技术特征：
1.一种成像元件，其包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且位于所述第一电极与所述电荷存储电极之间的在所述光电转换层和所述绝缘层之间的界面的区域中的固定电荷量小于位于所述成像元件与相邻成像元件之间的在所述光电转换层和所述绝缘层之间的界面的区域中的固定电荷量。2.根据权利要求1所述的成像元件，还包括：半导体基板，其中所述光电转换单元设置在所述半导体基板的上侧。3.根据权利要求1所述的成像元件，还包括：传输控制电极，所述传输控制电极布置在所述第一电极与所述电荷存储电极之间，与所述第一电极和所述电荷存储电极分离地布置，并且布置为经由所述绝缘层面向所述光电转换层。4.根据权利要求1所述的成像元件，其中所述电荷存储电极包括多个电荷存储电极区段。5.根据权利要求1所述的成像元件，其中所述电荷存储电极的尺寸比所述第一电极的大。6.一种层叠式成像元件，包括至少一个根据权利要求1至5中任一项所述的成像元件。7.一种固态成像装置，包括多个根据权利要求1至5中任一项所述的成像元件。8.一种固态成像装置，包括多个根据权利要求6所述的层叠式成像元件。
技术总结
本发明涉及成像元件、层叠式成像元件和固态成像装置。其中，成像元件可包括：光电转换单元，所述光电转换单元包括层叠的第一电极、光电转换层和第二电极，其中，所述光电转换单元还包括电荷存储电极，所述电荷存储电极被布置成与所述第一电极分离并且布置成经由绝缘层面向所述光电转换层，并且位于所述第一电极与所述电荷存储电极之间的在所述光电转换层和所述绝缘层之间的界面的区域中的固定电荷量小于位于所述成像元件与相邻成像元件之间的在所述光电转换层和所述绝缘层之间的界面的区域中的固定电荷量。区域中的固定电荷量。区域中的固定电荷量。
技术研发人员：渡部泰一郎 古闲史彦 伊东恭佑 富樫秀晃 杉森友策
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：2018.06.21
技术公布日：2022/11/18
再多了解一些
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