参考电流生成电路的制作方法

本申请涉及电流生成，具体涉及一种参考电流生成电路。

背景技术：

1、随着射频技术的发展，对于射频芯片的鲁棒性提出了更高的要求。在车载雷达、通信基站等多种应用场景中，都需要在很宽的温度范围内维持性能的稳定性，因此对于射频芯片中的温度补偿电路提出了很高的要求。同时，射频电路的性能主要通过偏置电路调节，而偏置电路的设计主要通过电流镜镜像参考电流来实现。所以，射频芯片性能的温度稳定性优化，通常通过调节参考电流相对于温度变化的斜率来实现，并且，实现不同功能的各个射频模块对于参考电流的温度斜率不同。基于此，设计灵活的斜率可调的参考电流合成电路具有广泛的应用前景和价值。

2、在传统的模拟电路芯片中，偏置电路的参考电流通常直接由基准源电路产生正温度系数的电流、负温度系数的电流和不随温度变化的电流直接提供，这种参考电流不能灵活地补偿射频、模拟芯片的高低温性能，且不适配射频、模拟电路的设计需求。

技术实现思路

1、本申请提供一种参考电流生成电路。

2、本申请实施例提供一种参考电流生成电路，参考电流生成电路包括：

3、正温度系数电流提供端，被配置为向第一电流合成电路提供正温度系数电流；

4、负温度系数电流提供端，被配置为向第一电流合成电路提供负温度系数电流；

5、第一电流合成电路，被配置为将所述正温度系数电流和所述负温度系数电流分别以各自对应的可调比例进行线性合成为随温度线性变化的第一参考电流，所述随温度线性变化的第一参考电流的斜率是根据所述正温度系数电流对应的可调比例和/或所述负温度系数电流对应的可调比例确定的；

6、第二电流合成电路，被配置为从所述第一电流合成电路中获取所述第一参考电流和所述负温度系数电流，并根据所述第一参考电流和所述负温度系数电流生成随温度非线性变化的第二参考电流。

7、根据本申请实施例的参考电流生成电路，在一方面，通过第一电流合成电路将正温度系数电流和负温度系数电流分别以各自对应的可调比例进行线性合成为随温度线性变化的第一参考电流，线性合成的第一参考电流随温度变化的斜率是可以根据正温度系数电流和/或负温度系数电流的可调比例进行调节的，从而可以根据不同外部电路对于温度补偿的不同需求，生成不同随温度变化的斜率的参考电流，参考电流随温度变化的斜率灵活精准可调，可以更好地补偿外部电路在宽温度范围内的性能稳定性，提高外部电路相对温度变化的性能稳定性。在另一方面，可以进一步通过第二电流合成电路根据第一参考电流和负温度系数电流产生随温度非线性变化的第二参考电流，随温度非线性变化的第二参考电流具有高阶电流温度曲线特性，使得第二参考电流随温度呈现曲线变化，能够在相同电流或温度条件下产生更大的高温电流，从而可以更好地补偿宽温度范围下外部电路的性能。

8、关于本申请的以上实施例和其他方面以及其实现方式，在附图说明、具体实施方式和权利要求中提供更多说明。

1.一种参考电流生成电路，包括：

2.根据权利要求1所述的参考电流生成电路，其中，所述第一电流合成电路包括第一电流镜像模块和第二电流镜像模块；

3.根据权利要求2所述的参考电流生成电路，其中，所述第一电流合成电路还包括第三电流镜像模块，所述第三电流镜像模块的输入端连接至所述电流合成节点，输出端为第一参考电流输出端；

4.根据权利要求2所述的参考电流生成电路，其中，所述第一电流合成电路还包括第四电流镜像模块和第一偏置电压生成模块，所述第四电流镜像模块的输入端连接至所述电流合成节点，输出端连接至所述第一偏置电压生成模块；

5.根据权利要求2所述的参考电流生成电路，其中，所述第二电流镜像模块还被配置为根据所述负温度系数电流提供端提供的负温度系数电流，生成第三偏置电压和第四偏置电压，并向所述第二电流合成电路提供所述第三偏置电压和所述第四偏置电压；

6.根据权利要求2所述的参考电流生成电路，其中，所述第一电流镜像模块包括第一晶体管、并联的多个第二晶体管、第三晶体管和并联的多个第四晶体管；

7.根据权利要求6所述的参考电流生成电路，其中，所述第二晶体管的数量与所述第四晶体管的数量相同，且晶体管尺寸相同。

8.根据权利要求5所述的参考电流生成电路，其中，所述第二电流镜像模块包括第五晶体管、并联的多个第六晶体管、第七晶体管和并联的多个第八晶体管；

9.根据权利要求8所述的参考电流生成电路，其中，所述第六晶体管的数量与所述第八晶体管的数量相同，且晶体管尺寸相同。

10.根据权利要求3所述的参考电流生成电路，其中，所述第三电流镜像模块包括第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管和第十二晶体管；

11.根据权利要求4所述的参考电流生成电路，其中，所述第四电流镜像模块包括第九晶体管、第十晶体管、第十三晶体管和第十四晶体管；

12.根据权利要求4所述的参考电流生成电路，其中，所述第一偏置电压生成模块包括第十五晶体管和第十六晶体管；

13.根据权利要求1所述的参考电流生成电路，其中，所述第二电流合成电路包括参考电流镜像模块、负温度系数电流镜像模块、电流合成模块、第五电流镜像模块和电流分解模块，所述参考电流镜像模块、所述电流合成模块和所述第五电流镜像模块均连接至第一控制节点，所述负温度系数电流镜像模块、所述电流合成模块和所述第五电流镜像模块均连接至第二控制节点，所述第五电流镜像模块和所述电流分解模块均连接至电流分解节点；

14.根据权利要求13所述的参考电流生成电路，其中，所述参考电流镜像模块和所述第一电流合成电路通过第一偏置电压端和第二偏置电压端进行耦接；

15.根据权利要求14所述的参考电流生成电路，其中，所述参考电流镜像模块包括第十七晶体管和第十八晶体管；

16.根据权利要求13所述的参考电流生成电路，其中，所述负温度系数电流镜像模块和所述第一电流合成电路通过第三偏置电压端和第四偏置电压端进行耦接；

17.根据权利要求16所述的参考电流生成电路，其中，所述负温度系数电流镜像模块包括第十九晶体管和第二十晶体管；

18.根据权利要求13所述的参考电流生成电路，其中，所述电流合成模块包括第二十一晶体管、第二十二晶体管、第二十三晶体管、第二十四晶体管和第二十五晶体管；

19.根据权利要求13所述的参考电流生成电路，其中，所述第五电流镜像模块包括第二十六晶体管和第二十七晶体管；

20.根据权利要求13所述的参考电流生成电路，其中，所述电流分解模块包括第一电流子模块、第二电流子模块和第三电流子模块；

21.根据权利要求20所述的参考电流生成电路，其中，所述第一电流子模块包括第二十八晶体管和第二十九晶体管；

22.根据权利要求20所述的参考电流生成电路，其中，所述第二电流子模块包括第三十晶体管和第三十一晶体管；

23.根据权利要求20所述的参考电流生成电路，其中，所述第三电流子模块包括第三十二晶体管、第三十三晶体管、第三十四晶体管和第三十五晶体管；

24.根据权利要求13所述的参考电流生成电路，其中，所述第二电流合成电路还包括第六电流镜像模块；所述第六电流镜像模块的输入端连接至所述电流分解模块的输出端，所述第六电流镜像模块的输出端为第二参考电流输出端；

25.根据权利要求24所述的参考电流生成电路，其中，所述第六电流镜像模块包括第三十六晶体管、第三十七晶体管、第三十八晶体管和第三十九晶体管；