半导体器件及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件的制造方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述半导体衬底中形成有源漏结构；覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的第一介质层；以及，覆盖所述第一介质层的第二介质层；对所述第二介质层执行第一刻蚀工艺，以形成接触孔，所述接触孔暴露出所述第一介质层；对所述接触孔中的所述第一介质层执行第二刻蚀工艺，以去除部分厚度的所述第一介质层；对所述接触孔中的所述第一介质层执行第三刻蚀工艺，以扩大所述接触孔的底部并露出所述源漏结构；以及，在所述接触孔中形成导电插塞。2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一介质层包括氮化硅层。3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺和所述第三刻蚀工艺均采用等离子体刻蚀工艺，在所述第二刻蚀工艺中，源功率与偏置功率的比值介于1.5~3.5之间；在所述第三刻蚀工艺中，源功率与偏置功率的比值介于0.1~0.8之间。4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第二刻蚀工艺和所述第三刻蚀工艺中，所采用的刻蚀气体均包括二氟甲烷、氧气和氩气。5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺中氩气的流量大于所述第二刻蚀工艺中氩气的流量。6.如权利要求1~5中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二介质层包括覆盖所述第一介质层的正硅酸乙酯层。7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺采用等离子体刻蚀工艺，在所述第一刻蚀工艺中，所采用的刻蚀气体包括全氟丁二烯、氧气和氩气。8.如权利要求1~5中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述接触孔包括第一接触孔部以及位于所述第一接触孔部上的第二接触孔部，其中，所述第二接触孔部的侧壁与竖直方向的夹角介于0
°
~5
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，所述第一接触孔部的侧壁与竖直方向的夹角介于0
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~10
°
。9.如权利要求1~5中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述导电插塞的材质为金属。10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述半导体衬底中形成有源漏结构；覆盖所述栅极结构和所述半导体衬底的第一介质层；覆盖所述第一介质层的第二介质层；位于所述第二介质层和所述第一介质层中的接触孔，所述接触孔的底部经过了扩大处理并露出所述源漏结构；以及，位于所述接触孔中的导电插塞。

技术总结
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，在形成接触孔的过程中，先对第二介质层执行第一刻蚀工艺以暴露出第一介质层，接着对所述第一介质层执行两步刻蚀工艺，包括：执行第二刻蚀工艺以去除部分厚度的所述第一介质层以及执行第三刻蚀工艺以扩大所形成的接触孔的底部。由此，特别扩大了所形成的接触孔的底部尺寸，极大地提高了所形成的接触孔的形貌，从而使得形成于所述接触孔中的导电插塞阻值较小和/或提高与源漏结构的接触性能，由此也便提高了整个半导体器件的性能。便提高了整个半导体器件的性能。便提高了整个半导体器件的性能。


技术研发人员：贾涛 林政纬 杨智强
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：2022.10.26
技术公布日：2022/11/25