一种LTCC高近端抑制低通滤波器的制作方法

本发明涉及一种基于ltcc工艺的高近端抑制的低通滤波器，涉及微波。

背景技术：

1、滤波器是一种频率选择装置，其核心作用是让特定频段的信号通过，而抑制其他频段的信号。它在通讯、雷达、音频等领域的信号处理链中不可或缺。ltcc制造工艺是通过在几个单层的介质生瓷带上印刷金属和功能结构，并将它们压在一起然后在800-900℃下进行烧结，实现无源器件三维集成，通过集成无源器件实现高密度封装、低介电损耗、低导体损耗、以及高可靠性。ltcc低通滤波器虽然具有尺寸小、插损低、稳定性好等优点，但是大部分低通滤波器近端带外抑制并不好。本发明提供了一种高近端抑制、低插入损耗的低通滤波器的设计方法以及具体优选实施例。

技术实现思路

1、本发明的目的是在于提供一种ltcc工艺下的高近端抑制的低通滤波器，所述的高近端抑制的低通滤波器包括：陶瓷介质基体，陶瓷基体的中间层的外侧壁设有低通滤波器的输入端口（p1）、低通滤波器的输出端口（p2）；所述的陶瓷介质基体的输入端口（p1）与输出端口（p2）之间设有高近端抑制低通滤波器；所述的陶瓷介质基体的接地端口均为接地电容基片接地；所述陶瓷介质基体的顶层、底层、以及内部设有金属接地层；所述的陶瓷介质基体内部包含10层具有叠层结构的陶瓷介质电路层，其中：

2、第一层，在陶瓷介质基体上印制有一块金属平面导体，其为第三电容的接地金属基片101；

3、第二层，在陶瓷介质基体上印制有二十九块相互绝缘金属平面导体，第一块金属平面导体为第二电容、第三电容、第四电容的公共基片102，第二至第二十九金属平面导体为金属化过孔v_g的第二层金属焊盘v_g-2;

4、第三层，在陶瓷介质基体上印制有三十一块相互绝缘金属平面导体，第一块金属平面导体为金属化过孔v1的第三层焊盘v1-3连接第一电容、第二电容的公共基片103构成，第二块金属平面导体为金属化过孔v2的第三层焊盘v2-3，第三块金属平面导体为金属化过孔v3的第三层焊盘v3-3连接第四电容、第五电容的公共基片104构成，第四至第三十一金属平面导体为金属化过孔v_g的第三层金属焊盘v_g-3;

5、第四层，在陶瓷介质基体上印制有四块相互绝缘金属平面导体，第一块金属平面导体为第一电容、第五电容的公共基片105，第二块金属平面导体为金属化过孔v1的第四层焊盘v1-4，第三块金属平面导体为金属化过孔v2的第四层焊盘v2-4，第四块金属平面导体为金属化过孔v3的第四层焊盘v3-4；

6、第五层，在陶瓷介质基体上印制有三十一块相互绝缘金属平面导体，第一块金属平面导体为金属化过孔v1的第五层焊盘v1-5，第二块金属平面导体为金属化过孔v2的第五层焊盘v2-5，第三块金属平面导体为金属化过孔v3的第五层焊盘v3-5，第四至第三十一金属平面导体为金属化过孔v_g的第五层金属焊盘v_g-5;

7、第六层，在陶瓷介质基体上印制有三十一块相互绝缘金属平面导体，第一块金属平面导体由输入端口p1连接金属化过孔v1的第六层焊盘v1-6，金属化过孔v1的第六层焊盘v1-6连接电感l1的第六层金属基片l1-6, 电感l1的第六层金属基片l1-6连接金属化过孔v4的第六层焊盘v4-6构成；第二块金属平面导体为金属化过孔v2的第六层焊盘v2-6，第三块金属平面导体由输出端口p2连接金属化过孔v3的第六层焊盘v3-6，金属化过孔v3的第六层焊盘v3-6连接电感l2的第六层金属基片l2-6, 电感l2的第六层金属基片l2-6连接金属化过孔v7的第六层焊盘v7-6构成；第四至第三十一金属平面导体为金属化过孔v_g的第六层金属焊盘v_g-6;

8、第七层，在陶瓷介质基体上印制有三十一块相互绝缘金属平面导体，第一块金属平面导体由金属化过孔v4的第七层焊盘v4-7连接电感l1的第七层金属基片l1-7, 电感l1的第七层金属基片l1-7连接金属化过孔v5的第七层焊盘v5-7构成；第二块金属平面导体为金属化过孔v2的第六层焊盘v2-7，第三块金属平面导体由金属化过孔v7的第七层焊盘v7-7连接电感l2的第七层金属基片l2-7, 电感l2的第七层金属基片l2-7连接金属化过孔v6的第七层焊盘v6-7构成；第四至第三十一金属平面导体为金属化过孔v_g的第七层金属焊盘v_g-7;

9、第八层，在陶瓷介质基体上印制有二十九块相互绝缘金属平面导体，第一块金属平面导体由金属化过孔v5的第八层焊盘v5-8连接电感l1的第八层金属基片l1-8, 电感l1的第八层金属基片l1-8连接金属化过孔v2的第八层焊盘v2-8，金属化过孔v2的第八层焊盘v2-8连接电感l2的第八层金属基片l2-8，电感l2的第八层金属基片l2-8连接金属化过孔v6的第八层焊盘v6-8构成；第二至第二十九金属平面导体为金属化过孔v_g的第八层金属焊盘v_g-8；

10、第九层，在陶瓷介质基体上印制有二十八块相互绝缘金属平面导体，第一至第二十八金属平面导体为金属化过孔v_g的第九层金属焊盘v_g-9；

11、第十层，在陶瓷介质基体上印制有一块金属平面导体，其为接地金属基片106。

12、本发明的有益效果为：本发明以ltcc工艺为基础，通过ltcc叠层结构设计实现一种高近端抑制、低插入损耗的低通滤波器，现有普通的ltcc低通滤波器的近端一般在10~20db左右，本发明的ltcc高近端抑制的低通滤波器的近端带外抑制达到了35db 以上的带外抑制。并且本发明的ltcc高近端抑制的低通滤波器的整个通带频率范围内的回波损耗也能达到-13db。同时本发明也包含了ltcc低通滤波器具有低频信号通过高频信号的抑制的滤波功能，也具备了ltcc低通滤波器具有的低损耗、耐高低温、成本低、高可靠性等优点。

1.一种ltcc高近端抑制低通滤波器，其特征在于，所述ltcc低通滤波器包括陶瓷介质基体，所述陶瓷介质基体的导体层通过金属化通孔连接；其中，第一导体层、第二导体层、第三导体层、第四导体层均为电容电路层，第五导体层、第六导体层、第七导体层、第八导体层、第九导体层均为电感电路层、第十导体层为金属接地层。所述陶瓷介质基体的内部电路层共十层，分别为：

2.根据权利要求1所述的一种ltcc高近端抑制低通滤波器，其特征在于，其输入端口p1以及输出端口p2均设置于陶瓷介质基体的中间层的外侧壁上，并且输入端口p1与输出端口p2为对称设置。

3.根据权利要求1所述的一种ltcc高近端抑制低通滤波器，其特征在于，从低通滤波器的整体来看，其电感分布呈中心对称结构，其电容分布为轴对称结构。