太阳能电池及光伏组件的制作方法

技术特征：
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底(10)；依次设置在所述基底(10)上表面的发射极(111)、正面钝化膜(112)以及穿透所述正面钝化膜(112)与所述发射极(111)形成接触的正面电极(114)；其中，所述基底(10)包括第一掺杂元素，所述第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素，所述激活的第一掺杂元素在所述基底(10)中的掺杂浓度为5
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10
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atom/cm3～1.5
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atom/cm3；且所述激活的第一掺杂元素在所述基底(10)中的激活概率为20％～40％，所述激活概率为所述激活的第一掺杂元素的掺杂浓度与总注入的所述第一掺杂元素的浓度的比值；依次设置在所述基底(10)背表面的隧穿层(121)、场钝化层(122)、背面钝化膜(123)以及穿透所述背面钝化膜(123)与所述场钝化层(122)形成接触的背面电极(124)；其中，所述基底(10)、所述隧穿层(121)和所述场钝化层(122)均包括相同的第二掺杂元素，且所述第二掺杂元素在所述隧穿层(121)中的掺杂浓度小于所述第二掺杂元素在所述场钝化层(122)中的掺杂浓度，所述第二掺杂元素在所述隧穿层(121)中的掺杂浓度大于所述第二掺杂元素在所述基底(10)中的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述激活的第一掺杂元素在所述基底(10)中的掺杂浓度随掺杂深度的增加呈先升高再降低的变化趋势。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述总注入的第一掺杂元素的浓度在所述基底(10)中随掺杂深度的增加的变化趋势与所述激活的第一掺杂元素在所述基底(10)中的掺杂浓度随掺杂深度的变化趋势相同。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，在所述基底(10)上表面指向所述基底(10)背表面的方向上，所述基底(10)包括第一区、第二区和第三区；其中，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间；所述第一区相对于所述第二区靠近所述基底(10)的上表面，所述第三区相对于所述第二区靠近所述基底(10)的背表面；所述第一掺杂元素在所述第二区的掺杂浓度以及所述第一掺杂元素在所述第三区的掺杂浓度均小于所述第一掺杂元素在所述第一区的掺杂浓度。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一区的界面深度为所述基底(10)厚度的1.8％～2.4％；所述第一区的界面深度为所述第一区远离所述基底(10)上表面的一侧与所述基底(10)上表面之间的垂直距离。6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一区的界面深度为350nm～450nm。7.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二区的界面深度为所述基底(10)厚度的5.3％～6.3％，所述第二区的界面深度为1000nm～1200nm；所述第三区的界面深度为所述基底(10)厚度的6.3％～8.4％，所述第三区的界面深度为1200nm～1600nm。8.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述激活的第一掺杂元素的激活概率随着掺杂深度的增加呈先升高再降低的变化趋势；所述第一掺杂元素在所述第二区的激活概率为60％～90％；
所述第一掺杂元素在所述第三区的激活概率为5％～90％。9.根据权利要求1-8中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述场钝化层(122)包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第二掺杂区相对于所述第一掺杂区靠近所述隧穿层(121)；其中，所述第一掺杂区的掺杂曲线斜率大于所述第二掺杂区的掺杂曲线斜率；所述掺杂曲线斜率为激活的第二掺杂元素的掺杂浓度随掺杂深度变化的曲线的斜率；所述第二掺杂元素经退火激活后得到激活的第二掺杂元素。10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，在所述隧穿层(121)朝向所述基底(10)的方向上，所述隧穿层(121)中的掺杂曲线斜率逐渐减小。11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述激活的第二掺杂元素在所述场钝化层(122)中的掺杂浓度为1
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atom/cm3～5
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atom/cm3；所述第二掺杂元素在所述场钝化层(122)中的激活率为50％～70％；所述激活率为所述激活的第二掺杂元素的掺杂浓度与总注入的所述第二掺杂元素的浓度的比值。12.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂区的掺杂曲线斜率为5
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～1
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；所述第二掺杂区的掺杂曲线斜率为-5
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～5
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。13.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层(121)的掺杂曲线斜率为-2.5
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～-2.5
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；所述基底(10)的掺杂曲线斜率为-2.5
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～0。14.一种光伏组件，其特征在于，包括：电池串(101)，所述电池串(101)由多个如权利要求1至13中任一项所述的太阳能电池连接而成；封装层(102)，所述封装层(102)用于覆盖所述电池串(101)的表面；盖板(103)，所述盖板(103)用于覆盖所述封装层(102)远离所述电池串(101)的表面。

技术总结
本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，包括基底、依次设置在基底上表面的发射极、正面钝化膜以及穿透正面钝化膜与发射极形成接触的正面电极；其中，基底包括第一掺杂元素，第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素；激活的第一掺杂元素在基底上表面的掺杂浓度为5


技术研发人员：毛杰 徐孟雷 郑霈霆 杨洁 张昕宇
受保护的技术使用者：晶科能源（海宁）有限公司
技术研发日：2022.06.01
技术公布日：2022/11/29