗粒易通过吸附孔倒吸入气路系统，造成气路堵塞和腔室污染。

技术实现思路

1、为解决上述背景技术中所提到的缺陷，本发明提供一种吸附孔电极耦合结构及等离子处理设备，实现真空吸附整平、射频电场激发、静电防护的一体化集成，提升大尺寸超薄面板等离子处理的均匀性与精准度。

2、为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

3、一种吸附孔电极耦合结构，包括：

4、吸附电极，与射频电源电性连接，以同时作为真空吸附载台和射频放电电极；

5、水电一体接口，对称设置于所述吸附电极上，用于同时接入冷却介质和射频电源；

6、真空吸附管道，一端与所述吸附电极连通，另一端外接真空设备；

7、电场隔离组件，包括隔离压框和隔离压板，所述隔离压框安装于吸附电极的边缘，用于消除吸附电极边缘区域的电场畸变；所述隔离压板设置于吸附电极下方，用于吸附电极与等离子处理设备腔体之间的绝缘隔离；

8、过滤组件，设置于吸附电极与真空吸附管道之间，用于拦截等离子处理过程中产生的副产物颗粒；所述过滤组件由多层蜂窝状滤块交错层叠而成，每层所述蜂窝状滤块上开设有均匀分布的气流通孔，相邻层的所述气流通孔在竖直投影面上相互错位排布形成弯折的气流通路，并构成多级拦截结构。

9、优选的，所述吸附电极的表面划分有内吸附区域和外吸附区域，所述内吸附区域与外吸附区域之间通过密封圈密封隔离，形成独立可控的双区真空吸附结构；且内吸附区域与外吸附区域的吸附压力独立调节。

10、优选的，所述内吸附区域和外吸附区域内分别开设有多个吸附孔，各区域内的所述吸附孔呈阵列均匀分布，并形成真空吸附的负压通道。

11、优选的，所述吸附孔的孔径大小沿吸附电极的表面呈梯度变化，电场强度较高区域的所述吸附孔的孔径小于电场强度较低区域的所述吸附孔的孔径，所述吸附孔的孔径大小与局部电场强度呈负相关分布。

12、优选的，所述吸附电极的内部设置有冷却水道，所述冷却水道在吸附电极内部呈迂回分布，且冷却水道的管径沿吸附电极的中心向边缘方向逐层递增。

13、优选的，所述吸附电极的端部等距开设有若干个出水口，若干个所述出水口分别与冷却水道连通，且出水口上设置有密封堵头。

14、优选的，所述水电一体接口上集成有射频输入端子与冷却介质输入输出端子，所述射频输入端子与吸附电极电性连接；所述冷却介质输入输出端子与冷却水道连通。

15、优选的，所述隔离压框的形状与吸附电极的边缘轮廓相匹配，且隔离压框朝向吸附电极中心方向的一侧设置有圆弧过渡面或斜面。

16、优选的，所述隔离压板上对应真空吸附管道和水电一体接口的位置开设有避让通孔，所述避让通孔与真空吸附管道、水电一体接口之间填充有绝缘密封填料。

17、一种等离子处理设备，包括腔体以及设置于所述腔体内的吸附孔电极耦合结构。

18、综上所述，本发明的有益效果为：

19、1.本发明通过将吸附载台与射频放电电极集成设计，在实现对基板稳定真空吸附的同时，还可作为放电电极激发等离子体，减少了额外载台结构带来的电场干扰，保证等离子处理的均匀性。

20、2.本发明通过对称布置的水电一体接口既可以统一引入冷却介质对工作中的吸附电极进行降温，维持电极工作温度稳定，同时完成射频电源的接入，简化了外部接线和管路布局，从而实现全域电场均匀输入与静电快速导出，杜绝微纳线路静电损伤，且真空吸附与等离子放电耦合协同性高，工艺稳定性极强。

21、3.本发明通过设置电场隔离组件能够对放电区域边缘的电场进行约束隔离，避免电场向外扩散影响放电稳定性，提升等离子处理的工艺一致性；同时，边缘电场弱化压框配合全域分区吸附结构，能够有效消除边缘电场畸变与场强不均问题，实现板面高均匀电场耦合放电。

22、4.本发明通过设置过滤组件可以有效拦截工艺过程中产生的副产物碎屑，避免这些颗粒进入真空吸附管道造成管路堵塞，保障真空吸附的长期稳定性，降低设备维护频率；同时，防止腔体内等离子体通过吸附孔顺着吸附管道向真空管路扩散，减少二次打火的可能；并能够对内外吸附区域节流，平衡抽气速率，避免因为吸力过大损坏产品，保证基板与吸附电极紧密贴合。

1.一种吸附孔电极耦合结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的吸附孔电极耦合结构，其特征在于，所述吸附电极的表面划分有内吸附区域和外吸附区域，所述内吸附区域与外吸附区域之间通过密封圈密封隔离，形成独立可控的双区真空吸附结构；且内吸附区域与外吸附区域的吸附压力独立调节。

3.根据权利要求2所述的吸附孔电极耦合结构，其特征在于，所述内吸附区域和外吸附区域内分别开设有多个吸附孔，各区域内的所述吸附孔呈阵列均匀分布，并形成真空吸附的负压通道。

4.根据权利要求3所述的吸附孔电极耦合结构，其特征在于，所述吸附孔的孔径大小沿吸附电极的表面呈梯度变化，电场强度较高区域的所述吸附孔的孔径小于电场强度较低区域的所述吸附孔的孔径，所述吸附孔的孔径大小与局部电场强度呈负相关分布。

5.根据权利要求1所述的吸附孔电极耦合结构，其特征在于，所述吸附电极的内部设置有冷却水道，所述冷却水道在吸附电极内部呈迂回分布，且冷却水道的管径沿吸附电极的中心向边缘方向逐层递增。

6.根据权利要求5所述的吸附孔电极耦合结构，其特征在于，所述吸附电极的端部等距开设有若干个出水口，若干个所述出水口分别与冷却水道连通，且出水口上设置有密封堵头。

7.根据权利要求5所述的吸附孔电极耦合结构，其特征在于，所述水电一体接口上集成有射频输入端子与冷却介质输入输出端子，所述射频输入端子与吸附电极电性连接；所述冷却介质输入输出端子与冷却水道连通。

8.根据权利要求1所述的吸附孔电极耦合结构，其特征在于，所述隔离压框的形状与吸附电极的边缘轮廓相匹配，且隔离压框朝向吸附电极中心方向的一侧设置有圆弧过渡面或斜面。

9.根据权利要求1所述的吸附孔电极耦合结构，其特征在于，所述隔离压板上对应真空吸附管道和水电一体接口的位置开设有避让通孔，所述避让通孔与真空吸附管道、水电一体接口之间填充有绝缘密封填料。

10.一种等离子处理设备，其特征在于，包括腔体以及设置于所述腔体内的如权利要求1-9中任一项所述的吸附孔电极耦合结构。